绝缘与介电材料

Y2000-62552 01035432000年 IEEE 电绝缘会议录=2000 IEEE internationalsymposium on electrical insulation[会,英]/IEEE Di-electrics and Electrical Insulation Society.—IEEE.2000.—534P.(EC)本会议录收集了于2000年4月2～5日在美国加州 Anaheim 召开的电绝缘会议上发表的125篇论文,内容涉及旋转机械的绝缘特性,新材料诊断测试,电力电缆,户外绝缘,变压器绝缘与诊断,开关设备,部分放电。     

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Y98-61403-76 9907053利用粉末挤压烧结技术对基于 Bi_2Te_3-Sb_2Te_3的热电材料的制造和特性分析=Fabrication and characteriza-tion of Bi_2Te_3-Sb_2Te_3 based thermoelectric materials bypowder-extrusion-sintering technique[会,英]/Min,B.-G.& Jang,K.-W//1997 16th International Confer-ence on Thermoelectrics.—76～80(AG)基于Bi_2Te_3-Sb_2Te_3的热电材料尽管有高的热电性能,但在商业应用上由于复杂工艺步骤引起生产成本高而受到限制。本文研究了通过同时加压和加热制     

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Y2002-63393 03117442001年IEEE电子绝缘与介电现象会议录=2001IEEE conference on electrical insulation and dielectricphenomena[会,英]/IEEE Dielectrics and Electrical In-sulation Society,—699P.(E)本会议录收集了于2001年10月14～17日在加拿大Kitchener召开的电子绝缘与介电现象会议上发表的61篇论文,内容涉及空间环境电绝缘,生物电池收集监测,电极材料对等离子体断开开关性能影响,BaTiO_3多层陶瓷电容器的直流击穿现象,土壤介电特性,气体绝缘系统中检测SF6的激光光声系统,聚合物绝缘子分析用计算机x射线断层分析,老化现象,部分放电,在线探测绝缘子电晕。     

绝缘与介电材料

0015925抗电击穿试验中几个问题讨论[刊]/于治会//电子机械工程.—2000.(2).—45～49(K)根据影响介质击穿的主要因素,本文着重阐述了交流抗电击穿装置的容量指标问题。在确定抗电击穿装置的容量时,不仅要考虑到被试样件两极间的等效电容值,同时还要估计到试件在击穿过程可能产生的最大击穿电流值,对于某种绝缘材料或构件,合理选用抗电击穿装置的容量对正确进行试验是很重要的。参70015926面向21世纪的环境协调型绝缘材料[刊]/曹亚琴//绝象材料通讯.—2000,(1).—35～39(C)讨论绝缘材料的环境性问题,国内外环境协调型绝缘材料的发展趋势,并对我国发展环境协调型绝缘材料提出建议。参110015927浅谈 VPI 浸渍树脂的质量控制[刊]/魏景生//绝缘材料通讯.—2000,(1).—33～34(C)     

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Y98-61478 99056321997年 IEEE 电绝缘和介电现象会议录,卷1=1997IEEE conference on electrical insulation and dielectricphenomena,Vol.1[会,英]/IEEE Dielectrics and Elec-trical Insulation Society.—IEEE,1997.—365P.(V)由 IEEE 介质和电绝缘协会举办的1997电绝缘和介电现象会议于该年的10月19日至22日在美国明尼苏达州的明尼阿波利斯召开。会议录共分两卷,本书为第1卷,收录论文86篇,内容主要涉及空间电荷,电介质极化,固体介质,测量技术,电缆,成树,室外绝缘等方面。     

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0210287压电材料电荷能量回收技术研究〔刊〕/孙亚飞//压电与声光.-2002,24(1).-71～74(L) 0210288空间分布压电驱动的多自由度徽定位新方法〔刊〕/秦岚//压电与声光.-2002,24(1).-68～70,80(L)     

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Y2000-62474-801 0101828逻辑嵌入 FeRAM 用的具有 SiO_2/SiON/SiO_2堆积膜的氢势叠夹层介质=A hydrogen barrier interlayer dielec-tric with SiO_2/SiON/SiO_2 stacked film for logic-embed-ded FeRAMs[会,英]/Nakura,T.& Mori.H.//1999IEEE InternationaI Electron Devices Meeting.—801～804(PC)0101829抗电击穿装置的容量问题[刊]/王阿春//测控技术.—2000,19(11).—36～38(E)     

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Y98-61452-1 9914782绝缘体中的电荷迁移和捕获:表面效应和体效应=Charge motion and trappling in insulators:surface andbulk effects[会,英]/Wintle,H.J.//1998 IEEE Inter-national Symposium on Electrical Insulation.Vol.1.—1～11(AG)流人和流在绝缘体表面上的电子电流很小,但在应用中它们也许很重要并且能表明载流子迁移的机     

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Y2000-62022-890 0100046耐火自然酯类介电液及其使用的新绝缘系统=Fircresistant natural ester dielectric fluid and novel insulationsystem for its use[会,英]/McShane,C.P.& Gauger,G.A.//1999 IEEE Transmission and Distribution Con-ference,Vol.2.—890～894(PC)     

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Y98-61383-195 9904249声表面波用的高质量 ZnO 薄膜的外延生长和特征描述=Epitaxial growth and characterization of high qualityZnO films for surface acoustic wave applications[会,英]/     

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Y2000-62040-928 0019785特性化1(含3篇文章)=Session TC4:characterization I[会,英]//Proceedings of 16th IEEE Instrumentationand Measurement Technology Conference.Vol.2.-928～945(F)本部分收录3篇文章。题目是:用于轨道运行、运载器和其他条件中多种重力环境估计的比较工具,受伤元件近场特性化用的测量基准,绝缘材料的介电常数横断成象特性化和部分放电现象之间的关系。     

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IELDVD060:9322:29630-1 0600132 高k门电路电介质的机遇与挑战=Opportunities and challenges for high-k gate dielectrics[会,英]／Ma,T． P．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．-1-4(A) Some key issues related to the development of high-k dielectric technology,including gate stack processing, formation of interfacial layers,EOT(equivalent oxide     

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Y2000-62088-1755 000902760GHz 时低损耗材料介电常数和损耗角正切测量用的新型开式谐振器技术=A new open-resonator techniqueat 60GHz for permittivity and loss-tangent measurementof low-loss meterials[会,英]/Afsar,M.N.& Ding,     

绝缘与介电材料

Y99-61799-341 0007249利用各向同性腐蚀(111)定向硅制成的微波用介质膜=Dielectric membrances manufactured by isotropic etch-     

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Y2000-62027-47 0005365各种电介质(1)(收录论文8篇)=Dielectrics I[会,英]//1999 IEEE International Reliability Physics Sym-posium.—47～98(UC)收入本部分的论文题目有:栅氧化层可靠性的统一模型,薄栅氧化层击穿用的与电场有关的临界浮获密度,超薄氧化区精确可靠性预计的挑战,在甚低电场     

绝缘与介电材料

Y2002-63479-864 0327557应用不同传感器带宽对油浸渍绝缘部分放电测量的比较=Comparison of measured PDs in oil-impregnated in-sulation using different sensor bandwidths(会,英]/Ari-astina,W.G.＆Blackburn,T.R.//2001 IEEE Pro-ceedings of International Symposium on Electrical Insu-lating Materials.—864-867     

蜂窝材料介电参数的测试

介绍了蜂窝材料的测试方法—波导法和自由空间法 ,比较了这两种方法的测试结果 ,两者符合较好     

介电材料温频特性测控系统

介绍了线性升温法测量介电材料及片元件试样阻抗，温度频率特性测控系统的硬件构成，模型预测法实现线性控温的计算机测控软件原理计算式软件框图及测控结果曲线。