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正罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。 相似文献
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<正> 一、二极管电路等效理解方法分析二极管电路时也需要进行等效理解,当二极管导通和截止时,都可以等效成一个电阻,这样对二极管电路工作原理的理解比较方便。1.二极管导通时等效理解方法二极管导通时,为了电路分析的方便,将二极管等效成一只阻值很小的电阻,如图1所示,有时可以将导通的二极 相似文献
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硅二极管导通时的正向压降通常约为0.7V。为了减小二极管产生的不必要的功耗,有时希望二极管的正向压降最好是小于0.7V。本电路用一只运放和一只MOSFET来模拟二极管,在通过1A正向电流下,其正向压降只有0.04V,这个数 相似文献
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碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。 相似文献
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《电子与电脑》2004,(12)
功率管理厂商国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列针对 AC-DC 同步整流和 ORing 电路的新型 75V 和 100V HEXFETMOSFET。这款新推出的 MOSFET具有极低的导通电阻(例如,100V产品IRFB4310的导通电阻为7毫欧,75V产品IRFB3207的导通电阻为4.5毫欧),对便携式 / LCD 适配器和服务器AC-DC SMPS等应用来说,有助于提升效率和功率密度。新组件适用于很多不同 AC-DC 拓扑技术的次级部份,包括回扫、半桥、全桥和正向转换器。传统上,通常以肖特基二极管用作高功率 SMPS的输出整流组件,但假如以同步整流 MO… 相似文献
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Martin Tomasz 《电子设计技术》2012,19(1):50
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路(图1)。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。本电路可在压降低至0.8V时提供有源整流。 相似文献