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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
正罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。  相似文献   

2.
沟槽型MOSFET的发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSOMOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。  相似文献   

3.
Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET+肖特基二极管SiB800EDK,该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出,意味着Vishoy将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。  相似文献   

4.
胡斌 《电子世界》2010,(5):25-26
<正> 一、二极管电路等效理解方法分析二极管电路时也需要进行等效理解,当二极管导通和截止时,都可以等效成一个电阻,这样对二极管电路工作原理的理解比较方便。1.二极管导通时等效理解方法二极管导通时,为了电路分析的方便,将二极管等效成一只阻值很小的电阻,如图1所示,有时可以将导通的二极  相似文献   

5.
硅二极管导通时的正向压降通常约为0.7V。为了减小二极管产生的不必要的功耗,有时希望二极管的正向压降最好是小于0.7V。本电路用一只运放和一只MOSFET来模拟二极管,在通过1A正向电流下,其正向压降只有0.04V,这个数  相似文献   

6.
碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。  相似文献   

7.
功率管理厂商国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列针对 AC-DC 同步整流和 ORing 电路的新型 75V 和 100V HEXFETMOSFET。这款新推出的 MOSFET具有极低的导通电阻(例如,100V产品IRFB4310的导通电阻为7毫欧,75V产品IRFB3207的导通电阻为4.5毫欧),对便携式 / LCD 适配器和服务器AC-DC SMPS等应用来说,有助于提升效率和功率密度。新组件适用于很多不同 AC-DC 拓扑技术的次级部份,包括回扫、半桥、全桥和正向转换器。传统上,通常以肖特基二极管用作高功率 SMPS的输出整流组件,但假如以同步整流 MO…  相似文献   

8.
Linear Technology公司低损耗PowerPath控制器器件--LTC4412可控制一个外部P沟道MOSFET来为电源切换或负载均衡,提供理想的二极管功能。与肖特基二极管的指数曲线相比,导通时MOSFET上的电压降低至10mV。  相似文献   

9.
《中国集成电路》2005,(3):23-23
国际整流器公司(IR)日前发布了一组电压为75V和100V.专用于AC—DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备业界前所未有的超低导通电阻.能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC—DCSMPS的效率和功率密度。这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC—DC拓扑架构的次边。传统上,在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。  相似文献   

10.
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路(图1)。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。本电路可在压降低至0.8V时提供有源整流。  相似文献   

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