半导体激光器端面剩余模式反射率测量结果的分析

本文分析了单色仪出射狭缝宽度对半导体激光器镀膜端面反射率测量的影响,理论预言了调制度和反射率的测量值以及测量谱中波峰和波谷的位置随缝宽周期性变化的规律。实验结果证实了理论预测的正确性。     

端面反射率对半导体激光器单模工作性能的影响

本文利用半导体激光器多模速率方程组的隐式解析解，从理论上了端面反射率对半导体激光器单模工作性能的影响，结果表明，在相同的输出功率下，端面反射率越低，单模工作性能越差，与Ｅｔｔｅｎｂｅｒｇ等人通过实验研究所得的结论相同。     

半导体光放大器端面镀膜的实验与研究

在中心波长为1 310 nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率＜10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹＜0.5 dB的半导体光放大器.     

分析半导体激光器端面单层减反射膜的有效性

图解辅以计算研究了镀制减反射膜的半导体激光器镀膜面的有效反射。由于减反膜自身反射率曲线的波长依赖性和谱线宽度的有限性,故一般情况下镀膜面的实际反射率比减反膜自身的最低反射率高。针对这种情况,我们进一步讨论了如何通过选择最低反射率所处的波长来提高减反射膜的有效性。     

减反膜制备工艺及其应用

减反膜在现代光学薄膜生产中占有十分重要的地位,其研究依赖于制备工艺。本文结合近几年来国内外研究现状,叙述了几种不同的减反膜制备方法,分析了各种制备方法的工艺特点以及各自的优缺点,如真空蒸镀法、溅射镀法、溶胶一凝胶法等。并提出了相应的改进方法,分析了这些工艺在减反膜制备中的应用前景,为减反膜的制备提供了参考。     

用于高功率二氧化碳激光器的砷化镓及硒化锌窗口和透镜的减反膜

本文报道一类用于高功率ＣＯ２激光器的ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ窗口及透镜的双层减反射膜系。与传统的四分之一波长厚度的膜系相比，它具有吸收小，减反带宽，易于制备等优点。     

光纤端面反射率对光纤光栅外腔半导体激光器的输出影响

为了实现光纤光栅外腔半导体激光器良好的单纵模输出,通过加入空气间隙区改进了基于射线法的光纤光栅外腔半导体激光器理论模型,并结合稳态速率方程研究了小注入情况下,光纤端面反射率对激光器输出特性的影响。仿真结果表明,在光纤端面反射率与光栅反射率可比拟的情况下,减小光纤端面反射率,可增大主模与其他波长模式的损耗差异,加强光纤光栅的选模作用,更好的实现单纵模输出,但同时也会增大激光器的阈值电流。     

太阳能电池金字塔结构减反膜仿真设计

本文对太阳能电池金字塔结构减反膜进行了仿真设计,分析比较了裸硅金字塔型结构以及金字塔加单层氮化硅薄膜结构下,通过改变结构的重要参数来研究反射率变化的规律。     

关于蓝宝石减反膜的研究

介绍了蓝宝石(AL2O3)在中红外波段的减反膜的设计制作方法.     

具有AlN膜的半导体激光器的实验研究

本文报道使用溅射AlN膜做半导体激光器端面反射膜和表面纯化膜的实验研究结果。测量结果表明,使用溅射AlN膜做表面纯化膜的半导体激光器性能良好。     

单层膜对超短脉冲的减反效果分析

利用多光束干涉方法分析了超短光脉冲通过单层介质膜的情况,研究了半导体激光器端面镀制的单层减反射膜中的电场变化,透过减反膜电场的时间特性,以及脉冲的能量反射率。     

一种适合于大量制备行波SOA增透膜新技术

提出了一种适合于批量制备SOA减反膜的实时监控技术。监控系统简单,操作方便,可以应用于国产镀膜机。由此技术批量制备SOA,腔面剩余反射均接近10-4。     

脉冲激光LGA法钛表面氮化及其XRD和SEM微观分析

用调Ｑ－ＹＡＧ和ＸｅＣｌ脉冲激光在钛表面以激光气体合金化方法生成氮化钛层，用Ｘ射线衍射仪分析了不同激光能量、不同Ｎ２气压不同作用脉冲数等条件下ＴｉＮ的结晶取向、结晶形态、氮化程度，用扫描电镜观察了它们的微观结构，对脉冲激光的ＬＧＡ法机理进行了探讨，也发现了用ＬＧＡ法对Ｍｏ的氮化生成Ｍｏ２Ｎ．