液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布．     

（Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布

根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜纵向组分分布的影响．     

Hg_（1－x）Cd_xTe液相外延薄膜的光致发光

用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的     

Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的光致发光

用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光，当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的。     

（Hg,Cd）Te薄膜的LPE生长条件与纵向组分分布

根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相色延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温国速度及过度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）液相外延薄膜纵向组分分布的影响。     

红外探测器材料和HgCdTe材料的发展现状

简要介绍了主要的红外探测器材料,包括半导体光电探测器材料,热释电材料和热敏电阻材料,回顾了ＨｇＣｄＴｅ材料的发展历史和现状,液相外延,分子束外延和金属有机物汽相外延是目前生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的３种主要技术,作者认为,薄膜材料是今后红外探测器材料的主要研究课题。     

HgCdTe光导探测器的磁阻特性

测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好．     

分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究

本文报道在晶格失配ＧａＡｓ衬底上分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度研究结果．用位错腐蚀坑密度（ＥＰＤ）、Ｘ射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法,对ＣｄＴｅ缓冲层以及ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析．研究发现退火可以有效地降低ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度．     

Hg1—xCdxTe液相外延层室温红外透射谱分析

首次系统，深入地探讨了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延层的界面结构，组分分布对其室温红外透射谱谱顶和吸收边的影响，详细分析了“假生长”的特征，形成机理及严重危害。     

HgCdTe／CdZnTe晶格失配与X光衍射貌相的关系研究

文章采用富Te水平推舟液相外延工艺在CdZnTe衬底上生长了HgCdTe外延薄膜。研究了外延薄膜／衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系。对于HgCdTe外延层的X光衍射貌相我们将其大致分为五类，分别是Crosshatch貌相、混合貌相、均匀背景貌相、Mosaic貌相以及由衬底质量问题引起的沟壑状貌相，采用Crosshatch貌相和混合貌相材料所制备的红外焦平面器件，平均来说其探测率（D^＊）较高。X射线双轴衍射的实验结果表明，当外延层与衬底的晶格失配度为～0．03％时，外延层会呈现明显的Crosshatch貌相；而当失配度减小时，会逐渐呈现出混合貌相、均匀背景貌相、直至失配度为负值时呈现Mosaic貌相。因此，对于特定截止波长的HgCdTe焦平面器件，可以通过控制HgCdTe／CdZnTe之间的失配，生长出符合我们要求的貌相的碲镉汞外延材料，从而来提高焦平面器件的性能。     

HgCdTe／CdZnTe晶格失配与X光衍射貌相的关系研究

文章采用富Te水平推舟液相外延工艺在CdZnTe衬底上生长了HgCdTe外延薄膜。研究了外延薄膜／衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系。对于HgCdTe外延层的X光衍射貌相我们将其大致分为五类，分别是Crosshatch貌相、混合貌相、均匀背景貌相、Mosaic貌相以及由衬底质量问题引起的沟壑状貌相，采用Crosshatch貌相和混合貌相材料所制备的红外焦平面器件，平均来说其探测率(D*)较高。X射线双轴衍射的实验结果表明，当外延层与衬底的晶格失配度为～0.03％时，外延层会呈现明显的Crosshatch貌相；而当失配度减小时，会逐渐呈现出混合貌相、均匀背景貌相、直至失配度为负值时呈现Mosaic貌相。因此，对于特定截止波长的HgCdTe焦平面器件，可以通过控制HgCdTe／CdZnTe之间的失配，生长出符合我们要求的貌相的碲镉汞外延材料，从而来提高焦平面器件的性能。     

HgCdTe分子束外延的初步研究

ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的初步研究何先忠，陈世达，林立（华北光电技术研究所北京１０００１５）ＨｇＣｄＴｅ单晶薄膜材料是下一代红外焦平面器件的首选材料。本文作者报道了在（２１１）ＢＧａＡｓ衬底上成功地外延生长出高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。得到了组分为０．...     

焦平面列阵的智能加工：用于（Hg,Cd）Te液相外延的传感器及控制技术

在生长用于焦平面阵列的高质量（Ｈｇ,Ｃｄ）Ｔｅ薄膜方面,液相外延（ＬＰＥ）是优选用的技术,在生产环境中成功执行这一流程需要研究先进的传感器和流程控制技术,这样可以提高产量,降低成本,本文将评论得克萨斯仪器公司的智能处理焦平面列阵计划所取得的进展,（Ｈｇ,Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜是在（１１１）Ｂ取向的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｔｅ衬底上生长的,衬底放在盛有大量（４５００ｇ）碲镉汞溶液的垂直浸渍反应器中,在一个生长     

HgCdTe组分异质结的生长与表征

采用富碲水平推舟液相外延生长方式,在(111)晶向的碲锌镉衬底上生长了双层组分异质HgCdTe外延薄膜,并对生长后的薄膜质量进行了评价.使用染色法和红外透射光谱数值拟合的方法,对两层薄膜的厚度进行了表征,并建立了一个双层薄膜纵向组分分布模型;对材料的电学参数进行测量的结果显示,双层异质液相外延样品中长波层的载流子迁移率较之单层液相外延样品略高,原因可能是中波覆盖层对长波外延层起到了钝化作用.     

HgCdTe组分异质结的生长与表征

采用富碲水平推舟液相外延生长方式,在(111)晶向的碲锌镉衬底上生长了双层组分异质HgCdTe外延薄膜,并对生长后的薄膜质量进行了评价.使用染色法和红外透射光谱数值拟合的方法,对两层薄膜的厚度进行了表征,并建立了一个双层薄膜纵向组分分布模型;对材料的电学参数进行测量的结果显示,双层异质液相外延样品中长波层的载流子迁移率较之单层液相外延样品略高,原因可能是中波覆盖层对长波外延层起到了钝化作用.     

分子束外延碲镉汞薄中VODI缺陷的研究

ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｖｏｉｄ缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｖｏｉｄ缺陷进行了 形貌，剖面观测和能谱分析。     

碲镉汞薄膜材料

研制ＨｇＣｄＴｅ焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的ＨｇＣｄＴｅ材料。用ＬＰＥ、ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ外延生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。ＬＰＥ是目前研制ＨｇＣｄＴｅ光伏列阵主要材料，用双层掺杂生长的ｐ－ｎ异质结得到当前最高的Ｒ＿０Ａ值。ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ外延膜近期有了较大的进展，除了在硅衬底上ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ仍在研究之外，其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜，高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。     

金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的进展

回顾了金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的发展历程，简要叙述了ＭＯＶＰＥＨｇＣｄＴｅ薄膜的三种主要技术，与ＨｇＣｄＴｅ晶格匹配和失配的衬底材料，各种金属有机物源和掺杂研究的新近进展。还介绍了ＭＯＶＰＥ－ＨｇＣｄＴｅ薄膜和探测器目前达到的水平。大量结果已经表明，ＭＯＶＰＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜的质量适合于制造高质量的光伏型探测器，ＭＯＶＰＥ是一种原位生长先进的ＨｇＣｄＴｅ红外焦平面列阵既实用又富生命力     

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较     

HgCdTe/CdZnTe晶格失配与X光衍射貌相的关系研究

文章采用富Te水平推舟液相外延工艺在CdZnTe衬底上生长了HgCdTe外延薄膜.研究了外延薄膜/衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系.对于HgCdTe外延层的X光衍射貌相我们将其大致分为五类,分别是Crosshatch貌相、混合貌相、均匀背景貌相、Mosaic貌相以及由衬底质量问题引起的沟壑状貌相,采用Crosshatch貌相和混合貌相材料所制备的红外焦平面器件,平均来说其探测率(D*)较高.X射线双轴衍射的实验结果表明,当外延层与衬底的晶格失配度为～0.03%时,外延层会呈现明显的Crosshatch貌相;而当失配度减小时,会逐渐呈现出混合貌相、均匀背景貌相、直至失配度为负值时呈现Mosaic貌相.因此,对于特定截止波长的HgCdTe焦平面器件,可以通过控制HgCdTe/CdZnTe之间的失配,生长出符合我们要求的貌相的碲镉汞外延材料,从而来提高焦平面器件的性能.