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基于Giles模型,对L波段掺Er光纤放大器(EDFA)的特性进行了数值模拟,分析了采用高掺杂Er纤放大器输出性能的改善。根据数值分析的结果进行了优化设计,使用9m长的高掺杂Er光纤进行了实验研究。实验结果表明.在泵浦功率为100mw时,小信号增益在10dB以上,噪声指数小于6dB。 相似文献
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有关L波段EDFA的模型及其解法 总被引:1,自引:0,他引:1
通过Giles C R的EDFA数学模型,经过一系列的变换和近似得到一组光场强度与)曼转离子数浓度之间的带边界条件的偏微分方程。我们通过特定的数值方法解此方程组得到L波段EDFA的相关特性。 相似文献
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通过Giles C R的EDFA数学模型,经过一系列的变换和近似得到一组光场强度与反转离子数浓度之间的带边界条件的偏微分方程。我们通过特定的数值方法解此方程组得到L波段EDFA的相关特性。 相似文献
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文章介绍了L波段掺铒光纤放大器(EDFA)的理论模型,并根据L波段EDFA的实验结果对理论模型进行了验证,实验结果和理论分析相吻合. 相似文献
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EDFA实用化研究与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
胡台光 《光纤与电缆及其应用技术》1997,(6):37-42
本文介绍EDFA实用化研究及其在实际光通信工程中的应用,引用两个应用实例,证明国产的EDFA已真正达到了实用化,能满足实际工程应用要求。 相似文献
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目前一些长距离光纤干线承载信号速率达50-100Gbit/s,许多网络每年的通信量增长达30%-150%,虽然EDFA和DWDM技术能够满足现行网络的设计要求,但为获得更宽的波带或特别需求的不同波带,系统运营商正逐步趋向于L波段窗口传输的光学器件,L波段EDFA这种新一代的掺铒光纤放大器有助于开发利用已铺设光纤,降低光线性失真及系统成本。 相似文献
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对级连结构的L波段EDFA进行了优化设计.首先用加拿大Optiwave的OptiAmplifier4.0数值模拟了在其他条件确定情况下两级光纤长度比例变化对放大器性能的影响,在优化光纤长度比例的基础上,为了得到更宽的L-EDFA的本征平坦增益谱,进一步优化了前后级泵浦功率.在上述条件下利用42 m的铒纤得到实验结果为:ASE谱3 dB带宽1566.84~1606.80 nm(40 nm).在L波段(1570~1605 nm),小信号平均增益约为25 dB,增益不平坦度为±1 dB,噪声指数约为5 dB. 相似文献
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宽带掺铒光纤放大器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
由于光通信系统对带宽的需求不断提高,掺铒光纤放大器(EDFA)C波段已经不能满足WDM系统对带宽的需求,为此有必要开发EDFA中L波段的带宽资源。文章分析总结了国外报道的各种提高L波段增益使其达到可实用阶段的方法,为未来WDM系统提供一种宽带EDFA。 相似文献
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研究C—band种籽光对L—band EDFA泵浦转换效率的影响,实验表明,在L—band EDFA中注入C—band种籽光时,可以有效提高泵浦转换效率。 相似文献
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熊英 《光纤与电缆及其应用技术》2012,(1):1-3,17
对三阶孤子传输特性进行了数值研究,研究表明:三阶孤子在无增益光纤中传输时,脉冲会发生分裂、重合的周期性变化;在EDFA中传输时会有一次分裂和重合发生,之后分裂的两脉冲将不再重合,且产生新的子脉冲,子脉冲将会继续分裂、重合的传输下去;在三阶色散的影响下,孤子脉冲也会有一次分裂和重合,之后左边延迟脉冲会发生分裂,并产生小子脉冲;当对三阶孤子引入初始啁啾后,三阶色散引起的小子脉冲将不会产生。 相似文献
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C波段和980 nm抽运的两段级联L波段掺铒光纤放大器 总被引:2,自引:3,他引:2
提出了由C波段和传统的 980nmLD两段级联抽运L波段信号的结构 ,C波段的功率和波长由掺铒光纤激光器控制。从实验和理论上分析了注入不同波长和功率的C波段对其增益的影响。设计的掺铒光纤放大器(EDFA)结构 ,在C波段波长为 15 2 5nm ,注入功率为 5mW时 ,功率为 - 2 0dBm ,波长为 15 80nm的信号增益提高了 7 7dB。 相似文献
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This paper presents an unified comprehensive model for the analysis of the spectral properties of Fabry-Pérot laser diodes and conventional semiconductor optical amplifiers. We develop the model by considering the wide-band amplified spontaneous emission fields and the input optical signal fields in a general frame. Specifically, this paper discusses theoretical aspects of the model in details, which are based upon the spectra of material gain and spontaneous emission power,nonlinear gain suppression, and longitudinal spatial hole burning. This paper also presents simulation results of the model for the case of conventional semiconductor optical amplifier and the case of Fabry-Pérot laser diode to demonstrate its capabilities. 相似文献