单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。     

PTC陶瓷欧姆接触银电极的研究

影响银电极欧姆接触的主要因素是:电极浆料的组成和形成过程。通过实验,获得了接触电阻小,表面光洁,附着力和焊接能力均好的欧姆接触银电极。探讨了PTC陶瓷欧姆接触电极材料的评价方法,认为采用接触电阻比ρ_c/ρ_0作为比较参数较为合适。     

GaP欧姆接触

本文用测定接触电阻率ρ_c和形貌分析等方法比较分析了N-GaP/AuGeNi、Ni+AuGeNi、AuSb+AuGeNi+Ni、P-GaP/Auzn以及AuSb+AuZn等合金的接触特性,实验发现适量Sb的引入不但可使最佳合金化温度降低100℃左右,而且也使接触电阻率ρ_c值明显降低,使接触特性得到改善。     

金属-半导体欧姆接触的接触电阻率

<正> 金属-半导体的欧姆接触无论在半导体的器件制造还是半导体物理和材料的性能研究方面都是极其重要的.接触性能的好坏直接影响着器件的质量和材料、物理的研究.接触电阻率ρ_c是标志金属-半导体欧姆接触优劣的一个重要参量.线形传输线模型是测量ρ_c的常用方法之一,对于绝缘衬底上的薄半导体层(例如高阻层上外延、扩散、离子注入     

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。     

Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究

研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下在合金化退火过程中形成的高载流子浓度层间的比接触电阻,ρC2则由高载流子浓度层与原来SiC有源层之间载流子浓度差形成的势垒引入。该模型较好地解释了n型SiC欧姆接触的实验结果,并从衬底的掺杂水平、接触金属的选择、合金化退火的温度、时间、氛围等方面给出了工艺条件的改进建议。     

低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触

实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧姆接触,室温下比接触电阻率ρc为2.25×10-3 Ω·m2(ρc由圆形传输线模型CTLM测得),随着合金温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2.07×10-4 Ω·m2.采用X射线衍射(XRD)确定金属/n-SiC界面反应时形成的相,以分析电学性质与微观结构间的联系.最后讨论了低温欧姆接触的形成机制.     

平面型器件欧姆接触的衡量——圆形传输线模型外推法

本文提出一个衡量平面型器件欧姆接触的新方法——圆形传输线模型外推法.样品无需台面绝缘,只须一次合金化即能完成测试结构图形.用圆形传输线模型导出了测量接触电阻率ρ_c的表达式,以硅和砷化镓两种半导体材料进行验证,与线性传输线模型的结果一致.讨论了接触电极之下与接触电极之外薄层电阻差异的影响.     

Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究

用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5Ω·cm2,这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大。     

网络法测量光电导欧姆接触电阻的技术与分析

给出了高电阻率光电导体在受力情况下欧姆接触咀阻的测量技术。分别不用 Si(ρ≈3×10~4Ω·cm)及 Cr:GaAs(ρ≈10~8Ω·cm)晶体测量其铟(In)欧姆接触电阻值,并对该方法测量精度进行了分析。     

NiIn（Ge）／n—GaAs欧姆接触的研究

本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单昌欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料，其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度着典型的Ｕ型依赖关系。透射电子显微镜及俄歇电子能谱的分析结果指出ρｃ值的大小很大程序取决于ＧａＡｓ衬底与金属接触材料间ＩｎＧａＡｓ相的形成及其覆盖度。     

高功率半导体激光器的欧姆接触

欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值电流，提高量子效率和延长寿命。为此，在进行了大量的实验后，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６Ω的最低电阻。     

氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理

用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与p-GaN的接触,使ρc显著升高.     

氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理

用卢瑟福背散射（RBS）和同步辐射X射线衍射（XRD）研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化，并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制．研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化，发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用．在500℃时，Au的外延结构进一步改善，O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值．但当合金温度升高到600℃时，金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散，从而脱离与p-GaN的接触，使ρc显著升高．     

CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。     

金属—砷化镓研究

本文评述了金属－半导体接触的各种机理以及这个接触在半导体技术中的实际应用。     

用挖补圆盘法检测金属与薄层,超薄半导体层的欧姆接触性能

在平面型器件和各种新型微电子器件中，金属与薄层，超薄半导体层的欧姆接触质量直接影响着器件的性能。本文提出了一种挖初圆盘法来检测它们的欧姆接触性能。由电势叠加原理导出了理论公式。此法样品制备简单，无需台面绝缘，由于接触结构的特点，自然免除了侧向电流聚集效应，从而提高了精度。若将接触结构稍加发展，则更为简捷实用。     

金属/碲镉汞接触研究的发展

介绍了金属/碲镉汞(Hg_1-xCd_xTe,MCT)接触研究的发展状况,包括基本概念、生长结构、化学活性以及电学性能。金属/MCT接触有两类:一类是电子（欧姆）接触,另一类是整流（Shottky）接触。欧姆接触是MCT红外探测器的一个重要组成部分,它决定了器件的性能和可靠性。欧姆接触的电阻小,与MCT黏附性好,并且在热循环条件下可保持性能稳定。由于需要具有较大功函数的接触金属,p型MCT很难实现,而n型MCT则可以用很多金属实现。     

具有热稳定性的Ge／Ni／TiWN／Au与n—GaAs接触性能的研究

采用Ｇｅ／Ｎｉ／ＴｉＷＮ／Ａｕ多层金属化结构与ｎ－ＧａＡｓ的固－固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经６００℃热处理或获得７．３×１０＾－＾７Ω．ｃｍ的最小接触电阻率，俄歇能谱分析表明ＴｉＷＮ与Ａｕ之间，以及它们与ＧａＡｓ界面之间的互扩散较小，具有良好的热稳定性。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。