多晶硅压阻式压力传感器

本文叙述一种新型的压力传感器——多晶硅压阻式压力传感器。这种传感器以单晶硅为衬底材料,多晶硅电阻条构成惠斯通桥路,二者之间用介质隔离。器件的背面通过对单晶硅的腐蚀制成应力腔。与单晶硅器件相比,这种器件最突出的优点是不用pn结隔离,因而可把工作温限由130℃提高到200℃。通过对多晶硅生长条件及掺杂的控制,可望得到温度系数近似为零的器件。初步实验证明,多晶硅压阻式压力传感器很有应用前景。     

压阻式金刚石微压力传感器

工业上的某些场合要求压力传感器能够在高温、高辐射以及恶劣的环境下正常工作。金刚石的某些特殊性质（如化学上的惰性、高的杨低模量）以及极大的压阻效应使其成为制作压阻型压力传感器的极佳材料。对利用多晶金刚石薄膜制造的新型高温、高灵敏度压阻型金刚石微压力传感器的原理、结构及其制造技术作了详细介绍。这种传感器适用于勘探、航空航天以及汽车工业。此外,还阐述了金刚石微压力传感器的研究现状,并进一步目前存在的问题。     

微型压阻式压力传感器的研制

用微机械加工技术开发出一种微型主杯压阻式压力传感器，文中介绍了微型压力传感器的设计思想和研制工艺中的关键技术，并给出了该传感器的参数。测试结果表明该传感器的主要性能已达到国内先进水平。     

压阻式柔性压力传感器的研究进展

随着智能化技术及物联网的不断发展,柔性压力传感器作为可穿戴电子设备和电子皮肤的核心器件,拥有了越来越广阔的市场。经过了十余年的发展,压阻式柔性压力传感器的相关研究已经从探究具有压敏效应的导电高分子复合材料发展到了对高性能传感器的制备研究。为了获得高性能的柔性压力传感器,研究者们在传感器的材料、结构及器件设计等方面进行一系列的创新型研究工作。目前已经研制出了一些基于新型材料与结构的高性能、低成本的柔性压力传感器,并且在可穿戴传感器、电子皮肤等应用领域已经获得了一定程度的发展。本文综述了近年来压阻式柔性压力传感器在材料、结构及应用方向的创新及发展,并对该类传感器的发展进行了展望。     

微型压阻式压力传感器的研制

用微机械加工技术开发出一种微型方杯压阻式压力传感器。文中介绍了微型压力传感器的设计思想和研制工艺中的关键技术，并给出了该传感器的参数。测试结果表明该传感器的主要性能已达到国内先进水平。     

硅压阻式压力传感器时漂研究

压力传感器的时漂普遍存在,一直找不到有效的方法来解决。针对因参数退化引起的时漂,采用加速老化试验,得到了压力传感器的失效模式及失效比例。分析了输入／输出特性曲线形状及其随时间和温度的变化规律。提出一种用标准压力对传感器进行实时标定进而获得实时输入／输出特性的方法,标定的实现由程序控制。经验证对比,实时输入／输出特性达到很高的精确度。在0～45kPa压力范围、-10～45℃温度范围内,根据其计算的压力值与实际压力比较,最大偏差为0．098kPa,最大相对误差0．92％。     

压阻式压力传感器信号噪声比改进研究

通过介绍压阻式压力传感器工作原理,分析噪声的主要起源,提出了针对不同噪声源(电噪声和外界电荷引起的非本征噪声)的解决措施,为将来针对高SNR的压力传感器设计提供参考依据。     

基于磨砂玻璃压印的压阻式柔性压力传感器

柔性压阻传感器结构简单、电阻变化范围宽、灵敏度高,在电子皮肤和医疗健康检测等领域受到广泛的关注和研究.使用不同目数的磨砂玻璃作为模具制备了具有微结构的多壁碳纳米管(MWCNT)/聚二甲基硅氧烷(PDMS)导电复合材料,并实现了微结构柔性压阻传感器.研究表明,目数最小(微结构尺寸为125 μm)的磨砂玻璃制备的传感器具有...     

压阻式MEMS压力传感器的原理与分析

介绍了一种压阻式MEMS压力传感器的工作原理,该装置由玻璃支座、单晶硅衬底及PZT薄膜构成,压阻薄膜连接组成惠斯登电桥,以取得更高的电压灵敏度和低温度敏感性.使用有限元分析软件ANSYS对单晶硅衬底的轴对称模型进行了仿真分析,以达到优化设计的目的.     

压阻式MEMS压力传感器的原理与分析

本文介绍了一种压阻式MEMS压力传感器的工作原理,该装置由玻璃支座、单晶硅衬底及PZT薄膜构成,压阻薄膜连接组成惠斯登电桥,以取得更高的电压灵敏度和低温度敏感性。使用有限元分析软件ANSYS对单晶硅衬底的轴对称模型进行了仿真分析,以达到优化设计的目的。     

基于SOI的MEMS高温压阻式压力传感器

基于高温环境下压力实时监测的广泛需求,设计并制备了一种最大量程为1.5 MPa的绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器.根据压阻效应原理和薄板变形理论,完成了传感器力学结构和电学性能的设计,采用微电子机械系统(MEMS)加工工艺完成了敏感芯片的制备,并使用了一种可耐300℃高温的封装技术.实验中采用了常温压力测试平台和压...     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标.结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析.同时分析了它们对零点温漂的影响.最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率.     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理，并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后，给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

压阻式金刚石压力微传感器的制作与测试

由于金刚石薄膜具有优良的高温压阻特性，适合于制作高温压力传感器。在Φ50mm(100)硅单晶衬底上用热丝CVD法生长本征多晶金刚石薄膜作为绝缘隔离层，通过掩模选择性生长法得到掺硼金刚石薄膜电阻条，再经金属化处理和腐蚀硅压力腔，得到了压阻式金刚石压力微传感器的原型器件。对该器件的压力输出特性测量表明，输出电压一压力曲线线性较好，重复性好．常温下灵敏度高。     

一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器

提出采用SiC材料来构造特殊环境下使用的MEMS压阻式高温压力传感器。分析了国际上特种高温压力传感器发展的主流趋势和技术途径,根据该领域应用需求、SiC材料特点和成本的多方权衡,开发了压阻式SiC高温压力传感器。通过理论模型结合ANSYS软件进行敏感结构的仿真和设计,解决了SiC压力传感器加工工艺中材料刻蚀、耐高温金属化、敏感电阻制备等关键技术难点,最终加工形成SiC高温压力传感器芯片。经过高温带电测试,加工的SiC压力传感器能够在550℃的环境温度下、700 kPa压力范围内输出压力敏感信号,传感器非线性指标达到1.054%,芯片灵敏度为0.005 03 mV/kPa/V,证明了整套技术的有效性。     

硅压阻式压力传感器温度补偿建模与算法研究

微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高,使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性,而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移.针对硅压阻式压力传感器这一“弱点“,介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿.该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产.     

硅压阻式压力传感器温度补偿建模与算法研究

微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高,使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性,而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移。针对硅压阻式压力传感器这一"弱点",介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿。该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产。