纳米线的电沉积模板法合成

本文论述了阳极氧化铝模板的制备方法和以其为模板利用电沉积技术制备纳米线的合成路线。介绍了我们在实验室采用此种路线合成的两种纳米线。     

分枝铜纳米线的近红外偏光特性

利用2次阳极氧化法制备了具有分枝结构的多孔铝模板,并在该模板中合成了Cu纳米线.多孔铝模板的上下表面和复合结构的侧面SEM形貌表明,我们制备出了具有分枝结构的多孔铝模板以及Y形分枝状Cu纳米线.测量了样品的透射光谱和偏振光谱,试验发现,具有分枝结构的多孔铝模板在近红外光区的透射率达到了90%,可以作为近红外偏振器件的模板;含Y形分枝状Cu纳米线结构多孔铝膜在近红外光区具有较高的透射率和较好的偏振性能,本试验中得到了15～18 dB的消光比以及0.1～0.3 dB的低插入损耗.     

一种纳米孔洞阵列金膜制备方法

以多孔阳极氧化铝膜(anodic aluminum oxide,AAO)为模板,用磁控溅射的方法制备纳米孔洞阵列金膜,SEM结果表明,制备得到的纳米孔洞阵列金膜形貌与AAO模板形貌一致,孔洞阵列规则,孔径大小均匀。此方法适合于纳米孔洞阵列金膜的复制,为纳米线、量子点等纳米阵列材料的组装与合成提供新的条件。     

GaAs纳米线阵列光阴极的制备及其特性研究

采用改进的Stber法合成直径为500nm的SiO_2纳米球,用旋涂法将所合成的SiO_2纳米球制作掩模版,采用纳米球刻蚀法制备GaAs纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)、漫反射谱对其进行了表征分析,再对所制备出的GaAs纳米线阵列结构进行Cs-F交替激活实验,使其表面形成负电子亲和势光阴极,并对最终制备出的GaAs纳米线阵列光阴极样品进行量子效率测试,验证了GaAs纳米线阵列结构的量子效率比GaAs基片提高50%以上,从而证实了纳米线阵列结构的高光电转换效率。     

具有缓冲层的ZnO光阳极染料敏化太阳电池研究

摘要：采用乳液聚合技术合成聚苯乙烯微球（polystyrenespheres,简称PS）,利用浸提法,在透明的导电玻璃（SnO2：F,简称FTO）基底上制备PS胶晶阵列模板;然后,继续采用浸提法,将ZnO溶胶灌注于PS阵列模板上,煅烧后,制得多孔结构的ZnO缓冲层。采用水热法合成ZnO纳米线,并将其分别涂覆于干净的FTO基底和具有ZnO缓冲层的FTO基底,制成光阳极。利用X射线衍射仪（XRD）和环境扫描电子显微镜（SEM）,对光阳极光电转换材料进行结构和形貌表征分析。     

退火对多孔铝及其偏光性能的影响

采用真空退火技术将铝片在阳极氧化前进行处理,以减少其内部应力和缺陷.试验结果表明,采用这种铝片制备的多孔铝模板孔径更加均匀,改善了模板的结晶质量,将模板的透射率提高到97%以上;铝片退火使电镀组装的金属纳米线栅排列更加有序,使此结构的消光比提高到21 dB,改善了其近红外偏振性能.     

化学交换法制备硼化镍纳米线

为了寻找简单易操作的方法合成硼化镍纳米线,以氯化镍和硼氢化钠为原料,通过化学交换法进行制备,将反应后得到的产物用X射线衍射仪、透射电子显微镜及多功能表面分析仪等进行了表征。结果表明:反应产物为由Ni3B和Ni4B3组成的硼化镍纳米线,其平均直径为60 nm,长度可达到20μm;硼化镍纳米线粗细不均,并有少量团聚现象。     

铜纳米线透明导电膜的制备与性能

用水合肼还原硝酸铜溶液的方法,合成出高长径比的单晶铜纳米线,用X射线粉末衍射仪、扫描电镜、透射电镜等对产物进行了分析,研究了原料配比、水合肼加料方式等工艺因素对反应产物的影响;用孔径为0.45μm的注射式过滤膜滤出铜线并接触转移到透明商用手机贴膜表面制成铜纳米线膜,用紫外-可见光谱仪和四探针表面电阻仪分别测试其可见光透射率和表面电阻。结果表明:80℃时,制备的铜纳米线长度大于40μm,直径小于100 nm;铜纳米线膜的可见光透射率为50%,平均方块电阻为26Ω。     

研究人员提出金属陶瓷超材料薄膜制备新方法

<正>中国科学院宁波材料技术与工程研究所提出了一种金属陶瓷超材料薄膜制备新方法,该方法采用传统的射频共溅射沉积工艺,辅以衬底偏压,制备了定向排布Ag金属纳米线/氧化铝陶瓷复合超材料薄膜,纳米线间距(轴心到轴心)进入sub-5 nm区间,阵列中纳米线平均直径约为3 nm;纳米线长径比可根据沉积时间来灵活调整;利用PVD     

用湿化学法在石英玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列

运用湿化学法在石英玻璃衬底上制备了ZnO纳米线阵列,用SEM、XRD和分光光度计对其形貌、晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明:所制备的ZnO纳米线为六角纤锌矿结构,其直径为60～200nm,长度为0.1～3μm;ZnO纳米线的光致发光(PL)峰值为380nm,在波段为340～380nm时有很强的吸收峰,具有优越的紫外光响应特性;ZnO纳米线阵列具有高度取向性。     

SnO2纳米线的合成及应用动态

在分析比较SnO2纳米线各主要制备方法的基础上,首次以金属Sn为锡源,采用自蔓延高温合成一喷射法制备了SnO2纳米线,并进行了SEM、XRD、HRTEM表征。同时,综述了SnO2纳米线的气敏性能、场发射性能和光学性能的研究现状,介绍了SnO2纳米线的几种典型应用。     

外加电场条件下制备定向排列的硅纳米线

在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究。结果表明：定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列。同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米线。     

高碱性合成磺酸钙清净剂的研制

研究了以重烷基苯磺酸为原料制备高碱性合成磺酸钙清净剂的合成工艺，合成磺酸钙的中试研究考察了实验室合成工艺的可行性。在对影响中和反应和碳酸化反应的各类因素进行研究的基础上确定了工艺路线和条件，制备出总碱值大于295的产品，所得产品的理化指标、模拟评定结果都达到了国内外同类产品水平。为工业试验和工业生产提供了必要的依据。     

外加电场制备CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管

在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长。借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响。结果表明：外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生长;但是,低温区获得的CdS纳米带和纳米管没有任何方向性。     

以MCM-41分子筛为催化剂载体制备碳纳米管

通过比较水热法和室温法制得的MCM-41分子筛的不同性能, 选择适于催化合成碳纳米管的MCM-41的制备方法, 以MCM-41分子筛为催化剂载体用CVD法制备碳纳米管,并分析其所制备的碳纳米管的特点和生长机理。使用XRD、低温N2吸附、SEM、TEM等测试手段对MCM-41分子筛、催化剂材料及合成碳纳米管产物进行表征。结果表明,水热法合成的MCM-41分子筛较适合用来作为制备碳纳米管的催化剂载体,其介孔结构对碳纳米管的生长起到了一定的模板控制作用,所制备的碳纳米管具有管径小、尺寸单一等特点。     

ZnO纳米线的光致发光性及拉曼散射性能

利用物理热蒸发法通过控制载气流量和氧气流量制备出具有倒V字形尖端的ZnO纳米线,利用荧光光谱仪、拉曼光谱仪对ZnO纳米线的光致发光性能和拉曼散射性能进行了测试.结果表明:与其它形状的ZnO纳米线的光致发光性能不同,该ZnO纳米线在423～458 nm区域有二个宽频带强蓝光发射,在527 nm处出现一个非常弱的绿光发射,没有发现紫外光发射;相对于ZnO纳米粉,ZnO纳米线的拉曼光谱峰发生约3 cm-1红移,主要来源于光子限制效应.     

氧化硅亚微米纳米线光波导的制备

介绍一种新的氧化硅亚微米纳米线光波导的制备方法。使用这种方法制备出的光波导具有良好的直径均匀性和表面粗糙度,满足低损耗传输的要求。纳米级的尺寸以及独特的光学特性,使得亚微米纳米线光波导在亚波长结构的微电子、光电子及光子器件中具有较好的应用前景。     

氧化铝模板制备镍纳米阵列

阳极氧化铝模板合成技术是近年发展起来的纳米结构材料组装的最重要的技术之一，是目前纳米材料研究中的一个热点。与其它方法相比，具有很多优点。目前，应用此模板已合成出多种金属纳米阵列。由镍制得的纳米阵列有许多优良的性质，具有广泛的应用价值和前詈。本文以纳米孔的多孔氧化铝膜作为模板，采用电化学沉积法在孔内合成出高度有序的镍纳米阵列体系。并对制备出的氧化铝模板及镍纳米阵列进行XRD，TEM及SEM表征。     

水热合成大长径比的γ-AlOOH纳米线及表征

以NaOH和NH3·H2O的混合溶液为沉淀剂,在水热条件下制备了大长径比的γ-AlOOH纳米线;并采用X射线衍射仪和透射电子显微镜对制备的产物进行了表征。结果表明:调节混合沉淀剂中NaOH和NH3·H2O的比例,可得到不同形貌的γ-AlOOH纳米结构;大长径比γ-AlOOH纳米线是由水热反应初期形成的尺寸较大的层状γ-AlOOH通过卷曲而形成的;以体积比1∶1的NaOH和NH3·H2O混合溶液为沉淀剂,在保温时间24h条件下,制备的γ-AlOOH纳米线形态最好,其直径为10~30nm,长度为1~2μm,长径比为60~100,并具有明显的晶面择优取向。     

在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线

以Zn(NO_3)_2·6H_2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线,研究了种子层沉积温度(150,200℃)以及PEI浓度(0～9.0mmol·L~(-1))、生长时间(3～12h)和水浴温度(65～95℃)对ZnO纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明:在试验参数下均能成功制备得到ZnO纳米线;当种子层沉积温度为200℃,生长时间为9h,水浴温度为95℃,PEI浓度为4.5mmol·L~(-1)时,ZnO纳米线呈规则六棱柱状生长,并垂直排列于衬底上,且长径比最大,达20.56。