一种判断氧化物阴极活性的简便方法

用降落法测量氧化物阴极活性时，常常要测量其特征温度。本文叙述了一种供生产使用的测量氧化物阴极特征温度的简便方法－电阻法（ＲＭ）；该方法的线路设计简单，操作简便，测量迅速，结果显示直观，对批量产品可进行测量。     

Z 图——一种评价传轨线性能的方法

本文叙述测试传输线用的频域法,它克服了时域反射计法所固有的高频衰减和微分延时的困难。这种方法主要显示被测线的输入阻抗对频率的关系。     

荧光灯阴极的电压控制预热特性

本文提供了一种方法，用于测量由电压控制预热荧光灯阴极的发射时间。本方法的基础是监测电压。文中给出了热发射曲线间的差别，曲线分别是通过热冷线圈阻抗比（Ｒｈ／Ｒｃ）法和监测灯电压法获得的。人们认为Ｒｈ／Ｒｃ法曲线的差别主要是受阴极加热的非均匀性影响所至。阴极是热容由互不相同的灯丝线圈与发射材料组成的。可以确信，在初始电流冲击后，当发射涂层达到发射温度时，整个阴极很难达到热平衡，难以用Ｒｈ／Ｒｃ法来叙述     

脉冲氙灯电极位降的测量

叙述了用探针法测量脉冲氙灯的电极位降的方法,对五种不同电极材料的脉冲氙灯进行了阴极位降和阳极位降的测定。实验发现脉冲氙灯的阴极位降近似地与电极材料的逸出功成正比。计算了阴极位降区的空间宽度和电场强度,理论和实验尚能一致。     

超高速光电管中反射式银氧铯光电阴极的研究

简要叙述了超高速光电管选择反射式银氧铯作为光电阴极的依据,介绍了银氧铯阴极的基底选择、处理和银氧铯阴极的制备,以及如何提高银氧铯阴极灵敏度、降低暗噪声、拓展光谱范围所采用的工艺方法,测量研制出的整管参数,由此得出了相关的结论。     

第二代象增强器信噪比的测量方法

第二代象增强器通常是在阴极照度很低的情况下使用的,因此,量子噪声大大地降低了这种系统的性能。这种噪声是由被探测辐射固有的量子特性和象增强器增益的统计变化所造成的。在规定的条件下进行信噪比的测量,便可以对任何象增强器的这种特性进行定量估计。本文给出了目前通用的测量条件,说明了测量方法,而且叙述了测定个别性能参数与总信噪比关系的方法。     

长脉冲氧化物阴极的制造方法

本文将首先介绍制造氧化物阴极的常用方法。然后,将详细讨论适合于不同温度和环境条件的阴极化合物的制造方法。还将着重叙述关键性的制造工序:只有在不同制造阶段,采取适当措施,才能得到适合脉冲宽度为2.5微秒,工作比为千分之一的工作条件的阴极。此类阴极,工作于800℃温度左右时,在空间电荷限制状态下产生的电流密度为7安培/厘米~2。它尤其适用于某些阴极一次发射显得重要的磁控管。     

脉冲红外无损检测缺陷深度定量测量的数值模拟

缺陷深度定量测量是脉冲红外热波技术定量测量的重要应用,在一维热传导理论模型基础上分析了对数温度-对数时间二阶微分峰值法计算原理。以背面有6个大小相同深度不同的平底洞不锈钢试件为例,利用Ansys模拟脉冲红外无损检测过程,采用对数温度-对数时间二阶微分峰值法计算缺陷深度。比较和分析了Ansys和脉冲红外热波实验结果,结果表明所建立Ansys模型与脉冲热波实验结果相符,可为脉冲红外热波技术缺陷深度定量测量应用提供理论依据。     

浸渍型钨酸钡锶阴极的实验

本文提出了用做阴极活性物质的钨酸钡锶的制造新工艺——湿氢活性烧结法;采用一次浸渍成型制造阴极的工艺流程;对阴极制造的关键工序(浸渍烧结)做了较深入的探讨。现在已能较稳定的制出1000℃亮度温度具有直流偏离点电流大于8安培/厘米~2发射水平的阴极。在阴极温度900℃亮度温度时,支取直流发射2安培/厘米~2的阴极寿命试验持续了3000小时以上。但大电流密度下的寿命试验结果不佳,有待进一步探讨。     

一种高可靠长寿命阴极

本文介绍一种高可靠的低温大电流密度长寿命阴极。在650°～750℃的工作温度下,支取直流电流250～400mA/cm~2,寿命长达17000～34000小时,试验仍在继续中。本文叙述了阴极制备,处理工艺,发射水平和寿命实验结果,并讨论了镍海绵层和醋酸盐的作用。指出了这种阴极的应用范围。     

热阴极脉冲拐点发射的快速测量

本文介绍了一种借助线路技术快速测定热阴极的脉冲拐点发射的方法。这一方法可避免测试对阴极的损伤,可提高测量的准确性,可用于比较不同热阴极的发射水平和监测寿命试验过程中阴极活性的变化。本文还叙述了热阴极脉冲拐点发射快速测量的原理,实现了拐点在伏安特性曲线上的自动显示,给出了鉴定拐点真实性的方法,并讨论了仪器的测量误差,通过对各种实用热阴极的大量测试表明,该仪器是有实用意义的。     

气体环境对磁控管阴极二次发射的影响

要求磁控管阴极在长脉冲期间能产生大电流密度,目前用多孔钨基金属阴极满足了此项要求。事实表明,在寿命的最初几小时内,浸漬阴极的二次发射系数降低,并且这种降低有时给磁控管工作带来了一些问题。本文叙述磁控管工作在几种不同的气体环境中对这些阴极的二次发射的影响。另外,还给出了小型X波段磁控管内存在的残余气体的有关数据。这些结果表明,一氧化碳分解引起阴极中毒。     

一种计算热阴极蒸发率的方法

正 (一)引言 用晶体振荡法测量阴极蒸发率,一般是把阴极当作点蒸发源。这可能是为了便于计算蒸发率。在其它报道,例如文献[3]中,阴极则被当作是平面元蒸发源,蒸发物接受器被当作是阴极面法向上某处的一个平面元。 本文采取有效措施克服了晶体因温度变化引起的振荡频率漂移(晶体谐振频率漂移)对测量蒸发率的影响。这不仅提高了测量蒸发物引起的振荡频率变化(晶体谐振频率变     

GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱

本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起．研究表明这种微分光谱具有简单易行，不破坏样品等特点，并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度．     

大功率速调管用氧化物阴极研究

根据大功率速调管的设计要求阴极的电流密度不低于14 A/cm^(2),目前这种类型速调管所用M阴极工作温度需要不低于1080℃,所需灯丝功率高达26~28 W。本文介绍一种适用于该类型速调管的改良氧化物阴极的制备技术,这种阴极采用镍合金活性基底代替纯镍基底,涂层采用含钪四元氧化物。结果显示:这种氧化物阴极速调管支取电流密度为15 A/cm^(2)时,阴极温度为910℃,灯丝功率为20.97 W,灯丝功率比M型阴极降低了约20%。     

阴极气体中毒

阴极中毒是因发射表面上吸附气体层之故。吸附气体的量与吸附热、气体压强以及阴极温度有关。吸附的气体在阴极表面上形成带电偶极子,它导致逸出功增加,从而引起发射下降或阴极中毒。因为偶极矩大小和吸附气体的量非定量所知,所以通过实驗測量阴极中毒。本文叙述使用的实驗裝置和实驗方法。介紹的实驗結果包括鎢阴极、六硼化鑭阴极和浸漬镧的碳化鎢阴极受氧的中毒。六硼化鑭阴极的抗氧中毒的能力强于鎢或浸漬鑭的磺化鎢阴极。还测量了六硼化鑭阴极受氮、二氧化碳、空气、氬和氫等气体的中毒特性。测得的鎢阴极、六硼化鑭阴极和浸漬鑭的磺化鎢阴极受氧中毒的特性,与其他不同类型阴极受氧中毒的数据作了比較。这就为选择使用在中毒环境下的阴极提供定量基础。     

研究碱金属锑光电阴极的光学方法

多年来人们在不同的实验室研究了S型光电阴极的若干物理概念。在研究中,光学法是非常重要的。事实上,光学测量能够应用于碱金属锑光电阴极管内沉积的研究。例如,在制备阴极过程中测量薄层的光学反射(或透射)。从光学反射能得到光电阴极在生长过程中某些物理参数的信息。 (1) 光电阴极的厚度能够连续测量,因此薄层的生长速度能受控。 (2) 同时可以获得一些综合性信息。能够分辨如SbNa_3和SbNa_2K两相的混合物以及在SbNa_2K层之上纯锑或SbNa_3的沉积。此外用这种方法能够观察到两种碱金属在混合物中的化学置换。对于研究各种碱金属锑光电阴极,测量光学反射(透射)是控制薄层的生长和确保重复性的有价值的手段,作为光电发射的辅助测量一般用来监控S型光电阴极的生长。     

大电流场发射冷阴极发射性能的研究

研究了利用丝网印刷法制备碳纳米管阴极,以获取很大的发射电流。用传统的二极结构,在真空压强小于5×10-4Pa的条件下测量了用该方法制备的场发射阴极,阴极形状为直径3 mm的圆点。测量结果表明,阴极的最大发射电流达到11 mA。     

文摘

专利文摘大功率行波管电子枪(英) No.1178618 具有均匀纵向速度的低噪声、高导流系数空心注,由圆锥形空心阴极所产生。围绕着此阴极有一相似形状的加速极,用来产生一个进入阴极活性层的均匀电场。阴极位于磁场内。行波管磁结构(英) No.1178733 本专利叙述一种新型的聚焦电子注(O型器件)和传播电子注(M型器件)的磁结构。其特点在于在调节场强时不改变磁力线形状,这种改良结构由包括极靴的永磁铁和电磁铁组成:极靴形成空隙;电磁铁安置在空隙处。这样,改变电磁铁铁芯的电流,就能改变空隙磁通量密度。     

用双玻璃片剪切干涉仪测量弯曲平板的倾斜和弯曲

在平面变形和应力测量中,需要测定位移倾斜和弯曲等物理最。弯曲平板的曲率测量尤为重要,因为在薄板小弯曲理论中,应力与曲率直接有关。已经研究了多种测定曲率的方法。数值微分法须对离面位移数据进行两次微分,误差较大;重叠错位等倾斜纹图,过程繁复;多次曝光法可记录全场干涉图样,但往往是等倾斜条纹和等曲率条纹的混合条纹图样,对比度比较低。本文介绍一种一次曝光就可记录等倾斜条纹图样或等曲率条纹图样的光学方法,光路简单,条纹图样清晰。