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在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今,碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料.但是,要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走,其中,了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素.近日,IBM的科学家宣布他们对碳纳米管内的电荷分布进行了测量,并发现其直径小于2nm. 相似文献
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提出了一种制备多壁碳纳米管的简单方法.以乙醇为碳源,利用催化化学气相沉积工艺制备了碳纳米管.用较为简单的设备在较低的反应温度下,在基底上生长了取向多壁碳纳米管阵列.利用扫描电子显微镜内部的纳米操纵仪对单根碳纳米管进行操纵,并测试了单根多壁碳纳米管的电学特性. 相似文献
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碳纳米管的形貌受制备方法以及各种后处理过程的影响.为了清楚地描述碳纳米管的形貌特征,本文建立了一种用电镜照片对碳纳米管曲折状态进行定量表征的方法.将一定数量多壁碳纳米管的高分辨透射电镜或扫描电镜照片进行观察和统计分析后,通过引入曲折因子(tortuosity factor TF)和计算标尺(calculating scale CS)两个参数,可以定量表征多壁碳纳米管的曲折程度.本文用该方法对三种不同的多壁碳纳米管进行了表征:纳米聚团流化床反应器制备的多壁碳纳米管、浮游法制备的超长阵列多壁碳纳米管以及静电纺聚环氧乙烷纳米纤维中的多壁碳纳米管.结果显示在所统计的计算标尺范围内,不同多壁碳纳米管的曲折因子有着显著的差异,进而根据多壁碳纳米管曲折因子的差异深入分析了制备方法以及处理过程对其形貌的影响. 相似文献
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据www.goldbulletin.org网站报道,美国密执安州大学的科学家最近通过用纳米天线开发场定位特性,获得了一种基于高效、高保真度碳纳米管的红外探测器。图1为该红外探测器的结构图。该大学的研究人员NingXi说, 相似文献
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采用溶胶-凝胶结合氢气还原方法制备了Ni纳米颗粒,并用这种Ni纳米颗粒作为催化剂,通过催化裂解乙炔的方法在425℃制备了螺旋度较高且呈对称生长的螺旋碳纳米管。结果表明,本方法简单、成本低、环境友好,可大量制备高纯度螺旋碳纳米管。场发射扫描电镜(FE-SEM)及高分辨透射电镜(HR-TEM)图片表明,通常情况下两根旋向相反的螺旋碳纳米管生长在一个催化剂颗粒上,且这种纳米螺旋呈空心管状。X射线衍射及拉曼光谱分析表明,所得样品成分为有缺陷的石墨结构和镍多晶,未发现其他杂相。此外,对样品的磁性及微波吸收性能进行了研究。 相似文献
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采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征.比较了SiC纳米纤维和碳纳米管模板的场发射性能,研究了SiC纳米纤维直径的变化对其绝对场增强因子的影响.结果表明:SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维具有特殊的"树状"结构,顶端及"树枝"中分布着大量的SiC纳米晶粒.SiC纳米晶粒以及特殊的分支结构增强了SiC纳米纤维的场发射性能,开启场强低至1.1 V/μm,仅为相同直径碳纳米管模板的1/2.随着SiC纳米纤维直径的减小,绝对场增强因子β0呈明显增大趋势. 相似文献
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