Si和GaAs LSI在超高速方面的角逐

即使进入了1989年开始的亚100ps时代,硅双极的优势也并没有动摇。无负载的门廷时已达到80ps左右并快速地应用到系统中。展望未来可以预测到,它将以每4年提高3倍的速率实现高速化,并能可靠地提供1万门以上规模的LSI,这一切将会牢固地支撑着人们常说的“硅王国”。向硅双极挑战的GaAs LSI的研制,以美国为主,集成度已提高到1万门,它正以低功耗为武器积极攻占计算机市场。不过,许多大厂家当前都采取了对LSI不急于求成,而以通信设备用的MSI为主,扩大自己战线的战略方针。     

硅器件钝化工艺的进展

一、前言 钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段,也是硅工艺中酌一个重点。在当前发展以MOS为主的大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中,其重要性就更加无可非议。 硅器件的钝化,自有平面器件以来,已有广泛而系统的研究,发表了大量文章,目前不管在理论认识上还是在实际技术上,都达到了可观的水平,成为硅器件继续向超大规模集成电路迈进的一个重要基础。本文就硅器件钝化     

NEC开发出新型硅纳米光电技术

NECCorp.目前宣布已成功地开发出基础硅纳米光电技术,消除了数据传输的瓶颈从而推动了光数据在大规模集成(LSI)芯片中的传输。此项研究是在今年年初举行的国际固态电路会议(ISSCC)上提出来的。NEC报告此新技术把光电信号转换功能的焊接区缩小到10μm2,足以做到LSI芯片上去。采用了超小型放大器和已有的硅纳米光电二极管相结合的方法。NEC也能证明和普通铜配线相比通过宽度<1μm的光波导的相当大数量的数据传输。这可能是通过采用光波分复用(WDM)系统实现的。这两项研发成果都大大增加了在LSI芯片上实现光数据传输和高频光时钟分…     

具有与硅互换性的超高速 GaAs LSI

<正> 据报导,日本电气公司研制出在高速计算机领域能够与硅 LSI 配合用的超高速 GaAs LSI.这种与 Si LSI 可互换的 GaAs LSI,其所用电源电压、输入输出信号电平与 Si ECL一致。在电路中所用的单元电路为耗尽型 FET 结构。这种电路由3646个晶体管、1136个二极管以及45个电阻来组成,能完成1013个逻辑门功能。工作速度为硅的4倍(t_(pd)=170ps),功耗为硅的三     

NEC开发出新型硅纳米光电技术

NEC Corp．日前宣布已成功地开发出基础硅纳米光电技术,消除了数据传输的瓶颈从而推动了光数据在大规模集成(LSI)芯片中的传输。此项研究是在今年年初举行的国际固态电路会议(ISSCC)上提出来的。     

低成本三维硅贯通布线工艺问世

日本早稻田大学发布了能够利用硅通孔(TSV)布线以低成本制造三维积层LSI的工艺.     

为小型化、强功能、低功耗而生的系统LSI

一、引言 随着集成化的不断发展,以往采用多块芯片在电路板上构成的系统的主要功能逐渐被集成到了一块芯片上。目前,人们已开始把这种所谓系统级芯片(System On Chip,SOC)LSI大量应用于各类设备,并可根据设备的大小设计开发相应尺寸的系统LSI。为了能够在较短的时间里开发出满足各种要求的系统LSI,系统设计者就必须通过所需内核(core)的加法运算来实现自己的设计目标(系统LSI仅仅是内核的集成化)。不需要花太多的     

九十年代半导体工业的发展动向

半导体工业是电子工业的基础,基本上10年为一代。五十年代为晶体管(Tr)时代,六十年代为集成电路(IC)时代,七十年代为大规模集成电路(LSI)时代,八十年代为超大规模集成电路(VLSI)时代。九十年代为特大规模集成电路(ULSI)时代。日本通产省电子工业中期展望恳谈会报告书预测:1995年世界半导体需求14.68万亿日元,其中IC为12.9万亿日元,占87.9％;2000年需求27.77万亿日元,其中IC为25.4万亿日元,占91.5％。这表明九十年代的半导体工业将是稳定发展,可能保持2位数的增长速度。九十年代的半导体工业将仍由IC唱主角,IC的主要原材料为硅。     

硅部分离化MBE方法及批量生产型装置

在硅LSI中有以高速率为主要特点的双极型和以高密度化为主要目的的MOS型两类。在双极型LSI中,除纵向结构的BPT(结型晶体管)必需集成外,在元件间的隔离上主要是使用简便的外延基板;在MOS LSI中,为了集成横向结构的FET,由于深度方向隔离不太重要,故可以不用已往的外延基板。     

实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术

1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。     

双极集成电路实现1000门的最新工艺技术

认为“双极速度快、功耗大”,“MOS速度慢”等的常识已不复成立。MOS方面有取数时间为35毫微秒高速4k静态RAM。另外,双极电路也能在低功耗条件下保持高速工作。现在已经进入了出现每门延迟时间为亚毫微秒、1000门左右的双极LSI(芯片的耗电量是1～2瓦左右)时代。 例如在数字LSI中,有每门功耗1.43瓦、延迟时间0.9毫微秒的1600门LSI处     

日企业开发出微型硅光子光源助推光互联LSI研发

据《日刊工业新闻》2011年9月16日报道,富士通研究所近日对外宣布,为实现LSI芯片的光互联,该所成功研制出微型硅光子光源,开创了LSI无需温度调节结构之先河。光互联技术可使LSI心脏部件中央运算处理装置（CPU）之间进行大容量信息的高速传输,其设置在CPU旁边光收发器上的光源由硅与光融合的硅光子技术制成。     

迈向二十一世纪的集成电路技术

九十年代LSI工艺的发展仍然依照摩尔定律(每三年器件尺寸缩小2/3,芯片面积增加1.5倍和芯片中晶体管数目增加4倍)所预言的发展速度急剧增长。这十年来凝聚着科技工作者无穷智慧的成果给全世界的军事、经济和民生等方方面面带来了始料未及的巨大革命性变化。微细加工技术已从0.6微米提高到0.18微米的水平;0.18微米的1G位DRAM已研制成功;256兆位的DRAM已进入大量生产阶段;具有64位速度为1GHz的微处理器已宣告研制成功。硅CMOS IC在未来的十五年仍将是集成电路发展的主流。     

国外数字集成电路现状

在国际上,数字集成电路已进入大规模集成电路(LSI)的生产阶段和超大规模集成电路(V-LSI)的研制阶段,故本文介绍的国外数字集成电路现状,自然也就是数字LSI的发展现状了。 自从1969年LSI问世以来已经十年了,这十年中的发展是甚为迅速的,以MOS存储器为例:     

降低漏电流的技术现状与未来展望——解决漏电流问题已刻不容缓

采用65nm制造LSI时，电流将难以控制地大量泄漏出来，这种警告之声越来越高。问题的是，这些电流并不是LSI工作所需的电流，即使在LSI不工作的情况下，也会出现漏电流。LSI工作频率越高，这种漏电流就越大。随着半导体工艺的微细化发展，漏电流会更大(见图1)。     

LSI与美超微共同合作为通路提供技术6Gb/s SAS解决方案

LSI公司宣布与美超微（Super Micro）计算机公司达成合作协议,针对通路客户推出端至端的6Gb/s SAS解决方案。LSI6Gb/s SAS硅组件与MegaRAID技术,与Supermicro的6Gb／s SAS服E务器建构组件解决方案．以及希捷（Seagate）6Gb／sSAS磁盘驱动器结合而成的解决方案,支持具高度可扩充性的直接连结储存拓扑,以提供大型数据中心极高的输入／输出（I／O．Input／Output）效能。     

高密度封装进展之三——SiP与SoC

哪种方式更能提高LST的附加值?是SiP(system in a package)还是SoC(system on a chip)?LSI厂家正对此进行激烈争论。作为系统集成的选择方式,LSI厂家一直集中力量致力于SoC的开发。但是LSI厂家发现,仅靠SoC这一条路线已不能满足用户的要求。目前,对于各大LSI厂家来说,要不要转换其发展资源的投入方向,需要当机立断。     

LSI成功交付28nm定制芯片解决方案

LSI公司日前宣布交付面向新一代数据中心、云和移动网络应用的28nm定制芯片解决方案。该设计平台可将丰富的硅验证IP与先进的设计方法完美结合，便于OEM厂商针对服务器、存储系统、路由器、交换机和移动基站等关键基础设施开发高度差异化的解决方案。     

硅的等离子工艺和低温工艺

一、硅的等离体及低温工艺的必要性 低温和等离子体工艺现在成为LSI技术中很引人注目的技术。它们可以为LSI提供一个有力的工艺手段,低温工艺的好处是:     

芯片尺寸封装(CSP)简介

<正>芯片尺寸封装(CSP)和BGA是同一时代的产物,是整机小型化、便携化的结果。美国JEDEC给CSP的定义是:LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积120%的封装称为CSP。由于许多CSP采用BGA的形式,