IGBT的静态特性解析模型

本文提出了一个包含闩锁效应在内的ＩＧＢＴ的静态解析模型，由该模型可清楚地从器件物理角度分析ＩＧＢＴ的静态参数，为改善ＩＧＢＴ的静态特性和进行ＩＧＢＴ的优化设计提供了理论依据。     

绝缘栅双极型晶体管的电路仿真模型

以通用电路仿真软件 Ｐｓｐｉｃｅ的现有器件模型为基础,依据器件手册提供的典型数据,建立了绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）的组合模型,并采用非线性电容来表征器件的寄生电容．利用所建立的模型,对ＩＧＢＴ的静态特性和动态特性进行了仿真．仿真的结果通过硬件实验得到了证实．     

GTR和IGBT动态特性测试的研究

研究一种采用通用示波器测试ＧＴＲ和ＩＧＢＴ动态特性的简易装置,介绍由ｉｎｔｅｌ８０９８单片机硬软件技术构成ＰＷＭ信号脉冲源,给出了进口ＧＴＲ模块２Ｄ１５０Ｄ－１００（５０Ａ／１２００Ｖ）和ＩＧＢＴ模块２ＭＢ１５０Ｌ－１２０（５０Ａ／１２００Ｖ）的测试结果。     

采用IGBT的步进电机驱动器研制

本文探讨了半导体功率器件ＩＧＢＴ的特性，并把步进电机对其驱动器要束进行了分析。研究表明：步进电机驱动器采用双电压型输出电路，能提高步进电机的输出力矩和响应速度，降低驱动器的能耗．输出级电路采用ＩＧＢＴ器件，能简化驱动器线路，提高驱动器的可靠性。     

LUBRICATING BEHAVIOR OF IRON RHENATE ANDITS RELATION TO MATCHING PAIRS

ＬＵＢＲＩＣＡＴＩＮＧＢＥＨＡＶＩＯＲＯＦＩＲＯＮＲＨＥＮＡＴＥＡＮＤＩＴＳＲＥＬＡＴＩＯＮＴＯＭＡＴＣＨＩＮＧＰＡＩＲＳＸｉｏｎｇＤａｎｇｓｈｅｎｇＰｅｎｇＣｈａｏｑｕｎ（ＰｏｗｄｅｒＭｅｔａｌｕｒｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｃｅｎｔ...     

IGBT的驱动与过流保护电路

本文介绍了一种ＩＧＢＴ的驱动与过流保护电路，该电路可靠性高，能很好地ＩＧＢＴ的驱动与过流保护问题。     

基于HL402的IGBT高频逆变焊机的可行性研究

根据逆变焊机中ＩＧＢＴ对其驱动器的具体要求，对ＨＬ４０２用于驱动逆变管ＩＧＢＴ进行了全面的可行性分析，分析结论是可行的。     

电感量对IGBT逆变焊机可靠性的影响

以半桥式ＩＧＢＴ逆变焊机为例,探讨了焊机主回路中的电感量对电路的工作状态的影响,通过在主回路中串联三种不同的电感的研究得出,焊机主回路中的感抗较大时,不仅会降低焊机的输出功率,而且造成ＩＧＢＴ开关管上较高的关断电压尖峰;在主回路中串联可饱和电抗器,可实现ＩＧＢＴ零电压开通,并且因它而的ＩＧＧＴ关断电压尖峰较低。     

IGBT智能模块的PWM逆变器

本文介绍ＩＧＢＴ智能模块的特点及用它研制成功的ＰＷＭ逆变器电路与试验结果．     

IGBT Overcurrent Protection of Welding Inverter Power Source

ＩＧＢＴＯｖｅｒｃｕｒｒｅｎｔＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆＷｅｌｄｉｎｇＩｎｖｅｒｔｅｒＰｏｗｅｒＳｏｕｒｃｅＹＩＮＳｈｕｙａｎ；ＧＥＮＧＺｈｅｎｇ；ＳＨＡＯＨｏｎｇ；ＧＵＯＤａｙｏｎｇ（殷树言）；（耿正）；（邵宏）；（郭大勇）（Ｄｅｐｔ．ｏｆＭａｔｅｒ...     

在MATLAB中实现IGBT动态仿真模型

对IGBT动态模型进行了详细的理论分析。由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管,因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流,以此作为模型的物理基础。用非准静分析法描述IGBT的动态电流、电压波形。并用MATLAB的模型语言－－S－Function实现动态仿真。     

并联型有源电力滤波器的故障仿真及过流保护

针对并联型有源电力滤波器在电网运行中的安全保护要求,采用电力系统仿真软件EMTDC／PSCAD,建立了并联型有源电力滤波器在电力系统运行中的时域仿真模型,并对有源电力滤波器在系统发生各种短路故障情况下的动态运行特性进行了仿真研究,对系统短路故障情况下APF的暂态进行了机理分析．针对APF的过流故障提出了一种限流保护方案,当APF发生过流期间,通过切脉冲将APF电流限制在允许范围内,并使APF在其能力范围内继续起到补偿的作用,并通过仿真研究验证了该保护方案的有效性．     

IGBT的静态特性的模拟

对 Hefner的 IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析 .由于 IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管 ,因此采用双极性传输方程来描述 IGBT电流 .而 MOSFET的静态线性区和饱和区的特性也用于表示阳极电压 .并用 MATL AB实现 I- V特性     

IGBT串联型逆变器定角控制的建模与仿真

分析了串联型逆变器定角控制的必要性,提出了一种定角控制的频率跟踪方法,并对其实现进行了研究。以MATLAB／Simulink为仿真工具,建立了以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为开关器件的串联型逆变器仿真模型,对提出的定角控制方法进行了仿真验证。仿真结果表明该定角控制方法是可行的,能够使串联型逆变器在较宽的频率范围内保持功率因数角恒定。     

缓冲电容对IGBT变流器特性的影响研究

在IGBT构成的变流器主电路中常采用并联缓冲电容的缓冲电路来抑制开关管关断过程中引起的过大电压冲击,保护IGBT和变流器.基于IGBT的动态模型,从理论上分析了缓冲电容对IGBT关断时产生的电压冲击规律,比较了不同缓冲电容对IGBT关断时的电压冲击情况及负面影响,得出缓冲电容在降低IGBT关断过冲电压的同时也会引起母线上电流电压振荡的结论.给出了IGBT关断时由缓冲电容引起振荡的仿真和实验结果,并指出了减小缓冲电容的方法.     

基于PID自校准算法的IGBT温升控制实现

针对功率循环实验中绝缘栅双极型晶体管( insulated gate bipolar transistor, IGBT)温度过冲和滞后问题,设计了一种自校准PID算法控制IGBT温升。通过MATLAB进行PID建模及参数仿真,采用电学法测试原理并结合嵌入式系统测试IGBT结温,使用PID自校准算法控制器件温升进行IGBT热疲劳测试。实验结果表明：该算法的调节方式和温度精度都达到理想的效果,改善了系统的动态性能,为IGBT寿命预测提供了一个良好的实验环境。     

GTR和IGBT动态特性测试的研究

研究一种采用通用示波器测试GTR和IGBT动态特性的简易装置 ,介绍由intel80 98单片机硬软件技术构成PWM信号脉冲源 ,给出了进口GTR模块 2DI50D - 1 0 0 (50A/ 1 2 0 0V)和IGBT模块 2MBI50L - 1 2 0 (50A/ 1 2 0 0V)的测试结果     

非线性电容Pspice模型的建立

提出了一种基于ＭｉｃｒｏＳｉｍ公司的通用电子电路仿真软件Ｐｓｐｉｃｅ上的新颖的非线性器件的仿真方法,并以非线性电容为例具体加以实现,该模型是一个通用子电路模型,并且可以应用于任何电路仿真及电力半导体器件建模中,由于在该模型的建立中采取了非线性函数的曲线拟合方法,使得原先在Ｐｓｐｉｃｅ中无法实现的非线性器件可以通过易于实现的受控源来模拟拟合多项式函数,本文以ＩＲ公司的功率电子器件ＩＧＢＴ手册所给出的