光纤工艺新进展

优质光纤工艺有:改进的化学气相沉积法(MCVD)、气相轴向沉积法(VAD)、等离子体化学气相沉积法(PCVD)及外气相沉积法(OVD)四种. 要提高光纤制造工艺水平,关键是提高石英坯棒的沉积速率和增大坯棒的直径.关于OVD法,英国标准电信实验室宣称,其沉积速率已提高了三倍,并拉出20公里单模光纤的坯棒.1984年初,康宁公司用该法也制成能拉50公里优质单模光纤的坯棒,水份     

射频微波等离子体CVD法制备薄膜材料及其应用

低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。     

金刚石膜的制作

制作金刚石膜主要采用等离子体化学气相沉积法(CVD)和离子束物理气相沉积法(PVD)。圆筒谐振器型微波等离子体化学气相沉积装置是一种结构简单的制膜装置。谐振器为直径200mm、全长300mm的圆筒。谐振器轴向长度通过左右的插销式螺钉的移动来调节。将磁控管(2.45GHz)直接安装在谐振器的圆筒壁中央,与微波回路连接,     

电化学沉积DLC薄膜的AFM研究

类金刚石碳膜 (ｄｉａｍｏｎｄｌｉｋｅｃａｒｂｏｎｆｉｌｍｓ ,简称ＤＬＣｆｉｌｍｓ)是一类硬度、光学、电学、化学和摩擦学等特性都类似于金刚石的非晶碳膜。例如 ,它具有高硬度 ,抗磨损 ,化学惰性 ,介电常数低 ,宽光学带隙 ,良好的生物相容性等特点。它可以应用于机械、电子、化学、军事、航空航天等领域 ,具有广泛的应用前景。目前制备类金刚石碳膜一般用气相沉积方法(化学气相沉积法和物理气相沉积法 ) ,但是气相合成实验装置的复杂性和基底的高温都导致了这些方法具有一定的局限性。近年来 ,研究人员开始了在液态低温下电化学沉积制…     

联合抽气系统

Leybold推出真空系统的新产品RVVAC系统。该系统将半导体的刻蚀处理设备装在一个完整的机壳内,它特别适用于金属刻蚀、反应离子刻蚀、等离子辅助化学气相沉积(CVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)等。     

半导体设备与工艺技术的现状及新技术

简要介绍了半导体的有关工艺技术和生产设备的发展动向。首先对光刻技术、干蚀刻技术、清洗技术、氧化?扩散技术、快速高温处理(RTP)技术、离子注入技术、化学气相沉积(CVD)技术、物理气相沉积(PVD)技术以及化学机械研磨(CMP)技术等分别加以介绍,然后对未来的发展动向提出一些建议。     

聚合物热解制备类金刚石薄膜的表面形貌研究

类金刚石碳(DLC)薄膜由于其硬度高、杨氏模量大、介电常数高、摩擦系数低、化学惰性好、导热性能好以及生物相容性良好等优异性能而在耐磨涂层及微电子学等方面具有广阔的应用前景。传统制备类金刚石碳膜一般用化学气相沉积法和物理气相沉积法，如微波等离子体辅助沉积、磁控溅射沉积和脉冲激光沉积等，这些气相沉积技术要求设备的投资大，且难以在大而形状复杂的部件上沉积。     

应用材料公司推出CVD/PVD新技术

正近日,应用材料宣布推出Endura Volta化学气相沉积(CVD)钴金属系统,藉由钴金属来包覆铜导线,提供半导体厂快速抢进20纳米以下先进制程。同时,应用材料也推出Endura Ventura物理气相沉积(PVD)系统,协助客户利用直通硅晶穿孔(TSV)技术快速完成3D晶片产能布建。应用材料将钴金属层的导入做为出色的金属包覆薄膜,是半导体导线材料过去15年来最重大的变革。Endura Volta化学气相沉积系统所拥有的两项新     

使用氦气的沉积速率高的化学气相沉积法

用化学气相沉积法(CVD法)制造低损耗导光纤维是非常有效的。但是,要获得足够厚的均匀的玻璃薄膜以便批量生产纤维,这个方法的代价是沉积速率太低。在提高沉积速率方面,我们已获得成功,与以前的气相沉积法     

一种制作大芯径光纤的新工艺

与传统的大芯径光纤不同,纯石英芯掺氟玻璃包层光纤是一种新结构的大芯径光纤,主要用于光能传输和传感.在国外这种光纤是采用POD(等离子体外相沉积)技术生产的,由于目前国内没有这种设备,本文采用管棒套装技术,即PCVD(等离子体化学气相沉积)工艺制作掺氟石英管,MCVD(改进的化学气相沉积)工艺在高温条件下把石英芯棒和掺氟...     

Cadence公司创建新的全球客户组织

诺发公司(NOVELLUS)宣布开通翻新系统业务，以满足特定市场区域对200mm制造设备不断增长的需求。该业务将从等离子体增强化学气相沉积、钨化学气相沉积以及高密度等离子体化学气相沉积等业务部门开始。而化学机械研磨和光阻去除设备的翻新将在稍后陆续展开。同时，NOVELLUS还将根据客户的需求定制出一整套的系统改进并综合全面的技术支持，从而帮助客户获得可以取代新系统的翻新工艺设备。     

中国首座超高纯氨气工厂投产满足LED制造

得益于绿色光源市场的驱动,全球每年都有大量新增的LED产能。2010年,全球将新安装大约750套有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备,在单一年度中的安装基数增长50%,有机金属化学气相沉积设备总量达到2250套。2009     

激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.     

低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。     

光纤材料和制造工艺的未耒发展

新型的光纤材料和制造工艺目前正处于研究和开发之中。现在采用的“普通”制造工艺有:改进的化学气相沉积法、内气相氧化法、外气相氧化法、气相轴向沉积法、等离子化学气相沉积法以及双坩锅法,在改进这些工艺方     

半导体技术

O472007050439常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质/李璠,王立,戴江南,蒲勇,方文卿,江风益(南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心)//光学学报.―2006,26(10).―1585～1588.采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为     

催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线

利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在n-Si(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线.X射线衍射分析的结果表明, ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100 nm,长度为2～5 μm.讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理.     

薄膜机械强度测试方法

用物理气相沉积技术(PVD)及化学气相沉积技术(CVD)制备的金属或金属化合物(如TiN、TiC等)薄膜,涂复在机械零件及刀、磨具的表面上,获得了日益广泛的应用。而薄膜的机械强度,是评价薄膜性能优劣的一个重要指标,本文试就薄膜抗拉强度和耐压强度的几种测试方法进行了归纳和论述,并对这些方法的适用范围及局限性进行了比较。     

模具表面的PVD改性

<正> 前言 提高模具的耐热、耐磨以及耐腐蚀性能通常指个两方面的工作。其一是对模具基体的热处理;其二是对模具表面的改性处理。模具表面改性的方法较多,有氮化、碳化以及氧化等化学处理方法,有化学气相沉积(CVD)法和物理气相沉积(PVD)法等镀膜的方法。PVD法是能够在工具钢(高速钢、模具钢)的回火温度下,在金属表面上沉积一层硬质膜的方法。特别是近几年发展起来的多弧离子镀沉积法,克服了以前离子镀的缺点和不足,使膜与基体的附着力显著提高。本文想介绍一些用PVD法得到的膜层的基本特性和在切削工具以及模具中的应用例子。     

高压高功率VHF-PECVD的微晶硅薄膜高速沉积

采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP和低压低功率(lplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性等性能参数进行测试,得到了1.58 nm/s的较高沉积速率、光电性能优秀和更适合薄膜太阳能电池的μc-Si...