世界16M、64M、256M DRAM的生产

世界DRAM市场1995年登顶，达到400亿美元以上，但1996年即大幅减退到250多亿美元，1997年进一步缩小到200多亿美元，预计要到2000年以后才能超过1995年的最高水平。     

1000M位DRAM简介

本文描述了NEC公司和日立公司最新研制的1000兆位的DRAMS。     

三星公司16M同步DRAM上市

三星公司１６Ｍ同步ＤＲＡＭ上市设在美国圣荷塞的韩国三星半导体公司首次上市１６Ｍ同步ＤＲＡＭ．它具有高速缓存功能，完整数据随机存取速度达１００ＭＨＺ，比异步ＤＲＡＭ的性能提高了３倍．ＤＲＡＭ的速度使ＣＰＵ和主存之间不再需要第二个高速缓存，存储器的高速和...     

DRAM市况坚挺4M产品攀升16M需求看好

随着个人电脑CPU处理速度越来越快,处理信息越来越多,对主机部分最重要的存储器——DRAM的容量的要求也越来越高,如从286CPU变成386时,存储需求量即将提高4倍.当前4M DRAM的全球生产量已超过1M产品,成为个人电脑使用的主流产品.1993年世界1M DRAM的月产已降为3,250万片,4M则提升到6,280万片,至于16MDRAM每月还仅约175万片.预计1994年全球对4M DRAM需求量为9,45亿,达到顶峰.今后几年内16M DRAM将以极快速度增长,期望1996年将超过4M DRAM.因此,日本、韩国等的DRAM生产大     

佳能开发256M位DRAM批量生产用KrF准分子扫描步进光刻机

日本佳能最近开发了“ＦＰＡ - 5 0 0 0ＥＳｚ” 2 5 6ＭＤＲＡＭ和下一代ＭＰＵ等批量生产用ＫｒＦ准分子激光扫描步进光刻机。本机用于采用 30 0ｍｍ圆片的正规批量生产线。它采用边移动对准线侧和圆片侧的双方工作台、边曝光的扫描方式。依靠搭载新开发的 1/ 4缩小投影光学系统 ,在 2 6ｍｍ× 33ｍｍ口大画面下 ,实现了ＮＡ为 0 6 8。以 0 18μｍ条宽超高分辨率鲜明地将电路图形复印在园片。另外 ,驱动对准线、圆片等两个工作台是采用高速新型马达 ;此外 ,还采用了使投影棱镜和圆片工作台分离的ＶＩＳ方式。由于工作台材料轻 ,减少了…     

16M DRAM的第三代芯片问世

据报道，16MDRAM第三代芯片的样品已开始销售，日立制作所，NEC，韩国Sams－ungElectronicsCo．等公司将于1994年至1995年初开始销售。芯片尺寸为70mm2，使用64M技术的缩版（Cut－down），例如，日立公司把64M单元的鳍型叠层结构用于6M的第三代版中。另外，64M方面，在已销售样品的NEC公司月产为数千个，达到使用阶段。同步版也问世。富士通公司从1994年8月开始销售样品。0．35μm样品的芯片面积为232mm2。16M DRAM的第三代芯片问世@一凡     

南朝鲜各公司急于增产16M DRAM

据《半导体世界》1994年12期报道，目前，南朝鲜的半导体厂家、公司现正在投入大量的人力物力以图确立增产体制。仅以三星电子公司为例，在9月份业已完成了月产量360万块规模的16MDRAM专用生产线。计划在1995年下半年完成月产量在36d万块规模的工厂建设。通过这些新组建的生产线与目前正在运转中的生产线进行组合，预计在1995年末，把16A4DRAM的生产能力扩大到月产量达1100万块能力的大生产线。现代电子产业公司现正在计划于1995年末把16MDRAM的生产能力扩大到月产量达到99O万块。从1994年9月份开始，在使月产量为360万块规模的生产…     

日本5大公司4M／16M DRAM月产量

日本５大公司４Ｍ／１６ＭＤＲＡＭ月产量日本ＮＥＣ、东芝、日立、富士通、三菱电机等５大公司加大设备投资额，去年共投资８５５０亿日元，比１９９４年增长６１．４％，以增大４Ｍ／１６ＭＤＲＡＭ产量。ＮＥＣ今年３月份４Ｍ的月产量１０００万块，１６Ｍ月产量９００...     

16兆位DRAM

<正> 据日本《JEE》杂心1983年3月号报道,松下、日立和东芝公司宣布制成16兆位DRAM样机,在一块芯片上可集成约3400万只晶体管。 松下公司采用线宽0.5μm技术及开型位线方法,形成1.5×2.2μm的存储单元,以位线和字线相交处形成的沟道环绕之。为了实现这一结构,该公司在每256条实字线处采用赝字线用以消除耦合噪音,为有较高的密度,在每两条位线上排列一个读出放大器。它采用包括水溶性聚合物和γ射线步进机的4层保护膜。松下公司宣布了16兆字×1位和4兆字×4位结构的器件,这两种芯片的尺寸为5.4×17.38mm,存取时间为65毫微秒。     

韩国各半导体公司的16M DRAM产量急增

韩国各半导体公司正在建立半导体生产的体制。三星电子公司已于1994年9月完成月产360万块16MDRAM专用生产线。月产36O万块的工厂也将于1995年下半年建成。为此，与目前正在运行的生产线加在一起月生产16MDRAM的能力可扩大到1100万块。现代电子产业公司计划到1995年年底16MDRAM的生产能力月产可达999万块。1994年9月月产360万块的生产线已开始运行，到1995年底月产360万块的工厂即可完成。金星电子公司月产30O万块的生产线从1994年下半年已开始正式运行。另外，已设计1条新的生产线，到1994年年底可有3条生产线。因此，16MDRAM月生…     

4M DRAM市场仍火 16MDRAM热潮推迟

1993年,世界4M DRAM的需求量创造了8亿片新纪录,按说产量基本上已发展到了顶点.但是,由于以Windows为代表的高什能计算机的出现,市场继续扩大,4M需求还在急增,预计今年4M DRAM的需求量可增长到9～10亿片,特别由于节能型个人计算机的需求殷切,因此DRAM中的低电压、低功耗产品尤其受到青眯.     

新型M16C系列16位单片机

概要 三菱新M16C/60系列单片机采用了一种新的结构,它具有运算处理能力强,ROM使用效率高及强劲优越的抗噪声能力等特点。本文介绍了这些特点和该系列的第一个产品--M30600M8-XXXFP。 开发目标 M16C/60的开发是为了向使用者提供下列特性:新指令集,增强运算处理能力;改善C语言的执行效率;降低     

4M DRAM跌价

由于计算机功能不断增强及新型操作系统的推出,存储器的需求量越来越大,促使半导体厂商不断扩大DRAM的生产.产量增大,成本降低,产品价格自然将随之下降.据日本一家市场研究公司的调查结果表明,在日本市场上目前16M DRAM价格已从第3季度的57～64美元降到     

日本走向64M DRAM

据预计，１９９８年日本半导体市场可达４４万亿日元，增长率为１１１％。日本国内生产ＩＣ约３９万亿日元，增长９４％，分立半导体约９７００亿日元，增长６７％。今年市场供求关系将趋向平衡，价格平稳。在ＤＲＡＭ方面，将加速向以同步型为中心的６４Ｍ位产...     

适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术

据《电子材料》1995年第4期报道，目前，三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础，采用0．4PmCMOS工艺试制了1．2V工作的16MDRAM，在电源电压为1．2V的低电压下实现了存取时间（tRAC）为49ns的高速工作。本开发课题的主要内容如下：（1）即使是在低电压下，也可实现高速读出工作（可能的Charge－TransferredWellSe－nsing方法），在电源电压Vcc＝1．2V下，实现5ns（19）的高速化是可能的（估计了16MDRAM的模拟值）在本读出方法中，在读出开始的同时，由于可以作到使…