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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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采用高质量的MBE材料,成功地制作了单胞栅宽20mm的芯片。用栅与n^+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长0.45μm的TiPtAu栅,欧姆接触采用AuGeNi合金工艺,采用PECVD SiN钝化,空气桥结构及芯片减薄Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片3.7 ̄4.2GHz下P。≥7.3W,Gp≥8dB,ηadd〉25%;4胞合成器件P。≥25W,Gp〉7dB,ηadd〉25%的良好结果。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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报导Ku波段高功率GaAsFET的制造技术,包括全离子注入、0.5μm自对准栅、高可靠欧姆接触、干法生长和刻蚀、背面通孔、内匹配和合成技术。器件由两个9.6mm栅宽的芯片组成,在11.2~11.7GHz频带内,一分口增益压缩输出功率8W,增益6dB,功率附加效率24%。 相似文献
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概述了InGaAs/GaAs异质结构材料用于制作微波器件的优越性,叙述了材料的MBE生长、输运特性和掺杂分布,以及用于制作Ku波段低噪声高增益HFET的结果:栅长0.5μm,12GHz下噪声系数0.93dB,相关增益9dB。 相似文献
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研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1999,(4)
NEDIhasdevelopedWZB0812、WZB1218DigitalTunedOscillator.Thespecificationsareasfollows:ParameterWZB0812WZB1218Frequencyrange,min./GHz8~1212~18Digitaltuningword/bit12RFpower Output,min./dBm13 Variation/temp.coeff.max./dB·C-10.02Aux.output,min./dBm0Modu… 相似文献
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文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘GaAs为衬底,选择NbMo/GaAs微合金形成肖特基势垒,SiO2和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性n因子小于1.1,结电容2Cj=0.1~0.2pF,正向微分电阻为3~6Ω,分布电容较小,结电容差为ΔCj≤0.025pF,正向电压差为ΔVF≤25mV。将该器件应用于18~40GHz宽带分谐波混频器中,中频带宽为4~8GHz,混频器的变频损耗低于20dB,本振功率为13dBm。 相似文献
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介绍了一种C波段反射型GaAs MESFET雷达介质稳频振荡器(RDRO),进行了理论分析和数学模拟,并借助计算机利用Ansoft公司的Serenade7.0软件进行优化设计。通过理论计算和计算机辅助优化,可以获得较好性能的振荡器。实现了谐频率f0=5.06GHz,输出功率8dBm,从室温到60℃范围内频率稳定度可达3ppm/C。 相似文献
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介绍了X波段1.5W GaAs MMIC的设计,制作和性能测试,包括MESFET大信号模型的建立,电路CAD优化,DOE灵敏度分析及T型栅工艺研究等。微波测试结果为:在频率9.4 ̄10.2GHz下,输出功率大于32dBm,增益大于10dB。 相似文献
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。 相似文献
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兆铮 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
电源电压+3.3VGaAsFET放大IC据《日经工》1994年第601期报道,日本三菱电机公司已研制成电源电压+3.3V,饱和输出31.8dBm(约1.5W)的UHF频段的放大IC,用于移动通信的移动电台。输入信号频率为935MHz,附加效率为57.... 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(3)
报道了一种称作“先进的SIVFET”的FET结构(先进的源区通孔FET)。“SIVFET”(源区通孔FET) ̄[1]是一种新型的FET,其每个源电极都通过通孔与40μm厚的背面电镀热沉金属相连接地,以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻,芯片厚度要小达30μm。“先进的SIVFET”的改进结构包含了一种选择隐埋PHS(电镀热沉)用以代替背面的厚金层。在这种FET中,由于有源层在器件工作时会产生热量,所以有源层下面的基片厚度设定为30μm,并且在其下面埋入了70μm厚的电镀热沉金属金以改善热阻。为了获得微带线的低损耗和足够的机械强度,芯片其它部分的厚度设定为100μm。该结构提供了更高的功率输出及功率附加效率,并且使芯片的操作更加方便。实验结果显示,当这种1350μm栅宽的FET处在最大沟道温度(42.1℃)时,具有极低的热阻(16℃/W)。其射频特性为,在V_(ds)=7V时,对应于1dB功率压缩点下的功率输出高达27.9dBm,功率附加效率为32%;当频率为18GHz时,线性增益为8.3dB。该器件同时也具有很优异的功率密度,当V_(ds)=8V时,其值为0.54W/mm。在机械可靠性方面这种结构也? 相似文献