钢带电子束真空镀膜

钢带电子束真空镀膜蒋观源ＶａｃｕｕｍＣｏａｔｉｏｎｏｆＳｔｅｅｌＳｔｒｉｐＢｙＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｇｙｕａｎＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｖａｃｕｕｍｃｏａｔｉｎｇｏｆｓｔｅｅｌｓｔｒｉｐｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｉｓａｎｅｗｔｅｃｈｎ...     

平板玻璃真空镀膜机蒸发舟源新佳分布的计算

本文针对平板玻璃蒸发镀膜机中的膜厚分布问题，详细讨论了如何通过合理布置蒸发舟源的空间位置，获得理想均匀的膜厚分布。具体介绍了膜厚计算的模型、公式及计算程序流程图，最佳蒸距的选择和最佳源间距的计算方法，并给出了一些最优化计算的结论、曲线和设计实例，可供设计中参考利用．     

真空镀膜机的X射线形成及其防护

本文仅对真空镀膜机产生的X射线的形成、对人体的危害、计算及其防护等进行简单的分析和计算。     

钢带电子束真空镀膜

钢带电子束真空镀膜钢带表面镀膜加工的新工艺具有工艺灵活、镀膜均匀牢固、生产无污染等特点，是高质量多用途钢带新产品，有效的生产方法，是传统镀膜方法的发展和补充。     

薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（ＥＢＥ）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子呸蒸发技术引入离子源放电室内，使的蒸发和游离一同一放电室内完成，该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括Ｃ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｒ〉Ｎ以及Ｃ和Ｎ，Ｔｉ等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为３．６ｃｍ，其最大引     

薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（EBE）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子束蒸发技术引人离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在同一放电室内完成。该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括C，W，Ta，Mo，Cr，Ti，B，Cu，Ni，Al，Ar，N以及C和N，Ti等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为3．6cm，其最大引出束流可达到90mA。利用此源引出的离子束流可在膜基间形成具有良好共混的过渡层，其沉积速率Mo约为2．5nm／s，C可达到8nm／s。     

用电子束蒸发法制备ZrO2薄膜

采用电子束蒸发的方法制备ＺｒＯ２薄膜，经Ｘ射线衍射和Ｘ光电子能谱分析证实：薄膜为具有立方结构的ＺｒＯ２薄膜，薄膜中缺氧，Ｙ原子的百分含量比蒸发原料中高．     

真空镀膜技术的最新进展

本文介绍了旋转磁控溅射和电弧离子镀技术的最新进展。论述了旋转圆柱磁控溅射靶Ｃ－Ｍａｇ孪生磁控溅射靶Ｔｗｉｎ－Ｍａｇ和旋转磁控柱状弧源的特性及其应用。本文还对Ｌｏｗ－Ｅ膜和ＩＴＯ膜的制备工艺和设备进行了分析研究,并指出今后发展方向。     

ZG—15型卷绕镀膜机感应加热式蒸发源的设计

感应加热式蒸发源用于卷绕式真空蒸发镀膜机蒸镀铝膜，近年来在日本得到了广泛 地应用。为了把这一先进技术在国内加以应用推广，本文在介绍了感应加热式蒸发源加 热蒸发原理的基础上，对蒸发源的结构及其主要参数、感应加热器的电气参数计算及感 应源的电气原理等方面作了详尽地论述。文中最后还就蒸发源有关的设计问题，诸如坩 埚与蒸镀辊的距离、坩埚之间的布置及输电导线的设计等问题做了介绍，并且指出了这 种蒸发源在运转过程中应注意的几个问题。     

电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力测量

在圆形硅基底上采用电子束加热蒸发制备了二氧化钛薄膜。薄膜应力测试结果表明,二氧化钛薄膜的内应力分布是不均匀的;二氧化钛薄膜的内应力集中主要出现在薄膜的边缘区域,有正应力的集中也有负应力的集中。原子力显微镜(AFM)结果显示,不同的沉积速率和沉积温度下制备的二氧化钛薄膜具有不同的晶体结构和应力分布;沉积速率和沉积温度对二氧化钛薄膜内应力的影响是明显的,可以通过选择合适的沉积参数使内应力降低或达到最小。     

超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究

用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化合处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜，用Ｘ射线衍射，傅立叶变换红外光谱和Ｘ射线光电子能谱等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１０００℃分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。     

电子束蒸发与磁控溅射镀铝的性能分析研究

通过对半导体器件电极制备的两种方法即电子束蒸发与磁控溅射镀铝的比较，详细分析了两种方法的膜厚控制、附着力，致密性、电导率和折射率等重要性能指标，测试结果分析表明磁控溅射铝膜的综合性能优于电子束蒸发。     

半连续式真空镀膜机电阻加热式蒸发源排列的探讨

本文对引进镀膜机蒸发源的排列从理论上进行了分析，根据分析结果将蒸发源重新排列，在生产实践中取得了明显的节材、节能的经济效益。     

电子束蒸发氧化钛薄膜的化学成分与显微结构

用电子束蒸发的方法在Ti盘上沉积氧化钛薄膜。分别用场发射扫描电镜,X射线光电子谱和X射线衍射分析所制备薄膜的表面形貌、化学成分和晶体结构,所制备的氧化钛薄膜的晶体结构依赖于制备过程中的沉积参数,薄膜的成分主要为金红石结构,是包含TiO2,Ti2O3和TiO三种结构的多晶体,随着沉积过程中氧气流量的增加,所制备的薄膜中高价钛离子(如Ti4+)的含量不断增大,同时低价钛离子(如Ti2+)的含量不断减小。随着氧气流量的增加和后续热处理温度的升高,薄膜的结晶度不断增大,并呈现出单一金红石(101)相位的趋势。     

电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究

用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂.详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响.实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2 Pa、沉积速率0.2 nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2:Ti0质量比1.7:12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率.     

超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅

采用超高越空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜上材料的微结构,原子力镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射／沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对在5mA／cm^2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅。     

电子束蒸发制备CuAlO2透明导电膜及光学性质

利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.     

电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.     

钢带真空镀膜的技术动向

钢带连续真空镀膜是当今金属表面加工的新技术，国外发展已进入工业生产阶 段，几年来我国在开发研制这项新技术方面取得了一定成效。本文重点介绍了国内外钢 带连续真空镀膜的特点以及工艺、设备发展动向。