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本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。 相似文献
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Si基GaN上的欧姆接触 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Si基GaN上的欧姆接触,对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5*10^-3Ω.cm^2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4*10^-5Ω.cm^2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定 相似文献
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本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
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高分子p—n异质结太阳电池的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
用合成的十二烷基苯磺酸(DBSA)掺杂的聚苯胺(PAn)导电材料和Bei染料组合,采用涂覆技术,研制成SnO2/PAn膜/Bei染料薄层/Al栅电极结构和Al/PAn导电基片/Bei染料薄层/Al栅电极结构的p-n异质结太阳电池,测定了该电池的光电效应和伏安特性,在4.72mW/cm^2的氙灯照射下,开路电压Voc达400mV短路电流Isc为10μA,填充因子可达57.4%,光电转换效率为0.09 相似文献
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GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献
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二价离子替代的Nasicon及其应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
含二价阳离子的Nasicon,M ̄(2+)Nasicon(M=Mg、Ca、Sr、Zn)可由母体Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。X射线衍射分析结果表明离子交换后的产物M ̄(2+)-Nasicon大多保持原母体的C_(2/c)结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Nasicon的电导率相差甚大。其中最好的是Mg ̄(2+)-Nasicon,其电导率在400℃时可达到1.48×10 ̄(-2)S/cm。Mg ̄(2+)-Nasicon用作微功率固态电池Mg/CuCl的电解质,该电池的开路电压为2.07V,短路电流为1mA。平均放电电压为1.6V,电池的放电容量是3.4mAH。 相似文献
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钛对FeAl金属间化合物高温氧化行为的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
探究了钛元素对FeAl金属间合理化物在1000℃和1100℃大气环境下的循环氧化行为的影响。合金的氧化动力学过程通过增重法测定,氧化产物通过X射线衍射、能谱和扫描电镜等鉴定。实验结果表明,加钛和未加钛Fe-36.5Al合金的氧化动力学曲线均可拟合为抛物线;(△W/S)^2=Kpt+C。加钛FeAl合金在1000℃和1100℃时的Kp值分别为2.4,3.3mg^2cm^-4h^-1。而未加钛Feal 相似文献
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利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlGaAs量子阱结构。表征材料纯度的77K载流予迁移率分别达到GaAs:μ_n=56600cm ̄2/V·s,Al_(0.25)Ga_(0.75)As:μ_n=5160cm ̄2/V·s,InP:μ_n=65300cm ̄2/V·s,GaSb:μ_p=5076cm ̄2/V·s。由10个周期的GaAs/AlAs超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶X射线回摆曲线上高达±20级的卫星峰。GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As量子阱最小阱宽为10,在liK下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为390meV,其线宽为12meV。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 相似文献
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NH3-MBE生长极化场二维电子气材料 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm^2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm^2/Vs(RT)和1700cm^2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2*10^13cm^-2(RT)和2.6x10^13cm^ 相似文献
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将MCs^+--SIMS技术应用扩展到了金属/绝缘体(T i/Al2O3)界面分析。实验表明,选用MCs^+进行分析时,克服了界面效应,取得了较好的组分分布的分析结果。随退火温度升高(室温,300,600,850℃)界面逐渐展宽,说明界面两边存在互扩散或发生了反应,且互扩散随退火温度升高而逐渐加强。随着退火温度升高,AlCs^+的信号逐步进入Ti层相应区域中,并形成两层平台,表明Al逐渐扩散到Ti 相似文献
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为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用X射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C,O含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在GaAs/AlGaAs 面及AlGaAs层的O含量分别为7.6%和10.6%,C深度分别为5.2×10^18atoms/cm^3和1.0×10^19atoms/cm^3,而国外的材料的O含量相应为1.0 相似文献
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等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长 总被引:3,自引:0,他引:3
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)基片上已经成功地低温制备出AIN多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度DE=1.0J·cm^-2,脉冲频率f=5Hz,氮气气压PN2=1.33×10^4Pa,基底温度tsub=200℃,放电电压V=650,基靶距离ds-T=4cm时薄膜的生长速度等于6nm/min。AIN薄膜的折射率为2.05,和基底的取向关系分别为:AIN 相似文献
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本报道了SrV6-xAlxO11固溶体的形成条件,固溶体各组份的结晶学参数和电导性能,从结构上讨论了Al^3+部分取代对固溶体各组份晶胞参数的影响,用简单的Arrhenius模型拟合ln与1000/T之间的关系,并据此计算得固溶体各组份的活化能和指前因子,固溶体各组份均具有较高的室温电导率,其中x=0.6组份为最大,其值害1.0×10^-1S.cm^-1。 相似文献
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Al2O3—SiC纳米复合陶瓷的准分子激光表面改性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用XeCl准分子激光器(波长308nm)照射Al2O3-SiC纳米复合陶瓷试样,能量密度在0.8~6.0J/cm^2范围内。照射后,表面缺陷消除,形成连续分布的光滑平整的熔化层,并出现亚稳相γ-Al2O3。由于表面形貌的改善和结构的变化,使表面韧性K1c得到提高。 相似文献
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