基片温度对磁控溅射沉积二氧化硅的影响

本文详细地研究了基片温度对磁控溅射沉积二氧化硅的影响,随着基片温度的增加,溅射沉积速率下降明显,薄膜的折射率也出现上升趋势,薄膜也由低温时的疏松粗糙发展为致密光滑.250℃时的溅射沉积速率仅为室温时的1/3,由此,针对间歇式在大面积玻璃上沉积二氧化硅薄膜,我们采取了沉积完ITO薄膜后,先快速降温,再沉积二氧化硅的工艺.     

单体流量对大气压等离子体枪沉积二氧化硅薄膜的影响

大气压非平衡等离子体枪是近年来发展的一种新型的薄膜沉积方法,由于其相较于传统的气相镀膜方法,具有常压、低温、沉积速率快、设备简单等优点,一直以来受到了人们的广泛关注。利用这种类型沉积设备,以四乙氧基硅烷(TEOS)为先驱体,研究常压下沉积的二氧化硅薄膜的性质和规律。实验中,以氮气和少量氧气组成的混合气体作为等离子体的发生气体,以氮气作为单体的载气,并调节载气流量在60~160mL/min之间。通过光学椭偏仪、红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)对所沉积的薄膜进行表征。结果表明,在硅衬底表面沉积的薄膜为包含OH基团的二氧化硅薄膜,且在薄膜的表面嵌有球状颗粒。随着TEOS流量的增加,薄膜中OH基团含量、表面颗粒含量和尺寸都显著增长。分析认为,TEOS流量增加引起的薄膜组分和表面形貌的变化,是由沉积速率变大引起的。     

大气压等离子体制备类二氧化硅薄膜的实验研究

本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为硅的先驱粒子,氮或氩气为稀释气体,进行了大气压等离子体化学气相沉积类二氧化硅薄膜的实验研究.运用红外光谱(FTIR)、光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对沉积的薄膜进行结构和表面分析.实验表明,当功率一定时,在低的HMDSO含量下,硅衬底上得到了一层平整、致密、连续的薄膜沉积.红外吸收谱分析呈现出明显的Si-O-Si吸收峰,表明了类二氧化硅结构,其中的[Si]/[O]含量比达到1∶1.56.当HMDSO含量增加时,薄膜中含碳键成分增加,薄膜表面的大颗粒增多.相对地氮气而言,氩气在大气压下更容易获得稳定均匀的等离子体和更大的生长速率/功率比.     

SiO2薄膜制备的现行方法综述

在导电基体上制作薄膜传感器的过程中,需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜.二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能,并且稳定性好,膜层牢同,长期使用温度可达1000℃以上,应用十分广泛.通常制备SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶-溶胶法等.本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合,并对这些方法做了比较.     

二氧化硅溶胶及其自组装薄膜的制备

以氨水为催化剂,通过水解正硅酸乙酯制备了乳白色二氧化硅溶胶,采用静电自组装薄膜技术制备了聚电解质/二氧化硅复合薄膜,并通过热处理制备了二氧化硅薄膜.采用透射电镜、红外光谱仪、721分光光度计对二氧化硅溶胶和薄膜进行了分析.     

硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究

报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅（SiO2)薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的SiO2薄膜的化学配比和元素化学态进行了SAM和XPS分析，测试了膜层对钠离子（Na^ )阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率。研究表明作者开发的中频双靶反应磁控溅射沉积SiO2薄膜的设备和工艺可以高速率、大面积制备高质量的SiO2膜。     

微波等离子体CVD法制备β—SiC薄膜

本研究采用微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD),以三氯甲基硅烷和氢气为原料,在高纯石墨基片上制备出β-SiC多晶薄膜。随沉积条件不同,其薄膜有黑、灰、黄、褐等4种典型颜色。实验表明,氢气与三氯甲基硅烷的比率是影响薄膜外观颜色的最主要因素。XRD分析表明,黑色薄膜中存在游离碳,黄色及褐色薄膜中含有游离硅,仅灰色薄膜组分较纯。该法制备薄膜生长速度快且晶粒均匀细小。光电子能谱分析发现薄膜表面存在二氧化硅、吸附氧及CHx基团等,这是薄膜制备中的主要杂质。     

复合电沉积制备石英管薄膜电阻的研究

为了能在石英玻璃管上获得一层具有一定电阻值的薄膜用以制备离子加速器,采用复合电沉积的方法进行,以化学镀Ni-P合金的石英玻璃管为基体,以硫酸镍为主盐的电镀液中加入二氧化硅纳米级微粒,通过复合电沉积的方法获取了在基体表面呈弥散分布的Ni-P-SiO2 复合镀层,讨论了各参数(阴极电流密度,镀液成分等)与电阻之间的关系,用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱(EDX)等手段对涂层表面形貌、微观结构进行检测,并且使用万用电表和SDHC型数字点式测量仪对表面电阻率进行了分析测量,实验结果表明,通过复合电沉积的方法可以使得不导电的石英玻璃管表面形成具备一定电阻值的电阻薄膜,并且电阻率大小与镀层中二氧化硅含量的成正比关系.随着二氧化硅含量的增加,电阻率可达到6.017×103μΩ·cm.     

微波等离子CVD法在石英玻璃上生长金刚石薄膜

在真空条件下采用氢气刻蚀二氧化硅形成硅膜，用微波等离子化学气相沉积法在玻璃上生长金刚石薄膜，并用X射线衍射、Raman光谱和光电子能谱对石英玻璃上的金刚石薄膜进行分析，指出其形成中间层SiO2/Si/SiC/C（金刚石）是在石英玻璃上生长金刚石薄膜的关键。     

氧分压影响中频磁控溅射沉积SiO_2薄膜光学性能研究

采用中频反应磁控溅射沉积非晶二氧化硅(a_SiO2)薄膜,用X射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱等方法研究氧分压影响退火前、后的两种SiO2薄膜样品的微观结构、折射率和消光系数等特性的变化规律。结果显示:室温下,沉积速率随氧分压的增大而减小,有利于提高薄膜的光滑性和致密度;在不同氧分压下沉积的SiO2薄膜均为非晶态结构;氧分压为25%时,薄膜表面具有均匀、光滑、致密的性能特征;折射率和消光系数都依赖于氧分压,氧分压大于15%时,薄膜在600 nm处的折射率n约为1.45～1.47,消光系数低于10-4。这表明适当提高氧分压有利于获得光学性能较好的SiO2薄膜。傅里叶红外吸收光谱测试表明,随着氧分压的升高,Si-O-Si伸缩振动峰向高波数方向移动,较高氧分压下沉积的SiO2薄膜具有较高的化学结合能,且结构和性能更稳定。     

聚乙烯醇/纳米二氧化硅复合薄膜的制备及性能

采用改性纳米二氧化硅,利用熔融挤出法制备出聚乙烯醇/纳米二氧化硅复合薄膜,考察了纳米二氧化硅粉体对复合薄膜综合性能的影响。结果表明,改性纳米二氧化硅粉体在聚乙烯醇薄膜中分散均匀,纳米二氧化硅粉体的加入可使聚乙烯醇薄膜的熔融温度降低10℃左右,热分解温度提高30℃,断裂伸长率提高为原来的142%,耐水性提高为原来的2.4倍,且当纳米二氧化硅粉体的添加量在0.3%以上时,聚乙烯醇薄膜材料在200 nm~280 nm波长范围内的紫外线透过率均为零。     

蓝宝石衬底上制备SiO2薄膜的研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,成功地在蓝宝石基片上制备出了二氧化硅(SiO2)薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;和其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜;制备出的SiO2薄膜在3～5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透效果.     

热原子层沉积技术制备的TiAlC薄膜的性能

为了解以热原子层沉积技术制备的TiAlC薄膜的特性,在不同基底温度下,以硅和二氧化硅为基底材料制备了TiAlC薄膜;采用椭偏仪、分光光度计、X射线光电子能谱、原子力显微镜、X射线衍射仪对薄膜的性能进行了测试。结果表明:随着基底温度的升高,TiAlC薄膜平均透射率逐渐降低,吸收边产生红移,光学带隙由2.56eV降低到0.61 eV;薄膜的沉积速率由0.09 nm/cycle升高到0.20 nm/cycle,表面粗糙度由1.82 nm降低到0.49 nm;不同基底温度下生长的薄膜均为无定型结构;膜层中的氧源于空气的自然氧化,且膜层的氧化程度与膜层中TiC的含量及膜层的致密性有关;TiAlC薄膜的形成主要源于高温条件下TiC的形成及三甲基铝的分解。     

纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征

以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶 凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜。适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为 9~15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400~1000nm;折射率为1.09~1.24;介电常数为1.5~2.5。该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10~20nm。     

薄膜厚度对胶体晶体薄膜光学特性的影响

通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。     

提高BOPET薄膜表面质量 满足高档印刷要求

一、现在BOPET印刷 镀铝 烫金薄膜的表面质量情况 1．添加剂对薄膜表面质量的影响：目前生产BOPET薄膜所采用的抗粘结剂大部分是二氧化硅,二氧化硅遇到水分子极易凝聚,因此在酯化和缩聚时,加入二氧化硅,必须在乙二醇中均匀分散后才能加入到酯化中。     

高纯硅烷的制取

一、前言 硅烷是发展电子工业所必需的特种气体之一，它广泛应用于集成电路和半导体器件中的掩膜工艺(沉积二氧化硅薄膜，氮化硅薄膜、磷硅玻璃等)、钝化工艺(淀积氮化硅薄膜)和介质隔离工艺(生长多晶硅栅等)。在微波器件中，进一步结合外延技术，用硅烷热分解制得同质外延片和异质外延片，为微波器件提供了新型的基片。最近又发展了把硅烷作为砷化镓微波器件的离子注入源和激光器的介质，以及光纤通讯纤维的原料。     

真空气相沉积可控制备有机半导体单晶薄膜

利用多温区温度可控的真空气相沉积设备,在热氧化硅片衬底上沉积了并五苯（PEN）与甲氧基寡聚苯乙烯撑（MOPV）2种有机半导体材料的薄膜。研究了不同的沉积条件下有机半导体材料在二氧化硅衬底上的成核和生长模式。MOPV的生长遵循Volmer-Weber模式。在理想的条件下分别得到了岛状与线状的单晶结构。偏振显微荧光研究证明单晶纳米线有显著的荧光各向异性。     

纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及性能

以N(C_8H_(15))_4~+OH~-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(OC_2H_5)_4-x(OH)_x及二氧化硅胶粒Si_xO_y(OH)_z~(+n)表面Si-OH形成氢键,抑制了二氧化硅的聚沉。聚乙烯醇(PVA)使粒状二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜由致密结构转化为均匀纳米多孔结构是构成薄膜的二氧化硅胶粒在热处理时聚集和塑性形变的结果。多孔二氧化硅薄膜的折射率为1.27～1.42,介电常数为1.578～2.016,热导率为0.2W/(m·K)。     

立方MgxZn1-xO晶体薄膜的制备和性能

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x＞0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x＞0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7～1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低.