第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。     

两款新型1200V IGBT模块

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块FMG2G50US120和FMG2G75USl20，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff），提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。飞兆半导体的新型1200VIGBT功率模块还具有极低的VCE(sat）温度变化偏差。额定值为75A的     

Littelfuse发布新款IGBT和整流器二极管模块

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交     

一种通过1200伏高压集成电路（1200V HVIC）驱动的1200伏传递模塑的整流-逆变-闸流模块（CIB）

传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIP IPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200V CIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIP CIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。     

最新第三代MOSFET功率模块兼顾尺寸和效率

通过优化芯片工艺和封装技术,最新第三代MOSFET功率模块实现了更高的效率、开关频率和功率密度,满足了服务器和基站等低压MOSFET应用市场的需求。     

产品汇总：分立半导体

面向各种无线通信应用的超小封装场MOSFET,超小型SOT-963封装MOSFET,高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块,新型2．3A PolyZen电路保护器件,30V TrenchFET功率MOSFET.     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

工业牵引应用的采用软穿通IGBT技术的大功率模块

随着采用1700V-SPT（软穿通）IGBT LoPak密集型封装结构模块类型，和为了进一步开发利用新的1700V—SPT IGBT和二极管芯片的特性，出现了新的封装类型的模块：即电压1700V，电流额定值为2400A，封装形式为“E1”和“E2”工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上，设计了新的封装类型，其特性适用于牵引市场。在本文中，讨论了1700V—SPT IGBT（E1／E2）模块范围的特性，尤其论述了改进的静态和动态特性。     

隔离式DC／DC转换器

ADuM6000采用10mm×10mm封装并集成ADI公司的专有iCoupler数字隔离技术和isoPowerDC／DC转换器,其功率和隔离额定值分别为0．5和N5kVrms。     

卷首语

本刊经2008年在上海举办的PCIM学术研讨会（PCIM china2008）同意，翻译了其全体会议上的三篇综合报告：《光伏逆变器市场、技术和发展趋势》、《用于可持续发展的电能变换器应用的功率器件》和《第六代1200V槽栅FS-IGBT模块》，现于本期刊出。