原位反应合成法制备AgSnO2Bi2O3电接触材料及其性能研究

以熔炼-雾化法合成AgSnBi合金粉体为原料,采用原位反应合成法制取AgSnO_2Bi_2O_3中间体粉体;采用粉末冶金技术制备了AgSnO_2Bi_2O_3电接触材料,重点探究了成型压力、烧结温度等对其物理性能及断口微观组织的影响规律。采用扫描电子显微镜(SEM)、X-ray衍射分析仪(XRD)、电导率仪、维氏硬度计等对AgSnO_2Bi_2O_3电接触材料的微观形貌、物相组成及物理性能进行相应的表征。研究结果表明:熔炼-雾化法制得的AgSnBi合金粉体形貌上呈球状及棒状颗粒,平均颗粒尺寸为10～20μm。AgSnBi合金粉体氧化前的物相主要由Sn、Ag4Sn、Ag3Sn及Bi相构成;随着氧化温度的升高,AgSnBi合金粉体的氧化增重量先快速增加而后趋于稳定,并于800℃、2 h条件下实现完全氧化。由物理性能关系曲线分析得出在成型压力1200 MPa、烧结温度920℃、颗粒粒径400目条件下,AgSnO_2Bi_2O_3电接触材料的电阻率、硬度及密度达到最佳值,分别为2.32μΩ·cm、78.2 HV0.5与9.352 g/cm3。由微结构分析得出AgSnO_2Bi_2O_3电接触材料自然断口表面不存在明显的韧窝带,其断裂类型判定为脆性断裂。     

Bi_2O_3添加对NFC用NiCuZn铁氧体性能的影响

按组成Ni_(0.28)Cu_(0.27)Zn_(0.45)Fe_(1.91)O_(3.82)制备了NiCuZn铁氧体,在预烧料中添加0.5wt%的Co_2O_3和x的Bi_2O_3(x=0.05,0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,3.0 wt%),在900℃烧结后测试样品微观形貌和磁特性。结果表明,非磁性相Bi_2O_3的引入,一方面导致NiCuZn铁氧体晶粒的生长机制发生变化,从而影响材料磁特性,另外作为非磁性相,其加入量的不同也对磁特性带来不同的影响。少量(x=0.05 wt%~0.3 wt%)Bi_2O_3添加,晶粒平均尺寸为1.4~1.6μm,在获得致密的单畴晶粒结构的同时带来了材料Bs和磁导率μ的提高;当添加量增大时(x=0.5 wt%~3.0wt%),由于非磁性相的增加,磁导率μ与Bs均降低。最佳磁特性m￠值在Bi_2O_3添加为0.1wt%时获得,为196,m2值为3。     

带有YSZ保护膜的Bi_2O_3基固体电解质燃料电池的制备及其性能分析

用带(ZrO_2)_(0.92)(Y_2O_3)_(0.08)(YSZ)保护膜的Bi_2O_3基固体电解质(Bi_20_3)_(0.75)(Y_2O_3)_(0.25)、(Bi_2O_3)_(0.75)-(Gd_2O_3)_(0.25)、(Bi_2O_3)_(0.08)_(0.25)和(MoO_3)_(0.25)做成燃料电池.在600～800℃,将其输出特性与用纯的(ZrO_2)_(0.92)(Y_2O_3)_(0.08)做电解质的燃料电池进行比较.Bi_2O_3基电解质燃料电池的输出功率高于YSZ电解质的,这是由于Bi_20_3基固体电解质具有较高的氧离子导电率;Bi_20_3基电解质燃料电池的开路电压比YSZ的低,是由于Bi_20_3基电解质中存在着一定的电子导电率.从材料的结构、机理上对所得结果进行了分析.     

内氧化法AgSnO_2In_2O_3电触头材料研究现状

介绍了内氧化的理论基础,从工艺流程、组织、性能及添加剂方面综述了内氧化法银氧化锡氧化铟(AgSnO_2In_2O_3)电触头材料的研究现状,并展望了内氧化法AgSnO_2In_2O_3电触头材料的发展趋势。     

SnO_2粒度对化学共沉积法AgSnO_2(12)触头材料性能的影响

选取平均粒度分别为0.5μm、2μm、5μm、8μm的SnO_2,采用化学共沉积法制备相应的AgSnO_2(12)触头材料,使用模拟试验装置在交流阻性负载下进行电寿命、耐电弧侵蚀和熔焊力等试验,考察了SnO_2粒度对AgSnO_2触头材料性能的影响。结果表明,平均粒度为0.5μm的SnO_2对AgSnO_2(12)触头材料的力学物理性能影响最大,但其模拟电性能最好。     

3MW波导大功率隔离器的研制

本化介绍了采用Bi_(0.5)Ca_(2.5)V_(1.25)Fe_(3.75)O_(12)柘榴石材料研制的L波段3MW波导大功率陷离器,并讨论了避免大功率非线性效应及合理地选择铁氧体材料的原则。     

大晶粒掺锡多晶钙钒石榴石的微波损耗

引言以前曾对组份为{Ca_(3-Y)Y_Y}[Fe_(2-X)Sn_X](Fe_(1.5 0.5X 0.5Y)V_(1.5-0.5X-0.5Y))0_(12)进行过研究,并对在9GHz时线宽降低到3奥,4πMs为470-1950高斯,Tc>140℃的材料进行了叙述。在获得了降低ΔH的材料结构也可降低非谐振损耗的知识之后,为获得具有低的非谐振损耗材料,我们进行了一系列试验,本文将详尽叙述几种晶粒尺寸的{Ca_(1.4)Y_(1.6)}[Fe_(1.5)Sn_(0.5)](Fe_(2.55)V_(0.45))。O_(12)材料的谐振和非谐振时的微波损耗。     

P_2O_5-Co_2O_3-Bi_2O_3掺杂NiCuZn/PZT复合材料的电磁性能

首先用sol-gel法制得Pb_(0.95)Sr_(0.05)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)纳米粉料,然后采用固相反应法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料,研究了P_2O_5-Co_2O_3-Bi_2O_3组合掺杂对复合材料性能的影响.结果表明,当固定质量分数w(Bi_2O_3)=2.5 %,w(P_2O_5)=0.5 %,适量的Co_2O_3掺杂可同时提高复合材料品质因数Q、起始磁导率和介电常数,并降低材料的介电损耗.当w(Co_2O_3)=0.3%时,材料的综合电磁性能最佳.所制备的材料满足叠层片式电容器和电感器件的性能要求,有望成为用于叠片式滤波器的电感、电容复合双性材料.     

BZB和Bi_2O_3添加对NiCuZn铁氧体微观结构及直流偏置特性的影响

在(NiO)_(0.39)(CuO)_(0.21)(ZnO)_(0.39)(Co_2O_3)_(0.005)(Fe_2O_3)_(0.95)的铁氧体预烧粉体中掺杂固定含量的Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3(BZB)玻璃和不同含量的Bi_2O_3,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等对材料物相组成和微观结构进行了分析,并在此基础上探讨了材料微观结构、矫顽力H_c对材料直流偏置性能的影响。研究发现,适量掺杂时,样品不仅得到最高矫顽力H_c,而且微观形貌呈现出较多特殊多重显微结构。这种特殊显微结构有利于形成较强的退磁场,使样品在较强外加直流偏置场时磁感应强度不易趋于饱和,进而提高样品抗直流偏置能力和饱和磁感应强度。其中,当BZB与Bi_2O_3的掺杂量为0.45 wt%和0.06 wt%时,样品H_(70%)达到最大626 A/m。     

石墨烯/Bi2O3的制备及其电化学性能

采用溶剂热法制备了不同质量比的石墨烯/Bi_2O_3复合材料。经X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等表征了产物的组成、结构和形貌;通过循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗对复合材料的电化学性能进行了研究。结果表明:所合成石墨烯/Bi_2O_3复合材料分散均匀,电化学性能优异,内阻较小。当氧化石墨与Bi_2O_3质量比为1∶1时,电化学性能最佳;在1 A/g电流密度下,比电容达到了753 F/g;10 A/g电流密度下,电容保持率高达87%,具有良好的倍率性;在2 A/g电流密度下经1 000次充放电循环,比电容保持率为71%。