内圆外方同轴传输线中的TEM波及其特性阻抗

在引用相关文献结论的基础上,首先由静态场在相同边界条件下得出电场的解,再乘以波动因子得到TEM波的电场解,然后根据由麦克斯韦方程所联系的电场与磁场的关系,得到磁场的分布,从而给出内圆外方同轴传输线中TEM波的电磁场分布规律,通过Matlab绘制出TEM波在其横截面上的结构图,计算出其特性阻抗。研究结论对于计算该传输线的衰减系数,了解其功率容量,考虑功率耦合及设计有关的有源器件均有一定的参考价值,对任意截面传输线研究也具有理论意义。     

同轴矩形锥传输线的特性阻抗

本文采用三维保角变换将矩形锤区域变换成柱域后求得了对称同轴矩形锥状传输线特性阻抗的上、下限值及用它们均值表示的传输线特性阻抗,为合理设计宽带横电磁波传输室(BTEM Cell)提供了理论依据。     

正多边形外导体-圆形内导体同轴传输线特性阻抗的计算

本文提出一种计算正多边形外导体-圆形内导体同轴传输线特性阻抗的方法。由它可以得到正三(四、五、六)边形外导体-圆形内导体同轴传输线特性阻抗的可靠的上限和下限值。当r/R0.5(0.6)时,由它得到的上限和下限值十分接近,有一定的实用价值。     

圆形外导体-复杂形状内导体同轴传输线特性阻抗的计算

本文由Meleontiev方法将任意复杂形状的单连通区域的外部变换为单位圆的外部,利用多项式变换函数的性质和复杂形状内导体边界的等效圆半径变化的一般规律,给出了具有圆形外导体-复杂形状内导体一类传输线的解。通过与文献中准确值的比较,证实了本文方法的准确性和实用性。     

直线法分析超导共面波导传输线

本文在直线法分析共面波导传输线的基础上，针对直线法的特点，利用麦克斯韦方程组中的欧姆定律以及超导体复电导率的概念，将二流体模型引入到分析中。从而计算出具有一定厚度超导薄膜的共面波导传输线的色散特性和衰减特性。由于直线法是一种半解析半数值的方法，和其他复杂的场分析相比节省了大量的计算时间，同时保证了计算精度，避免了常用的利用表面阻抗引入超导体复电导率的准静态分析方法。并且对于导带是理想导体、有耗普通     

直线法分析超导微带传输线

本文首次应用直线法结合二流体模型对超导微带传输线进行了分析。针对多层介质结构和普通结构，分别计算了衰减特性、色散特性以及特性阻抗。结果表明超导微带线比普通导体微带线具有更好的性能，如低损耗、低色散和较小的电路尺寸。与已发表的文献相比较验证了本文方法的可行性。     

同轴双线型加载传输线特性阻抗的计算

本文应用三次样条边界元法(CSBEM)分析了一类特殊结构的TEM波传输线,得出了一组特性阻抗曲线,利用这类传输线可在同一同轴系统内传输多路信号,亦可制作微波无源器件.     

采用边界元法求解带状传输线的特性阻抗

本文运用边界元法研究了带状传输线特性阻抗的求解,推导出了有关表达式,并对一些典型的例子进行了计算。得到的数据均与其它方法的结果进行了比较;文章所述方法具有计算量小、结果精确、处理问题灵活等特点。     

一种基于同轴波导的异向传输线

该文提出了一种基于同轴波导的新型异向传输线,与现有基于微带电路的异向传输线相比,这种结构有更高的工作频率、损耗较低和更大的功率容量;与基于同轴波导和矩形波导的异向传输线相比,其结构更简单容易实现。等效电路与有限元仿真的结果均表明这种结构在特定的频段表现出明显的异向特性。     

偏心特种截面传输线特性阻抗的分析计算

本文提出了计算偏心特种截面传输线特性阻抗的部分模拟电荷法。由于外导体边界1上的边界条件准确满足,所以这种方法精度较高、且计算量小。文中提出用高斯列主元消去法与最优化方法相结合的技术求解模拟电荷方程组,是提高精度和保证收敛的一种有效算法。文中给出了外导体边界1为圆形、椭圆形、矩形、槽形和平板形五类传输线的Green函数,且对特性阻抗值进行了计算。     

射频同轴传输线的设计仿真与加工工艺

基于SU-8和BPN紫外负性感光胶,结合微电镀工艺加工制作射频同轴传输线,以实现射频器件信号的传输与耦合。首先确定在阻抗匹配情况下同轴传输线特性阻抗为50Ω的同轴传输线的具体尺寸,然后通过HFSS仿真软件对设计的结构进行模拟仿真。通过仿真结果验证设计的可行性,采用紫外光刻技术利用SU-8光刻胶做出内导体支柱,并用BPN光刻胶做出结构,对结构进行电镀。最后将BPN光刻胶剥离,即可得到射频同轴传输线。此方法制得的同轴传输线具有介质损耗小、辐射损耗小、无色散、带宽大和抗干扰强的优点,适用于高性能射频和微波电路。另外,它的制作工艺能与其他射频和微波器件及集成电路工艺兼容,便于与射频和微波电路集成。     

几种复合传输线特性阻抗的计算

本文就高速光电器件微波封装提出了有希望的几种复合传输线（微带＋共面线，屏蔽微带＋共面线，微带＋不对称共面线），采用边界元法计算了它们的特性阻抗，给出了几组有工程价值的计算曲线，并讨论了实验结果。     

MEMS铜基微同轴传输线性能仿真及测试

研究了一种新型的MEMS超宽带铜基微同轴传输系统。设计了特性阻抗为50Ω铜基微同轴传输线结构,其仿真电压驻波比(VSWR)在DC～110 GHz内低于1.15。且设计了可用于探针台测试和芯片金丝键合的地-信号-地(GSG)转接结构,仿真插入损耗低于0.1 dB。采用该微同轴结构和GSG转接结构设计了用于探针台测试的直通-反射-传输线(TRL)校准套件,利用薄膜工艺加工得到了铜基微同轴传输线及校准件实物,通过实验测试得到该微同轴传输线DC～40 GHz最大插入损耗为0.35 dB/cm,通过仿真拟合推算其110 GHz下的插入损耗约为0.65 dB/cm,该插入损耗性能显著优于平面印刷传输线,同时,该微同轴传输线的体积远小于波导传输结构,可以用于研制小型化、高性能、高集成密度微波/毫米波系统。     

带调谐隔板耦合微带线色散特性的直线法分析

本文采用直线法与等效传输线法相结合分析了带调谐隔板耦合微带线的色散特性。通过在电路的两侧人为地插入电壁或磁壁,分别解出电路的偶模与奇模有效介电常数。     

用矢网测量非50Ω传输线特性阻抗的方法

1引言 传输线特别是同轴传输线在射频系统或测试系统的外接线中得到很广泛的应用,而在评估传输线时,通常需要测鼍的参数包括特性阻抗Z0,单何长度C,传播常数γ=α＋β,其中α—相位常数,β—衰减常数。