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相似文献
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1.
声表面波SAW(Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别作输入换能器和输出换能器。  相似文献   

2.
3.
SAW直接频率合成源用高性能滤波器组   总被引:1,自引:1,他引:0  
评述了频率合成器用滤波器组的特点和国外水平,首次报道用低损耗滤波器研制的10信道高性能声表面波滤波器组,假信号抑制大于80dB,插入损耗仅12dB,体积仅50mm×35mm×13mm。  相似文献   

4.
本文提出了一种新的通用分解优化设计方法,它先将频域设计目标函数通过采样与内插重构以及Z域零点分离法分解为两项再进行优化,适用于长重迭加权的加权的共线型与多条藕合器型声表面波(SAW)滤波器,以及任意幅频特性的传递函数的合成。最后给出模拟结果并得出结论。  相似文献   

5.
本文介绍了声表面波(SAW)双向滤波器、单向滤波器和谐振器的基本原理,以及SAW双向滤波器目前在电视中频滤波应用中的新进展,SAW单向滤波器和谐振器在寻呼机中的应用。  相似文献   

6.
唐敏  肖雪 《今日电子》2000,(10):31-32
声表面波SAW(Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生并传播、且其振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,再把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别用作输入换能器和输出换能器。其工作原理是:输入换能器将电信号变成声信号,沿晶体表面传播,输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。  相似文献   

7.
SAW抽头延迟线匹配滤波器是现代战术扩频系统关键的信号处理器件,已广泛地应用于先进的扩频通信系统,本文介绍255位SAW石英抽头延迟线双相编码匹配滤波器的工作原理,设计方法和实验结果。匹配滤波器的中心频率为65.2MHz,编码速率为8.2Mbit/s(抽头间隔约0.123/μs),持续时间为31.25/μs,自相关峰值与最大旁瓣比为20dB。测试结果表明,采用适宜的设计方法和工艺技术可获得预期的性能。255位SAW匹配滤波器的研究成功将对我国某些先进的电子系统产生深远的影响。  相似文献   

8.
陈文彬 《火控雷达技术》1995,24(2):37-41,51
文章采用小型单层单相单向换能器,共线配置结构,一步制作工艺,研制了两种低插损(LIL)声表面波滤波器(SAWF).即a.新的浮动电极单向换能器(NFE—UDT),在 127.86°Y—X LiNbO_3基片上,相对带宽 2%左右,海明函数单加权,无调谐匹配下,50Ω系统用HP8753B网络分析仪测试器件IL小于7dB,阻带抑制大于40dB;b.电极宽度控制单向换能器(EWC/SPUDT),在ST—X石英基片上,相对带宽0.3%左右,海明函数双抽指加权,简单的串、并连电感调谐下器件IL小于4.5dB,阻带抑制大于4dB,低端50dB.两种器件达到国内外报导的同类器件水平.文章详细地介绍了有关的研制技术.  相似文献   

9.
10.
松下电子工业有限公司研制出一种用于800-900MHz波段移动通信的低损耗声表面波(SAW)滤波器,其体积仅4.5×4.5×1.6mm。这种可用表面安装技术(SMT)的器件只有4dB的插入损耗,却有17-30MHz的带通。这种SAW滤波器的衬底为钽酸锂,其电极是以效率最佳的极精确的等效电路模型为基础。这种性能极佳的超小型器件采用陶瓷封装。本文将描述其主要的性能和特点。  相似文献   

11.
报道了817MHz声表面波陷波器的设计及结果。该陷波器采用T型带陷滤波器等效电路结构,用两个SAW单端对谐振器加简单调谐元件构成,器件尺寸为3.8mm×3.8mm,陷波深度为15dB,-3dB陷波宽度为600kHz,通带宽度大于700MHz,通带损耗为-0.735dB,通带波纹0.5dB。最后讨论了影响高频陷波器指标恶化的原因。  相似文献   

12.
采用分组单指结构的高性能声表面波滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种无指间反射的分组单指换能器结构,它具有分裂指相同的TTS效果,而工艺难度得以降低。首次将变迹加权用于该结构,制作了高带外抑制的滤波器,并给出了试验结果。中心频率418MHz,相对带宽2‰,阻带抑制优于38dB,插入损耗18dB。  相似文献   

13.
李晖  张传忠 《压电与声光》1993,15(2):6-9,13
随着移动通信技术的发展.便携式电话和汽车电话设备需要各种更小、更轻并且性能有所改进的器件.SAW滤波器作为关键的高频器件.已变得越来越重要.本文慨述了SAW滤波器在移动通信中的发展动向.  相似文献   

14.
为了获得高的带外抑制,我们设计了一种单相单向换能器与镜像阻抗连结换能器结合的滤波器结构。该结构由双通道组成,每通道上由一个电级宽度控制单相单向端变迹加权换能器和一个抽指加权换能器组成,它具有带外抑制高、插损小、体积小和制作容易等优点,克服了常规滤波器级联带来的插损大,难匹配的问题。最后给出了我们制作在127.86°Y-XLiNbO_3基片上的高带外抑制声表面波滤波器结果,其中心频率为70MHz,带宽为1.5MHz,带外抑制大于70dB,插损小于13dB,芯片尺寸小于5mm×10mm。  相似文献   

15.
根据混合场等效电路模型,详细分析了抽指加权结构对扇形又指换能滤波器频响的影响。在考虑了指间反射、三次行程以及指条寄生阻抗等情况下,根据扇形换能器的导纳矩阵及其外围电路参数得到器件总的频率响应,并通过改变发射和接收换能器指对数来改善扇形又指换能滤波器带外抑制。  相似文献   

16.
简要介绍了四川压电与声光技术研究所研制的数字无绳电话用声表面波滤波器,包括110.592MHz中频滤波器和900MHz系列射频滤波器。中频滤波器的插入损耗为3.5dB,射频滤波器的插入损耗为2.5-3dB。  相似文献   

17.
秦廷辉  黄广伦 《压电与声光》1999,21(4):249-252,280
报道了双模声表面波滤波器(SAWF)的研究结果和设计的GSM用902.5HMz的SAWF,对双膜SAWF的基本原理和分析方法进行了描述,并给出理论模拟结果,对几个关键参数进行了比较计算,研究表明,双模SAWF具有低损耗,宽带的特性,较好地满足了GSM用902.5MHz的SAWF电性能要求。  相似文献   

18.
利用ADS仿真SAW滤波器   总被引:1,自引:1,他引:1  
通过某型号镜像阻抗连接结构低损耗SAW滤波器的设计过程,说明了在ADS软件中如何建立并调用各种模型来设计SAW滤波器,尤其是调用3D电磁场仿真软件计算出的封装性能,可以适应日益增高的器件工作频率和日益缩小的封装尺寸对仿真手段的要求.表面贴装器件实测结果与理论仿真基本吻合,满足了通带平滑低损耗高阻带抑制的要求,且过渡带陡峭.  相似文献   

19.
该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1 360 MHz,在-55~85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10~(-6)/℃,插入损耗约1.3 dB。  相似文献   

20.
介绍了移动电话用声表面波滤波器的市场,详细介绍了串并联谐振耦合结构式声表面波滤波器的基本原理和设计方法,同时给出了理论计算和实验结果,实验器件的插入损耗为2.6dB,带宽大于40MHz。  相似文献   

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