考虑NBTI效应的逻辑门退化延迟模型

基于45 nm PTM模型,采用Hspice对基本逻辑门进行了仿真,并使用Matlab对仿真数据进行了三维延迟曲面拟合。在这些仿真基础上,建立了关于输入信号翻转时间t_i、输出负载电容CL、阈值电压变化量ΔV_th的传播延迟t_p和输出翻转时间t_o的计算模型。采用时延模型对基准测试电路ISCAS85-C17进行了计算,并将计算结果与Hspice仿真数据进行了对比。结果表明,在仿真范围(t_i=0~100 ps,CL=0~2 fF,ΔVth =0~50 mV)内,该时延模型计算值与仿真数据的相对误差在±10%以内。该模型及其计算方法可适用于大规模数字IC的可靠性设计。     

90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理

对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.     

90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理

对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.     

PMOSFET动态NBTI效应的研究

负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。     

超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法     

基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法

负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入Spectre^TM仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响。提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考。     

超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法.     

NBTI机制下运算放大器的性能退化分析及其可靠性设计

随着CMOS器件尺寸的不断缩小,集成电路设计阶段的可靠性问题变得愈加重要,NBTI效应作为重要的可靠性问题之一得到了大量的研究,并从电路级对其提出了改进。采用等效电路模型表征NBTI退化对模拟电路的影响,研究了两级运算放大器在NBTI效应影响下电路参数的退化,分析并确定了影响传统两级运算放大器性能的关键器件。在此基础上,对传统运放结构进行改进,引入反馈,使-3dB带宽的退化量由27%降到了1%左右,从而减小NBTI退化对电路性能的影响。     

基于阈门网络的逻辑综合问题研究

我们在对阈门网络进行研究的基础上，给出了二级逻辑电路最小化技术应用的一个二级阈门网络综合算法-TLLS。算法通过了Benchmark二级逻辑函数例题的测试。当算法只限定到典型的逻辑门电路时，获得比较好的最小化效果。     

深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制,即栅氧中氮形成的Si-N键不易被分解,但栅氧中的氮提供了H+的陷阱中心,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加,其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加.     

深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应．通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化，研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用，并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制，即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解，但栅氧中的氮提供了H＋的陷阱中心，导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加，其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加．     

基于神经网络算法的交通流量预测建模与计算

为了提高交通流量预测数据的准确度,文中利用神经网络算法提出一种短时交通流量的预测模型。通过分析交通流量的概念和特征,设计相应的预测评价体系,使用拉格朗日中值定理与小波变换,实现交通流量数据的插值、降噪和归一化。基于改进的神经网络算法,建立和优化相应的预测数学模型。在评价体系的基础上,完成预测结果的计算与评估。仿真测试结果表明,改进神经网络算法的应用有效降低了预测结果的误差,提高了交通流量预测模型计算的准确度。     

NBTI效应导致SET脉冲在产生与传播过程中的展宽

本文研究了负偏置温度不稳定性(NBTI)对单粒子瞬态(SET)脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明:NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机辅助设计模拟软件(TCAD)进行器件模拟,提出了一种在130nm体硅工艺下,计算SET脉冲宽度的解析模型,并结合NBTI阈值电压退化的...     

QFP封装互连结构电气特性建模与退化分析

互连结构是电子器件与印刷电路板之间机械固定及电气互联的关键部位.针对当前互连结构退化过程监测困难与表征信号难以提取问题,首先,通过分析QFP封装互连结构的失效模式及机理,建立其退化电气模型.在此基础上,搭建实时监测电路,选取外接电容的充电时间为表征信号,并建立退化电气模型参数与充电时间的关系.然后,利用Multisim软件和开发板模拟并验证等效电气模型参数与充电时间的关联关系.最后,利用小系统试验板进行随机振动试验,研究互连结构退化过程.通过分析充电时间响应,并结合互连结构电镜图发现,充电时间能够较好地表征互连结构的失效过程及失效模式.     

基于神经网络的微波电路建模与优化

本文讨论用神经网络对微波电路进行建模、优化。借助电磁声理论计算或基于实际测量,可得到微波电路的输入、输出样本数据,从而可训练神经网络,在兼顾它的推广性能的基础上,对微波电路建模。进一步,通过优化神经网络对应参数,可优化微波电路。文章用ＲＢＦ（Ｒａｄｉａｌ Ｂａｓｉｓ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）神经网络对微带变阻器建模、优化,以此为例,进行了较为详细的阐述。     

深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法

研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.     

基于神经网络的红外辐射大气透过率建模及计算

基于定点测量的标准黑体温度实验数据,建立大气透过率的神经网络估计模型。在不同距离测量黑体温度后,引入BP网络自适应学习测试数据的潜在规律,建立大气透过率与当前测量距离及测试温度之间的函数关系,可以精确计算目标的实际温度。仿真结果表明,用本文方法所建的BP网络可以有效地学习样本信息,建立的非线性大气透过率模型解决了大气透过率因影响因素复杂计算难度大等问题。     

基于高速湍流统计模型的红外退化图像仿真

超音速飞行条件下红外成像探测系统受到气动光学效应影响,其图像畸变和模糊退化问题十分严重,严重影响了红外制导系统的制导精度。常规的气动光学效应模拟仿真研究存在大数据量计算和非连续仿真问题,不能满足地面仿真的实时性需要。提出了基于高速湍流统计模型的快速仿真算法,用于气动退化图像实时复原方法和算法研究。根据本文提出的算法仿真得到的退化图像与实际的气动退化图像相似度较高,并且模型实现简单,能够满足地面实时仿真的需要。     

深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展

本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展,对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述。不仅对热电子,同时也对热空穴的影响进行了重点研究,为深亚微米ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础。本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型,尤其是ＭＯＳ器件的热载流子退化模型。     

基于一维漂移布朗运动的SLD退化失效建模

超辐射发光二极管(SLD)集LD大输出功率和LED宽光谱优点于一体,是光纤陀螺仪中的关键元件与薄弱环节,其可靠性在很大程度上决定了光纤陀螺仪的可靠性。针对SLD寿命长、失效数据难于获取的特点,研究了基于性能退化数据的可靠性评估方法。在对SLD进行失效机理分析的基础上,提出用一维漂移布朗运动模型对产品在环境应力作用下的退化特性进行建模,基于所得模型,由SLD的性能退化信息估计模型中的参数进而评估得到SLD的可靠性指标。这克服了传统可靠性分析方法依赖寿命数据的缺点,能够在没有寿命数据的情况下评估得到SLD的可靠性指标,从而可节约大量的试验经费和试验时间,在工程应用上具有重要的价值。