一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS

提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件。该器件在两个氧化槽中分别制作L型多晶硅槽栅。漏极n型重掺杂区向下延伸,与衬底表面重掺杂的n型埋层相接形成L型漏极。L型栅极不仅可以降低导通电阻,还具有纵向栅场板的特性,可有效改善表面电场分布,提高击穿电压。L型漏极为电流提供了低阻通路,降低了导通电阻。另外,氧化槽折叠漂移区使得在相同耐压下元胞尺寸及导通电阻减小。二维数值模拟软件分析表明,在漂移区长度为0.9 μm时,器件耐压达到83 V,比导通电阻仅为0.13 mΩ·cm²。     

超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究

针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm²,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm。     

U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS

近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4 μm的高K介质膜包围的SiO₂沟槽中引入垂直场板的新型结构。与传统沟槽LDMOS相比,垂直场板和高K介质膜充分地将电势线引导至沟槽中,提高了击穿电压。此外垂直场板与高K介质和漂移区形成的MIS金属-绝缘层-半导体电容结构能增加漂移区表面的电荷量,降低比导通电阻。通过二维仿真软件,在7.5 μm深的沟槽中引入宽0.3 μm、深6.8 μm的垂直场板,实现了具有300 V的击穿电压和4.26 mΩ·cm²的比导通电阻,以及21.14 MW·cm-2的Baliga品质因数的LDMOS器件。     

一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET

提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm²,优值达21.3 MW/cm²,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。     

一种新型高压Triple RESURF SOI LDMOS

提出了一种新型Triple RESURF SOI LDMOS结构,该结构有一个Ｐ型埋层。首先,耗尽层能够在Ｐ型埋层的上下同时扩展与Triple RESURF机理相同,使得漂移区浓度提高,导通电阻降低。其次,当漂移区浓度较高时,Ｐ型埋层起到了降低体内电场的作用,并能够提高漏端纵向电场使得其电场分布更加均匀从而耐压增加。Triple RESURF结构在SOI LDMOS中首次提出。在６微米厚的SOI层以及２微米厚的埋氧层中获得了耐压300V的Triple RESURF SOI LDMOS,其导通电阻从Double RESURF SOI LDMOS的17.2mΩ.cm2降低到13.8mΩ.cm2。当外延层厚度增加时, Triple RESURF结构的效果更加明显,在相同耐压下,相对于Double RESURF,该结构能够在400V和550V的SOI LDMOS中分别降低29%和38%的导通电阻。     

漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计

为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用"高k薄膜+氧化层+场板"结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场。使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24Ω.mm2且性能稳定的LDMOS器件。     

具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS

提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部剧烈的衬底辅助耗尽效应,提升器件的耐压性能;同时,器件正向导通状态下,对电流的传输路径也没有形成阻碍,能够维持较低的比导通电阻。流片结果表明,在漂移区长度均为65μm的情况下,SETR LDMOS的击穿电压能达到813 V,比传统TR LDMOS的击穿电压高51 V,且比导通电阻维持在7.3Ω·mm²。     

一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS

提出了一种具有超低比导通电阻的新型优化横向变掺杂双通道p-LDMOS。与传统结构相比,该结构在器件表面增加了一个自驱动的扩展栅。该扩展栅不仅显著提高了导通时空穴的导电能力,还改善了阻断时器件表面的电场分布。因此,新结构的击穿电压(VB)与比导通电阻(Ron,sp)之间的折中关系得到显著改善。仿真结果显示,击穿电压为328 V的新结构的Ron,sp为75 mΩ·cm²,仅为同条件下传统结构的48.8%,并且可与同工艺下制作的323 V n-LDMOS的Ron,sp (84 mΩ·cm²)相媲美。这为智能功率集成电路提供了更多更好的选择。     

Super-High Breakdown Voltage (>1200V) SOI LDMOS with A Buried P-type Layer and A Thin BOX

为探索在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS的途径,提出了一种具有P埋层（BPL）的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降。采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1280V的耐压,将BOX层减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性。     

具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文)

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS 结构,耐压1200V以上.该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层.当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降.采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1 280 V的耐压,将BOL减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性.     

南京广电集团文件化送播接口技术方案

为适应南京广播电视集团的业务发展,启动了全台媒资项目,通过主干平台将全台各个不同时期的高标清非编制作网实现异构互联,以实现资源共享、媒资归档、文件化送播等功能.就全台媒资项目中的文件化送播接口的设计目标原则、技术方案、高安全区和送播时间节点的规划做出了详细描述.     

平面近场中极化偏差的修正方法

本文从实际工程应用出发,结合电磁场理论,系统的阐述了平面近场中极化偏差的修正方法。并基于椭圆极化波的分解理论,提出了利用椭圆极化长轴倾角修正因测试探头和待测天线的极化偏差造成的测试误差。实验结果验证了该方法的有效性。     

在磁场作用下氮化物抛物量子阱中杂质态能量

采用变分法研究了在外磁场作用下GaN／AlxGa1-xN无限抛物量子阱（PQW）中类氢杂质态能级,给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变化关系以及能量随磁场强度变化的函数关系。数值结果表明：外磁场对类氢杂质能量和结合能均有明显的影响,杂质态能量随磁场的增强而显著增大,并且随阱宽的增大而增大;GaN／Al0.3Ga0.7 N PQW对杂质态的束缚程度比GaAs／Al0.3Ga0.7As PQW强。     

基于ERP系统的寄售功能在集成电路制造行业中的应用

近年来,随着全球竞争的不断加剧,供应链上各个环节之间的整合显得愈加重要。寄售类模式(Consignment)在供应链管理中的应用也日显普及。本文简述了ERP系统(本文主要指SAP系统)在集成电路制造行业中的应用。在减少库存、降低企业现金流的前提下,实现SAP系统标准寄售功能本地化配置,从而实现降低企业的采购成本,提升供应链绩效和竞争力水平的目的。     

无纸动漫领域中位图矢量化的算法研究

位图图像的矢量化是计算机图形学的热点问题。图像的矢量化解决了速度和空间上的问题,为图像进一步的输出与管理提供了便利。因此,他也是无纸动漫领域所面临的基础问题之一。通过对位图矢量化课题的深入研究,针对矢量化过程中的几个关键点技术,特别针对图像轮廓的提取,跟踪及关键特征点提取和曲线拟合,提出行之有效的解决算法。最后在VC 6.0环境下对算法进行实现。其处理速度快、曲线拟合光滑、失真小,验证了算法的可行性,为其在一个无纸动漫系统中的初步应用奠定了基础。     

IT服务，叩击安全产业第二战场

“服务”对于安全市场来说早已不是新鲜的概念。从2006年开始，本刊就曾经多次对安全服务的现状、标准等很多问题撰文探讨。时至今日，“服务渐成安全之重”已经成为了安全界直至“IT界”被人广泛认可的一种观念。2008年，IT安全服务继续保持了高速的增长，依然是业界最为关心的热点问题，在这一年中，安全企业在很多特殊的事件中拓展了对“服务”内涵和外延的理解，加深了服务理念，安全服务正在走向市场的成熟与繁荣。     

百度和谷歌在图像搜索领域的专利分析和比较

谷歌百度均在原有的搜索引擎基础上推出了图像搜索引擎.用户可以使用图像搜索这种全新的方式浏览网络.用户可以通过将网页中或者用户自己计算机中的图片拖拽到搜索窗口中进行搜索.也可以点击相机图标,选择上传图片或者粘贴图片的URL链接进行搜索.分别对谷歌公司和百度公司在图像搜索领域在中国和全球的专利进行统计和分析,对两个公司的申请情况进行了对比,最后在此基础上形成结论并提出建议.     

基于Sinda/Fluint的空间目标温度场数值仿真

空间目标红外辐射特性求解的关键是目标表面温度场的确定.以卫星作为研究对象,首先建立了目标表面的热网络平衡方程,然后利用热分析软件Thermal Desktop建立了热分析数值模型,最后调用Sinda/Fluint求解出目标表面温度分布.仿真结果表明,该算法和传统方法相比具有速度快、精度高等优点,为复杂空间目标的红外辐射特性计算提供了有力的技术支撑.     

电磁冲击波发生器箔片多物理场设计优化

为实现高功率电磁冲击波发生器箔片的优化设计,利用多物理场仿真工具COMSOL Multiphysics 对箔片建模并进行仿真和优化。相较于高阶本征频率,箔片在一阶本征频率下振动时具有更大的振幅;提出了箔片形变收益最大点的概念,据此可分析箔片在不同激励下的转换效率并用于确定激励电路参数以实现高效输出;其后对3种不同结构的箔片的性能在仿真分析的基础上进行了比较讨论,得到了波纹结构箔片在同等激励下具有更大振幅的结论。论文工作对高效高功率电磁冲击波发生器的研制具有一定参考价值。