一种硅基MEMS微波SIR交指带通滤波器

基于7阶SIR交指结构滤波器,提出了一种基于硅MEMS技术的微波S波段交指带通滤波器。不仅保留了交指结构的高通带选择性,而且可以通过调整SIR的阻抗比和电长度比来实现宽阻带。采用MEMS工艺,在双层高电阻率的硅片上完成了滤波器的制作和自封装,它具有体积小、损耗低的优点。仿真结果表明,该滤波器在中心频率2.35 GHz处的相对带宽为30%,带内插损小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,在频率f0±0.8 GHz处的阻带抑制比大于50 dB。该交指带通滤波器的体积仅为(11×7×0.8)mm³。     

基于新型带阻谐振单元的双频带阻滤波器设计

基于螺旋交指结构设计了一种新型的带阻谐振单元,并采用全波仿真软件对其进行分析。仿真结果表明,在此谐振单元中存在2个较窄的阻带,改变单元结构的尺寸可分别控制2个阻带的位置。在此基础上,采用2个单元级联的方式设计并加工了一款具有优越电磁性能的结构紧凑的双频带阻滤波器。采用矢量网络分析仪对所设计的滤波器进行测试,测试和仿真结果吻合较好,2个阻带的中心频率为3.30GHz和4.93GHz,对应的阻带带宽分别为3.23³.37GHz和4.733.37GHz和4.73⁵.10GHz,阻带边缘陡峭度大于90dB/GHz,所设计的带阻滤波器具有优越的性能。此外,该滤波器的有效尺寸为24.0mm×5.2mm,与传统带阻滤波器相比较,小型化优势明显。     

交指型微带带通滤波器的设计

阐述了交指型微带带通滤波器的原理,利用Agilent ADS和Ansoft HFSS软件仿真得到了通带为7.0～10.3 GHz的交指型带通滤波器。该滤波器的相对带宽达到38.2%,且插损小、带外抑制良好。加工出实物后,实测结果与理论仿真值吻合良好。     

用μwave Wizard软件设计腔体交指滤波器

基于μwave Wizard软件仿真腔体交指滤波器的方法,设计了一个中心频率为5.52 GHz,带宽为1.4 GHz的交指滤波器,并采用矩形杆抽头线结构实现。制作的滤波器插损小于1.5 dB,驻波比小于1.7,带外抑制大于40 dB(f0±1 GHz),具有优良的带通特性。给出滤波器的实测曲线和仿真曲线,两者的一致性较好。     

一种L波段多层低群延时滤波器设计

针对目前L波段滤波器体积大、群延时高、损耗大等问题,提出了一种L波段多层低群延时滤波器。通过选取高硅基作为衬底材料,采用多层交指结构的谐振器来降低带内群延时,减小体积。利用HFSS软件对滤波器展开建模与仿真。通过调整谐振器的参数,得到最佳设计方案。仿真结果表明,该滤波器的中心频率为1.5 GHz,带内插入损耗小于1.2 dB,带内群延时波动小于500 ps,在中心频率左右0.3 GHz处的带外抑制达到50 dB,滤波器尺寸较小,为8 mm×7 mm×1.5 mm。     

基于交指耦合的共面波导超宽带滤波器*

提出了一种新型的基于交指耦合的共面波导超宽带滤波器,该滤波器采用了交指耦合结构和缺陷地结构。在 共面波导的中心导带上引入交指耦合结构实现了宽频带的紧耦合,竖直矩形和弯曲矩形的缺陷地结构用于改善滤波器通带内 外的性能。仿真和测试结果验证了此滤波器在中心频率5.56 GHz 处具有150%的相对带宽,且具有陡峭的截止频率和低插入 损耗。     

应用于RFID技术中交指型微带带通滤波器的设计

基于RFID技术中对小型化滤波器的需求,首先从理论上对小型化程度更高的微带交指型带通滤波器的滤波特性进行了分析,接着使用微波仿真软件ADS对微带交指型带通滤波器进行仿真,仿真时根据设计指标用ADS的优化功能对原理图进行多次优化,优化时对参数实行逐个优化法,使得优化速度更快.通过对一中心频率为2.45 GHz带宽为9%的...     

LTCC宽边耦合交指型超宽带滤波器设计

提出用交指型结构实现超宽带（UWB）带通滤波器的小型化,并给出了设计方法。该结构通过宽边耦合实现超宽带滤波器需要的较大耦合系数,并通过加宽带状线谐振器的宽度减少不必要的交叉耦合,简化了滤波器的设计。最终设计了一个中心频率为f0,相对带宽为58%的六阶交指带通滤波器,滤波器尺寸仅为8 mm×11 mm。从仿真结果看,该滤波器保持了传统交指型滤波器阻带特性好,寄生通带远的优点。     

一种新型边带陡峭宽带带通LTCC滤波器的设计与实现

提出了一种基于LTCC技术的新型边带陡峭宽带带通LTCC滤波器的实现方法。采用垂直交指型梳状线耦合结构,一方面可以减小滤波器横向面积,另一方面由于其强耦合结构可以设计出较宽的带宽。边带陡峭是该款滤波器最突出的优点,通过两个方式实现:一是增加滤波器级数,这里用了两个五级滤波器级联;二是带外采用多个可控有限传输零点。运用该方法设计了中心频率为6.75 GHz,带宽为4.3 GHz,50 dB矩形系数达到了1.5的边带陡峭宽带带通滤波器。实物测试结果和全波电磁仿真结果吻合较好。     

一种新型交指-发夹型多层带状线带通滤波器

提出了一种新型交指－发夹型多层带状线带通滤波器结构,并设计加工了一个中心频率为2.25GHz,分数带宽为31%的四级带通滤波器,测试值与仿真值吻合得较好.通过仿真结果比较以及实验结果证明,与传统交指型带通滤波器相比,新型交指－发夹型滤波器不但体积减小了约一半,而且能够方便地引入交叉耦合,从而在阻带内产生传输零点,很好地改善滤波器的频率选择特性.     

交指型MEMS滤波器的优化设计

交指型微机电系统(MEMS)滤波器是采用MEMS工艺制备出的交指型结构滤波器,针对交指型MEMS滤波器电磁优化算法中存在速度慢,占用计算资源大等问题,对交指型MEMS滤波器优化设计方法进行了研究。采用主动空间映射算法,在ADS和HFSS软件中建立滤波器电路结构模型和三维结构电磁模型,并分别将它们用于主动空间映射算法所需的粗糙仿真和精确仿真,仅进行了5次精确仿真就完成了一款Ku波段滤波器的优化设计。结果表明,设计的滤波器中心频率为14 GHz,顶部损耗为1.6 dB,-1 dB带宽为2.2 GHz,满足设计指标要求,同时验证了优化设计方法的可行性。     

基于RF MEMS开关的交指型可切换带通滤波器设计

为了有效解决信号/频谱分析仪等微波测试仪器尺寸较大、信号损耗高、选通切换效率差等问题,将射频MEMS开关引入交指型可切换滤波器结构中。通过MEMS四掷开关选择具有不同中心频率的交指型谐振器,实现在6~14 GHz内四个频率的射频信号切换过滤。利用HFSS电磁波仿真软件对滤波结构的几何参数进行优化计算,得到四个可切换频率的插入损耗,分别为1.26 dB@6.86 GHz、1.03 dB@9.16 GHz、1.23dB@11.78 GHz、1.07 dB@12.26 GHz,整体面积约为7.95 mm³。与其他可切换滤波器相比,该可切换滤波器将MEMS四掷开关与交指型谐振器集成到一起,具有低插损、小尺寸、高集成度等优点。     

基于SIW技术的毫米波滤波器研究与设计

基于基片集成波导（substrate integrated waveguide,SIW）结构设计了两款四阶的耦合带通滤波器,使用三维全波电磁场仿真软件HFSS对设计的两款滤波器进行了仿真设计和优化.由仿真结果分析得出,两款滤波器的工作频率均位于毫米波频段.第一款SIW滤波器实现了切比雪夫型响应,中心频率为20 GHz,带宽为2 GHz,通带内的插入损耗低于1.5 dB,回波损耗低于-20 dB,在阻带中对信号的衰减程度可以达到50 dB.第二款SIW滤波器实现了准椭圆函数型的响应,中心频率为29.1 GHz,带宽为300 MHz,通带内的插入损耗低于1 dB,回波损耗低于-20 dB,在通带到阻带的过渡中实现了两个陷波点.仿真结果表明,在毫米波滤波器设计中引入SIW结构,有利于优化滤波器尺寸,得到较好的滤波器性能指标,是毫米波滤波器发展的一个重要方向.     

圆杆交指型滤波器的设计

介绍了圆杆交指型带通滤波器的设计原理和方法,根据交指滤波器的设计理论获得圆杆的自电容和互电容,利用计算机辅助设计工具进行数值计算,结合图表得到滤波器的最初尺寸。给出了一个中心频率为830 MHz圆杆交指滤波器的设计过程,利用HFSS软件仿真,提高了设计效率和精度,仿真结果和理论结果吻合良好,证明了设计方法的可行性。     

一种基于SIW毫米波的自均衡带通滤波器

提出了一种4阶SIW自均衡带通滤波器。该滤波器具有面积小、易集成等优点。采用三维仿真软件HFSS对电路进行仿真,仿真结果表明,滤波器中心频率为f₀=36.3 GHz, 带宽为1.2 GHz,在60%的通带范围内,群时延变化小于0.02 ns,满足设计指标要求。     

基于CRLH TL结构的带通滤波器设计与研究

基于复合左右手传输线（CRLH TL）原理,利用微带与共面波导组合的双层介质结构,设计了一种新型带通滤波器。其等效左手电容由金属 绝缘体 金属（MIM）耦合结构提供,等效左手电感由蘑菇型零阶谐振器（MZOR）中的短路通孔实现。通过研究MZOR中U型槽长度变化对滤波器性能的影响得知,该带通滤波器具有结构紧凑,带宽较大,插入损耗较小等优点。HFSS仿真结果显示,滤波器的通带为3.4~7.2 GHz,通带内插入损耗低于-0.5 dB,回波损耗小于-11.5 dB。因此,该滤波器可应用于超宽带无线通信系统。