大电流低噪声线性稳压器

凌特公司推出大电流、低噪声线性稳压器LT1763和LT1764A。新的MP级器件具有一55℃-＋125℃的工作温度范围，适用于航空电子设备、军事、工业、射频和电信等多种应用。     

新型大电流、低压差线性稳压器

便携式电子产品的迅速发展促进了电源IC的开发,其中低压差线性稳压器有较快的发展。它不仅减小了输入、输出电压的差值(称之为“低压差”),并且增加了关闭电源功能(具有电源管理功能)及电源工作状态信号输出,使进一步节省电能及更可靠地工作。     

超低工作电流线性稳压器

<正> MAX1725/1726是一种超低工作电流线性稳压器,用于要求延长电池寿命的小功耗电平产品中,如应用于烟雾检测器、遥控发送器、智能电池组、工业控制系统、微处理器电源、实时时钟后备电源、PDA及以电池为电源的报警器及需长期候守     

一种基于低压差线性稳压器的放大器设计

设计了一种静态电流约为0.6μA的运算跨导放大器电路,并已经成功地应用于一款超低静态电流的新一代低压差线性稳压器芯片中。此放大器的突出优点是与Foldback过流保护电路融合在一起,使得芯片不需要专门的限流模块,大大减少了器件与电流支路,极大地提高了电流利用率,实现了超低功耗。     

输出电流大及电压可调的稳压器——LM138K

<正> 全集成稳压器是一种新型稳压器件,它具有体积小、外围元件少、稳压精度高、工作可靠等优点。集成稳压器一般装配好后就能工作,省去了烦琐的调试步骤,特别适用于组装各种电子设备电源。     

基于MOSFET的大电流直流稳压器设计方案

为高输出电流设计直流稳压电源仍是一个非常关键而且困难的问题。提高78xx标准三端稳压器的最大输出电流的基本方法包括：并联多个三端稳压器,例如1A的78xx器件：使用外部旁路器件,比如BJT（双极性晶体管）器件,以及使用外部旁路器件（比如P沟道功率MOSFET）。并联的多个78xx设备可以很好地工作,但是在高输出电流时（例如50A）,需要使用50个78xx器件,这可能不是最经济的方法,而且它的体积也是一个问题。     

一种大电流LDO稳压器的设计

设计了一种最大输出电流为3 A的LDO电路。通过优化误差放大器,并采用两个NMOS管作为调整管,增强了电路上拉和下拉负载电流的能力。采用20 μF的陶瓷电容,保证电路具有足够快的负载瞬态响应,在空载时,电路仅消耗80 μA的负载电流。该芯片能够驱动高达3 A的负载电流,极大地提高了LDO的带载能力,并保持了良好的系统稳定性,具有快速的瞬态响应和较小的输出纹波。     

一种用于总线终端的3A源-汇式线性稳压器的设计与实现

针对总线终端稳压器的设计要求,提出一种具有3A源-汇（source and sink）电流能力的快速响应线性稳压器。采用NMOS调整管结构和负载电流反馈技术,提高了系统的电流能力和响应速度。使用自适应零点补偿实现了全负载范围内source和sink环路的稳定性。此外,采用跨导匹配技术使得输出级的直通电流降低到3μA以下。该电路采用0.6-μm 5V/30V工艺投片验证,面积为1mm2。在20μF输出电容、?2A/1μs负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5％,在?3A的负载范围内,输出电压变化小于?15mV。     

新型低电压输出的线性稳压器LP2983

<正> LP2983是一种微功耗、输出低电压(≤1.2V)线性稳压器(输出固定电压有0.9、1.0V及1.2V三种),输出电流可达150mA。该器件主要特点:输出电压精度可达±1％;能接受高的峰值电流(峰值输出电流典型值250mA,短路电流典型值400mA);低功耗(在150mA输出时典型地电流I_(GND)=825μA;空载时I_(GND)=65μA);输入电压范围宽(2.2～16V);有过热、过流保护电路;工作结温范围-40～+125℃; 小尺寸SOT-23封装;有关闭控制,关闭状态时,耗电<2μA。 LP2983有A级及标准级两种输出精度标准(A级的初始精度为±1％,标准级初始精度为±1.5％)。A级精度用后缀AIM5,标准级用后缀IM5。另外,三种不同输出电压分别用后缀-0.9、-1.0及-1.2表示0.9、1.0V及1.2V。     

凌力尔特公司线性稳压器

凌力尔特公司，（Linear Technology Corporation）推出新型、温度范围更宽的LT1763和LT1764A大电流、低噪声线性稳压器。新的“MP”级器件具有-55℃至＋125℃的工作温度范围，适用于航空电子设备、军事、工业、射频和电信等多种应用。LT1764A是一种3A LDO，在10Hz至100kHz带宽范围内具有40uVRMS的低输出噪声，适用于为射频电路供电。1mA的电源电流在停机模式时降至低干1uA。LT1764A可用2．7V至20V的输入电源工作，从而确保与多种输入电源兼容。输出电压在1．21V至20V之间是可调的。     

一种快速响应低压差线性稳压器的设计

介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。     

LT3050：线性稳压器

Linear推出高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3050,该器件具有精确可编程电流限制和诊断功能。LT3050提供高达100mA的输出电流,在满负载时具340mY压差电压。LT3050具有2V至45V的宽输入电压范围,提供从0．6V至44．5V的可调输出电压。在REF／BYP引脚处的单个电容器提供可编程低噪声工作（在10Hz至100kHz的宽带宽上噪声仅为30pVRMS）和基准软启动功能,从而防止输出电压在接通时过冲。在整个线路电压、负载和温度范围内,输出电压容限是高度准确的±2％。     

一种分高低压供电的低压差线性稳压器的设计

针对传统低压供电的低压差线性稳压器线性响应比较慢的情况,提出了一种基于BICMOS 0.5μm工艺分高低压供电的低压差线性稳压器。经过Hspice仿真验证,该稳压器具有高增益、高PSRR（Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比）、低功耗、响应速度快的特点,输入电压范围为0.5~28.0 V,输出电压为5 V。此稳定器低频时的开环增益达到86 dB,相位裕度为68o,低频时的电源电压抑制比为–91 dB,高频时也能达到–2 dB,静态电流只有13.5μA。     

MSK51O1系列大电流低压差稳压器及其应用

MSK5101是美国MSKennedy公司研制的一种新型低压差、大电流、低功耗线性稳压器。该器件具有 3V、 5V、 12V和可调电压输出。最小压差只有350mV，同时具有高效率和低功耗特性。文中介绍了MSK5101的主要特征及应用方法。     

一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器设计

设计了一种应用于片外大电容场景下的具有快速瞬态响应特性的LDO。电路通过采用负载电流采样负反馈的结构构成了一个高带宽的电压缓冲器。该LDO使用具有电容倍增功能的共栅共源补偿结构,在外挂1μF负载电容的条件下,仅需500 fF的片上补偿电容即可保证在全负载范围内的稳定性。此外,通过使用自适应偏置技术,在减小轻载功耗的同时进一步提升了瞬态响应速度。电路采用0.18μm CMOS工艺进行设计与仿真验证。仿真结果表明,在LDO的输入电压为1.2 V、输出电压为1 V时,当负载电流以0.1μs的速度在150 mA和100μA之间切换时,最大电压变化仅为10.7 mV,输出电压恢复时间小于0.7μs。     

一种大电流高精度双极集成稳压器

介绍了一种大电流高精度双极性集成稳压器的设计原理及电路结构。该输出集成稳压器由基准电压源、比较放大器和调整管等单元组成,其工作原理为负稳压、正跟踪。该电路采用硅双极介质隔离功率IC工艺和芯片级电阻修调技术制作,具有±500mA的大输出电流和-10～+10V±50mV的高精度双极性输出电压,以及小于10mV的高正、负输出电压平衡度。     

一种超低静态电流LDO线性稳压器的设计

为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。     

低压差线性稳压器MCP1727

低压差线性稳压器单片集成电路MCP1727的输入电压范围为2．3～6V，可调输出电压范围为0．8～5V，标准固定输出电压有0．8、1．2、1．8、2．5、3、3．3V和5V几种，输出电流容量为1．5A，输入与输出电压之差典型值是0．33V．静态电源电流仅约120μA。MCP1727主要应用于高速驱动器芯片组电源、网络底板卡、笔记本电脑、网络接口卡和掌上计算机中。