多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关     

WiSpry将首批RF专利产品发送给手机制造商

无线产业用的可编程RF半导体产品的领先制造商WiSpry有限公司，宣布已成功地将首批包含WiSpry可编程RF专利技术的定制产品发送给了世界上最大的手机制造商。该定制解决方案在真正的单芯片上（不含有外部元件）综合了WiSpry采用RF CMOS制造工艺的RFMEMS数字电容器专利技术与先进的模拟和数字支持电路。WiSpry推出了初始的标准产品WSC0805，该产品以2008年第四季度的数字可调谐电容器为特征。     

意法半导体(ST)推出QST系列电容触摸传感器的第一款产品

意法半导体推出了该公司的电容触控传感器系列产品的首款产品QST108,采用这款传感器的各种应用设备将能够实现时尚、创新的用户界面。QST系列全都是数字标准产品,采用ST最近从量研科技公司     

ADI公司发布业界首款用于电容和阻抗精确测量的单芯片解决方案

ADI公司新的电容数字转换器(CDC)和阻抗数字转换器(IDC)系列产品简化了工业、汽车和医学应用中仪器仪表和传感器的设计美国模拟器件公司发布了世界上首款高精度、完全集成的电容数字转换器(C D C)和阻抗数字转换器(IDC),从而解决了从电容到数字和从阻抗到数字直接转换的复杂而困难的信号处理难题。A D I公司的C D C和I D C由于将先进的信号处理技术和高集成度制造工艺相结合,所以达到了以前只能通过需要大量的分立元件支持传统的模拟电压数字转换器才可能达到的精度水平。ADI公司的这两款器件为设计工程师提供了超过现有的电容检…     

基于ADS的数字调谐跳频滤波器设计方法

介绍了基于ADS的数字调谐跳频滤波器仿真设计方法。根据集总元件耦合谐振器滤波器理论计算出滤波器仿真参数,应用ADS对包括微带线、PIN二极管等参数模型的滤波器电路模拟仿真,解决数字调谐跳频滤波器电容阵列的取值问题。结合ADS仿真数据和实物测试结果,验证了该方法的有效性。     

电容传声器技术上的重大变革前置放大器的集成化

电容传声器技术上的重大变革──前置放大器的集成化──电子工业部三所蒋兴国大约在１９８９年左右，德国钮曼（Ｎｅｕｍａｎｎ）公司推出了ｆｅｔ１００商标标志的电容传声器系列化产品，取代该公司的ｆｅｔ８０系列产品。ｆｅｔ１００系列产品包括：ＫＭ１３０无指向、...     

使用三位三阶Δ∑调制器的集成1GHz小数频率合成器

本文实现了一个采用三位三阶Δ∑调制器的高频谱纯度集成小数频率合成器.该频率合成器采用了模拟调谐和数字调谐组合技术来提高相位噪声性能,优化的电源组合可以避免各个模块之间的相互干扰,并且提高鉴频鉴相器的线性度和提高振荡器的调谐范围.通过采用尾电流源滤波技术和减小振荡器的调谐系数,在片压控振荡器具有很低的相位噪声,而通过采用开关电容阵列,该压控振荡器达到了大约100MHz的调谐范围,该开关电容阵列由在片数字调谐系统进行控制.该频率合成器已经采用0.18μm CMOS工艺实现,仿真结果表明,该频率频率合成器的环路带宽约为14kHz,最大带内相位噪声约为-106dBc/Hz;在偏离载波频率100kHz处的相位噪声小于-120dBc/Hz,具有很高的频谱纯度.该频率合成器还具有很快的反应速度,其锁定时间约为160μs.     

一种新型电容阵列结构线性宽带VCO

针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列共同产生直流偏置电压以控制步进频率,可以灵活地精确设置不同数字信号控制下的电容值大小,取得线性的粗调谐特性。仿真结果显示,该VCO的调谐范围为5.00~5.87 GHz,步进频率为166 MHz,调谐增益KVCO变化范围为－900~－450 MHz/V,不同数字控制信号下的调谐特性几乎相同,比传统二进制电容阵列拥有更好的粗调谐特性。1.8 V供电电压下,电路最大消耗4.43 mA直流电流。     

一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下): 电路设计和实现

为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.     

一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下): 电路设计和实现

为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.     

硅基铝T形梁MEMS可变电容的设计与模拟

提出了一种新颖的运用于射频通信系统VCO中的RFMEMS可变电容。该电容使用平行板和T形梁结构,使用硅衬底,整个结构由铝材料组成,结构简单,与集成电路工艺兼容,从而能够实现片上可变电容。通过静电力驱动上极板向下运动,电容值相应地发生改变,当上极板加电压从2.4V变化到4.3V时,电容值从0.25pF变化到0.33pF,变化率为中心电容的27%。使用Coventor软件对该器件进行了模拟,给出的模拟结果包括容量、调节范围、瞬时响应、Pullin电压和运用该可变电容的VCO的电路模拟。     

EPCOS收购NXP半导体RFMEMS部门

电子元件、组件和系统的供应商EPCOS宣布收购NXP半导体RFMEMS部门在RFMEMS领域的业务。RFMEMS是电子控制和操作的微小电子元件,可协助将手机功耗最多降低25％,并能提高高频电路的稳定性。 对世界十大半导体公司之一（即NXP半导体的RFMEMS部门）的采购,是EPCOS继续执行合作经营和收购策略的表现。EPCOS进行收购的目的是为了扩展技术和产品范围,提高增长值和进入新的增值领域。     

德劲DE1101短波二次变频数字调谐全波段收音机(上)

<正> 2003年新年伊始,深圳德劲公司推出了他们的“爱好者”系列产品中的第一款高档数字调谐收音机DE1101,在这款收音机中,最具特色的是数字调谐的主控芯片(MCU)选用台湾产的通用芯片,软件完全自主开发,一改过去主控芯片依赖国外的被动局面。DE1101数字调谐收音机具有以下主要特点: 1.接收信号范围宽:DE1101收音机有两个调频波段,调频波段1为70.0-95.5MHz:调频波段2为87.0-108.0MHz,特别是调频波段1适用于广大学生听众收听校园调频广播。中波频     

一种新型跨导-电容滤波器自调谐电路

提出了一种基于开关电容技术的跨导一电容(Gm-C)滤波器自调谐电路.与基于压控振荡器(VCO)和压控滤波器(VCF)的传统调谐电路不同,该自调谐电路具有更高的精度和更低的功耗,且电路结构简单.设计了一个9阶椭圆函数低通滤波器,通过该调谐电路,实现了截止频率的精确可调.     

数字调谐宽带捷变频振荡器设计*

提出了一种新型数字调谐宽带捷变频振荡器设计方案,实现了优于1μs的捷变频指标。阐述了数字调谐振荡器的基本原理,给出了压控振荡器(VCO)调谐电压非线性的解决方法。着重介绍了影响数字调谐振荡器捷变频的因素及减少捷变频时间的方法。针对运算放大器的建立时间及补偿电容做了重点分析,对不同容值所对应的捷变频时间给出了测试结果与分析。最终设计出数字调谐振荡器的测试频率准确度为±2MHz,相位噪声约-75d Bc/Hz@100k Hz。     

Cavendish Kinetics公司推出突破性RF MEMS技术

Cavendish Kinetics公司宣布开始向关键战略合作伙伴提供基于MEMS技术的可调谐射频电容的生产样品。在无线设备中使用Cavendish Kinetics公司的数字可变电容(DVC)技术可提升用户体验,实现手机差异化,同时降低手持设备生产商的成本。此外,还能提高频谱效率、覆盖范围和网络运营商的用户留存率。潜在客户包括手持设备OEM和ODM厂商以及设备模块制造商。     

基于蜗轮蜗杆的3/6 MeV电子直线加速器调谐限位机构设计

作为电子直线加速器的核心装置,微波功率源大多采用高功率磁控管.磁控管的振荡频率由谐振腔的等效电容和等效电感决定.根据改变谐振腔等效电容和等效电感的方式不同,磁控管可以分为机械调谐式和电调谐式两种.本文针对3/6 MeV电子直线加速器中的机械调谐型磁控管设计了一种基于蜗轮蜗杆的外部调谐限位机构.该型调谐限位机构结构紧凑,...     

EUROFARAD公司推出新型微波陶瓷电容系列

法国EUROFARAD公司推出了适用于微波领域的陶瓷电容 ,该系列产品包括 :50V～500V耐压18GHz的HA -HD、TNC -TND、CHF -THD系列多层陶瓷电容 ;100V耐压50GHz的MCH111系列单层陶瓷电容 ;550V～6300V耐压的SPT519系列功率陶瓷电容 ;以上所有陶瓷电容的工作温度均可达到 :-55℃～ 1     

Fluke 80 Ⅲ系列数字万用表

Fluke公司新推出的80Ⅲ系列手持式数字万用表有测量交直流电压和电流、频率、占空比、电阻、电导、二极管、电容等11种功能.该系列产品有83Ⅲ、85Ⅲ、87Ⅲ、87/EⅢ四种型号,测量直流电压的精度分别为±(0.5％+1)、±(0.8％+1)、±(0.05％+1)、±(0.05％+1),分辨率为1mV。     

一种可用于T-DMB的快速调谐RC有源低通滤波器

设计了一种可用于T-DMB射频接收机的快速调谐RC有源低通滤波器,采用级联方法实现,并使用数字逻辑控制的电容阵列补偿了因工艺及工作条件变化而变化的元器件参数.基于SMIC 0.18μm、1.8V CMOS混合信号工艺,实现了七阶切比雪夫RC有源低通滤波器的设计,且其在RC时间常数±30%的变化情况下获得极小的截止频率(800 kHz)误差,并获得较快的调谐时间和高线性.调谐时间取决于数字逻辑控制的位数和比对时钟周期.