二氯二氢硅的制备

一、前言四氯化硅在半导体工业中作为外延淀积硅源,虽然工艺早已趋于完善,但至今存在无法克服的技术问题,如外延淀积膜不均匀等。有人从硅源的原料进行改革,即以二氯二氢硅来代替四氯化硅,经试验,有如下特点。     

高纯硅烷的制取

一、前言 硅烷是发展电子工业所必需的特种气体之一，它广泛应用于集成电路和半导体器件中的掩膜工艺(沉积二氧化硅薄膜，氮化硅薄膜、磷硅玻璃等)、钝化工艺(淀积氮化硅薄膜)和介质隔离工艺(生长多晶硅栅等)。在微波器件中，进一步结合外延技术，用硅烷热分解制得同质外延片和异质外延片，为微波器件提供了新型的基片。最近又发展了把硅烷作为砷化镓微波器件的离子注入源和激光器的介质，以及光纤通讯纤维的原料。     

制备非晶硅合金薄膜的新技术—等离子体化学传输淀积法(PCTD)

等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与衬底表面起反应淀积出非品硅合金膜。用此法也能淀积出非晶态砷化镓薄膜。     

自主技术高纯二氯硅烷项目奠基

2004年8月28日,国家高新技术产业化新材料专项示范工程一年产50t高纯二氯硅烷生产项目奠基仪式,在河南省沁阳市举行。沁阳国顺硅源光电气体有限公司的这一项目由北京元泰投资管理有限公司等共同投资,总投资为6363万元,预计2005年二季度试生产,2006年正式投产。届时将形成年产高纯二氯硅烷50t、100t高纯三氯硅烷、100t高纯四氯化硅的生产能力,销售收入达9000万元。     

MOCVD工艺中使用的特种气体

一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。     

用于合成Si_3N_4和SiC的新原料Si_2Cl_6

Si_3N_4和 SiC 在高温下有优良的耐氧化性、耐腐蚀性和强度,作为高温工程材料在汽车发动机和燃气轮机方面的应用很引人注目。合成Si_3N_4和 SiC 的原料有 SiH_4、SiH_x-Cl_(4-x)、SiCl_4、SiR_xCl_(4-x)、SiR_4等。以 SiH_4为原料用等离子化学气相淀积法(CVD 法)     

国外部分

92039 电子气体保持增长势头 Chemical Week,1991,148(22),26～27 在过去10年中,半导体制造用气体和淀积材料市场稳定持续增长。一半以上电子气用作惰性气氛气和载气,它们主要是高纯N_2、O_2、H_2和稀有气体;有40～50种特种气体用于硅片的化学汽相淀积、刻蚀、掺杂及其它应用。1992年电子工业将进入上升期,气体用量可增长15％～17％。气体用量与半导体市场紧密相关。在全球半导体     

NEC开发室温CVD技术

日本电气公司(NEC Co.)开发了一种化学气相淀积(CVD)半导体制造技术,它能够在室温下在硅片上形成很薄的绝缘膜。     

河南省沁阳市凌空特种气体厂生产高纯二氯硅烷

高纯二氯硅烷主要用于硅外延及集成块硅膜制备,是一种硅源材料。河南省沁阳凌空特种气体厂于1993年5月完成试产,日前该产品通过了成果鉴定,专家们认为其产品     

集成电路制造工艺及其使用的气体

从半导体制造工艺晶体生长与社底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入,刻蚀、光刻、合金化和焊接等方面,叙述了对气体使用的要求。     

甲硅烷的爆炸界限

甲硅烷是用于半导体元件生产的气体。在日本，它的消耗量随半导体工业的发展而急剧增加，主要用于硅的外延工艺、氧化膜及氮化膜的制造工艺等。另外，它还可用于太阳能电池的非晶硅的制造和复印机感光鼓的制造，预计将来的消耗量会更大。从前，甲硅烷几乎不用在工业上，所以，目前，与甲硅烷危险性有关的数据很少。     

在硅片上制备SnO_2敏感膜

本文介绍采用真空蒸镀与低温氧化相结合的工艺,在生长有氧化层的硅片上利用金属Sn制备SnO_2敏感膜。它较化学气相淀积法易于控制,并可充分利用硅平面工艺生产线现有设备,所制备的SnO_2敏感膜经扫描电镜形貌分析,其粒径小于1μm,且对乙醇,甲烷都有一定的敏感性。到目前为止,制备SnO_2敏感膜的方法有:高频溅射,直流溅射,化学气相淀积,高频等离子激活化学气相淀积,真空蒸镀等。这些方法主要是用锡的氧化物和锡盐将SnO_2膜制作在绝缘衬底(Al_2O_3)上。众所周知,采用溅射方法需要昂贵的设备,而化学气相淀积法(CVD)所需工艺参数较多,难于控制,且对环境要求较严,而我们采用的真空蒸镀同低温氧化相结合的方法,工艺参数较少,对环境要求不象CVD那样严格,更主要的是可以利用硅平面工艺生产线现有设备制成厚度均匀,粒径合适,对某些气体和湿度都灵敏的敏感膜。     

对发展我国二氯二氢硅制备与生产的意见

一、意义和目的最主要的半导体材料—硅单晶是所有硅器件的基础材料。制备硅材料(包括硅单晶锭,硅外延片以及其它含硅的薄膜材料)的起始原料是硅石(SiO_2),硅石在电弧炉中被碳还原为粗硅。后者提练成纯硅要经过一系列过程转化为中间化合物。最常用的是SiCl_4,SiH_4,SiHCl_3等。它们经提纯后再还原(或分解)为硅锭,外延硅或含硅薄膜材料。而SiH_2Cl_2是具有许多优点的新一代中间化合物,其主要意义有三方面:     

气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法

前言在半导体材料及电子器件生产中,要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体,气体纯度严重影响产品质量。如氢、氮等气体及其流经的系统中的水份和氧,对硅及Ⅲ-V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中,氢中水份达100vpm时,硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中,若稀释气体中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”,从而在刻蚀多晶硅薄膜时,造成多晶硅脱落,致使电学性能变坏。由上可知,对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。     

气体中微量水份的测定一露点法和氧化铝电容法

在半导体材料及电子器件生产中，要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体，气体纯度严重影响产品质量。如氢，氮等气体及其流经的系统中的水份和氧，对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中，氢中水份达100vpm时，硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中，若稀释气体中含有微量水份，使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”，从而在刻蚀多晶硅薄膜时，造成多晶硅脱落，致使电学性能变坏。由上可知，对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。     

国外半导体工业用超纯气体

一、概况在半导体工业生产中,几乎各个工序都会用到超纯气体,器件的质量与超纯气体的纯净度密切相关。半导体工业所需的超纯气体包括:H_2、O_2、N_2、Ar、He、NH_3、HC1、SiH_4、PH_3、B_2H_8、AsH_3、H_2Se、H_2Te、CF_4、CO_2等共十余种,按用途可分为保护气体、反应气体和运载气体。保护气体包括Ar、N_2、He及其混合气体等。主要用于防止器件在加工过程中受到空气的污染。另外还用于扩散和外延生长工序前后将反应装置吹净。反应气体包括H_2、O_2、N_2、Ar、CF_4及各种气体氢化物。主要作为生产半导体材料的原材料、还原气;生产半导体器件时形成P-n结、保护层和隔离层的气体。     

耐高温聚(间二乙炔基苯-甲基氢硅烷-苯基硅烷)树脂的合成及性能

以间二乙炔基苯、甲基氢二氯硅烷和苯基三氯硅烷为原料,利用格氏试剂法合成出一种耐高温硅炔树脂聚(间二乙炔基苯-甲基氢硅烷-苯基硅烷)(PDMP)。采用红外光谱分析、核磁共振谱图分析表征树脂的结构、凝胶渗透色谱测量树脂的分子量分布,利用差示扫描量热分析、旋转流变仪研究树脂的固化行为、热重分析表征聚合物的耐热性能。结果表明:随着苯基三氯硅烷与甲基氢二氯硅烷摩尔比的增加,树脂的耐热性先增高后降低。苯基三氯硅烷与甲基氢二氯硅烷摩尔比为4∶7时,合成的PDMP树脂耐热性最佳,氮气氛围中失重5%时的温度(Td5)达654℃,1000℃质量残留率为90.3%,空气氛围中的Td5达574℃,1000℃质量残留率为34.0%。     

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．     

MOCVD技术及其源材料

外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。其中包括汽相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)。汽相外延生长中又可依据原料的不同分为氯化物工艺、氢化物工艺和MOCVD工艺(金属有机化合物化学汽相淀积)。     

低压合成法制备三氯氢硅工艺概述

当前,90%以上的多晶硅制备工艺使用改良西门子法,这种工艺仍在发展完善中,在未来相当长的时间内还将占据主流地位。三氯氢硅(SiHCl3,英文缩写为TCS)是该工艺的一个重要原料,其制备工艺也得到了很大的发展,出现了3种不同的工艺方法:硅(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法、四氯化硅(SiCl4,英文缩写为STC)氢化转化法和二氯二氢硅