国外微波晶体管的发展概况

晶体管和场效应管以直接起着放大和振荡功能的有源器件广泛得到应用。 最初的晶体管由锗器件开始。锗晶体管经历了合金型、微合金型和台式型的发展阶段。从锗材料的固有性能上来讲,锗材料以其高迁移率适用于高频器件。但后来由于硅平面工艺和钝化等先进技术的出现,硅晶体管呈现了更多的优点,远远超过了锗晶体管。比如在高稳定性、长寿命、高可靠性及高温工作等特性方面,以及在精密控制、自     

国外锗晶体管概况

一、概述 锗晶体管从一九四八年美国贝尔实验室研制出来以后,发展极为迅速,但近年已趋饱和,目前稍有下降的趋势。例如日本72年为514百万只,73年540百万只,74年435百万只。 锗管产量下降原因有三方面,1.锗管本身在特性上低劣于硅管,2.锗材料来源较少,资本主义国家主要限于南非和刚果,3.合金法工艺不利于自动化生产。不但如此,近年来锗管研究近于停顿,文章和报告都很少。 但是锗晶体管似有某些优点,特别在低频、中小功率器件等方面,硅管仍然不能全部取代锗晶体管。     

异质结微波晶体管概况

文章综述了异质结双极晶体管和扬效应晶体管的发展概况,介绍了异质结器件的主要设计原理以及双极、单极器件的优点,也叙述了异质结器件工艺实现的可能性。     

硅微波双极功率晶体管概况

<正> 一、引言六十年代初硅双极功率晶体管的研制开始进入微波领域,从那时起功率晶体管开始闯进长期以来为电子管牢固独占的微波电子管阵地。整个六十年代尤其到七十年代头几年硅微波双极功率晶体管雨后春笋般地向频率更高、功率更大的方向飞速发展。1965年E.O.Johnson 发表了晶体管的功率频率极限问题的研究。梳状图形的结构出现较早,接着出现了复盖图形结构,1967年出现了网状发射极结构,70年又出现了菱形结构。由于微波波段同低频、高频和超高频相比有频率高、频带宽的优点,因此微波功率晶体管很     

国外微波低噪声晶体管发展动态

遵照毛主席“洋为中用”、“知彼知己,百战不殆”的教导,现将各资本主义国家对微波低噪声晶体管的研究和生产情况,作一介绍,以供参考。众所周知,微波波段的信息容量比低频段、高频段都大得多,外界噪声对系统的影响也较小,天线和整机体积都可大大缩小。因此,国防尖端技术,如核弹、导弹、雷达、卫星、探测、通讯等所用的无线电系统越来越多地选在微波波段。因此,在这波段上对小型化低噪声接收机的要求越来越迫切。当前在接收机用的器件中,低噪声混频二极管和低噪声晶体管     

国外低频硅功率晶体管概况

一、硅功率晶体管的发展概况 一九五七年硅合金功率晶体管问世,是硅晶体管进入功率领域的良好开端。近二十年来,尽管其它名目繁多的半导体器件层出不穷地进行着新陈代谢,但硅功率晶体管这个老产品却一直在稳步地向前发展着。 图1是1970～1975年世界市场上硅功率晶体管和闸流管的增长情况。图2表示德克萨斯仪器公司1960～1980年半导体定货总量中功率器件所占的百分比。这在美国是有代表性的。从这两幅图表可以看出,即使在集成电路高速发展的今天,硅功率晶体管仍发挥着它的作用。     

国外硅功率晶体管发展概况

功率晶体管是电流放大器件,其参数依赖于结构和几何图形。有四个重要参数:击穿电压、电流增益、速度和功率耗散。它们相互制约,限制着功率晶体管的设计。功率晶体管的设计有不同的方案,因而出现了几种不同的结构,其各种结构的优缺点归纳于表1。     

国外微波半导体器件研制概况

伟大领袖毛主席曾教导我们说:“指挥员使用一切可能的和必要的侦察手段,将侦察得来的敌方情况的各种材料加以去粗取精、去伪存真、由此及彼、由表及里的思索,然后将自己方面的情况加上去,研究双方的对比和相互关系,因而构成判断,定下决心,作出计划,——这是军事家在作出每一个战略、战役或战斗的计划之前的一个整个的认识     

国外异质结双极晶体管设计概况

本文介绍了以宽禁带发射极晶体管为重点的六种异质结双极晶体管(HBT)的一般设计原则。为说明这一原则还给出了一个高速开关HBT的设计实例。     

国外微波二极管及集成电路概况

一、引言 早在第二次世界大战期间,人们就已在雷达中使用微波点接触二极管来进行混频和检波,首先开创了微波半导体接收器件的研究,五十年代初,由于晶体管的出现,使人们对于半导体物理的研究产生了浓厚的兴趣,大大推动了这门新学科的发展。在此基础上,于五十年代末出现了变容二极管和隧道二极管。六十年代初出现了表面势垒二极管。这些新接收器件的出现,大大提高了接收机的灵敏度。     

国外半导体微波技术发展概况

一、引言目前,半导体微波技术,正在电子对抗、卫星通信、遥控、遥测、相控阵雷达以及民用微波通信等现代化整机方面广泛地得到应用。半导体微波器件的发展,业已促进了整机的固体化和小型化的实现。而现代化的整机,又对半导体微波器件提出了更高的要求。比如在微波波段要有大功率信号源以作固体发射源,又如在微波领域要有低噪声器件以作固体接收部件。目前,在半导体微波器件中进展最快的是微波晶体管。双极晶体管和场效应晶体管     

微波双极晶体管和微波场效应晶体管线性放大器

1.引言近年来,由于微波双极晶体管和微波场效应晶体管在制造工艺上所取得的成就,使得使用电真空器件的一些无线电设备单元完全可以用半导体器件代替。用线性放大器作为无线电发射设备的输入,输出极和中放、以及作为无线电测量仪器的某些单元是     

国外微波管用于军事装备的概况

微波的波束竟,虽然分辨率不如激光,但适于搜索目标。微波的大气衰减小,可以全天候工作,微波管的研制水平较高较成熟,可以提供大功率、高效率、宽频带、长寿命的功率源,因此微波管是有重要地位和生命力的。虽然微波固体器件有不少优点,有取代微波管的趋势,但在要求较大功率的场合微波管具有独特的优点。美国60年代末70年代初忽视微波管的发展,使美国的军用系统受到严重损害,这是一个深刻的教训。目前国际上既注意毫米     

微波功率晶体管

具有从1千兆赫、20瓦到3千兆赫、5瓦水平的微波功率晶体管已在市场出售。已经作出了具有宽带匹配网络的晶体管管壳,使功率放大器的带宽达到了数百兆赫。解决了一些可靠性问题,例如,热斑的形成,功率的不均匀和金属徒动等等。     

低噪声微波晶体管

研究和改进微波晶体管的关键是设计理论、制造技术以及在电路上的应用。就制造技术来讲,至今,围绕着杂质和图形尺寸的控制极限,已经制造出微波晶体管。因此,为获得较好的特性,必须改进某些制造技术。研制如上所述的性能优良的晶体管取决于多方面的进展:包括考虑片子处理的技术规范和研究对于外电路适用性的最佳设计。尤其是在片子处理方面,以杂质扩散为中心的技术改革,收效最大。本文描述了实现具有必要的杂质浓度的浅扩散层技术。达到上述目的的首要一条是采用砷发射极扩散,砷发射极扩散实际上消除了所谓的陷落效应。其次是表面处理,即去除作为基区的硼扩散层的表面异常层的一个方法,从而使浅结的稳定扩散成为可能。由于光刻技术的改进,已经实现了1微米的最小图形尺寸。使用钴-金制作电极。利用上述技术制造的晶体管可作6千兆赫下的低噪声放大(在6千兆赫下最小噪声系数NF_(min)=3.3分贝),其性能是如此的优良,以致在8千兆赫下晶体管仍能给出可用增益。另外,已经得到了表明其有良好可靠性的数据。     

新型微波晶体管

本文介绍了调制掺杂晶体管、电子有效质量调制晶体管和电子截断波长晶体管的原理、结构和发展动态,并简述了其发展前景。     

低噪声微波晶体管

随着亚毫米波或毫米波脉冲编码调制通信方式的发展,要求我们研制微波频带用的低噪声晶体管。现在的目的是以硅 npn 平面型晶体管为主,采用工作稳定的共发射极使用方法。对于微波晶体管的设计和制造技术,最近各公司都发表了有特色的方法,但是现在认为最有效的方法,基本上是由砷扩散的发射极,用硼热扩散或离子注入的基区以及以铂为主构成电极的方法。与此同时,还要使寄生电阻、寄生电容和电感都减小,并且还应考虑到和微波集成     

微波低噪声晶体管

一、引言最近,微波低噪声晶体管有了显著的进展,据称,已有晶体管实际应用于X波段。我们已报告了由于成功地研制了硅npn平面型的微波低噪声晶体管,好的晶体管已达到6千兆赫下,最小噪声系数F_(min)=3.3分贝。此种晶体管要求实现在微细结构中具有必要的杂质浓度。但是,要实现微细的平面图形,有必要进一步改善光刻技术及其相应的掩模对位装置,由于光波长的原因,使这些方法有局限,因此有必要采用电子束曝光技术。此外,对于深度方向的微细图形,即实现浅而且有一定杂质浓度的扩散层的问题,首先,由于扩散基区层的杂质在扩散发射     

低噪声微波晶体管

随着准毫米波或毫米波脉码调制通讯方式的发展,要求相应地发展微波频段用的低噪声微波晶体管。为了实现现阶段的目的,应采取这样的方法,即以工作稳定的发射极接地方式使用作为主体的硅NPN平面型晶体管。关于微波晶体管的设计、制造技术,最近在各公司都有特定的方法发表,现在人们认为最有效的方法,基本上是由砷扩散形成发射极区、应用硼的热扩散或离子注入形成的基区,以及以铂为主体构成电极的方法。与此同时,还必须减小产生的寄生电阻、寄生电容及寄生电感成分,并且按照微波集成     

微波晶体管放大器

本文介绍了新研制的微波晶体管放大器的设计及性能。LD4085和它的高增益改进型 LD4085A 为2～4千兆赫的低噪声放大器。LD4024A 为一种对过于高的输入信号具有保护电路的 S 波段低噪声放大器。LD4093和 LD4094为1千兆赫频段的功率放大器。