X波段五位移相器和小功率开关HMIC的研制

介绍了一种用混合微波组装工艺制造的Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ的电路设计和制造工艺,并分析了制造工艺对移相器的影响, 提出了控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ： 体积小、可靠性高     

可改进太阳能电池的新型电特性

由铋、铁和氧组成的晶体能够实现可逆的二极管 美国Rutgers大学的一组物理学家发现了一种材料所具有的特殊电特性,能够提升太阳能电池效率并改善计算机芯片设计.这种由铋、铁和氧组成的晶体能够实现可逆的二极管,这种二极管在光照条件下就能产生电流.传统的半导体二极管是不可逆的,其电流方向在制造时就已经确定下来了.     

X波段五位移相器的小功率开关HMIC的研制

介绍了一种混合微波组装工艺制造的Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ的电路设计和制造工艺，并分析了制造工艺对移相器的影响，提出控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ：体积小，可靠性高。     

低暗电流InGaAs PIN光电二极管

本文研究了1.0～1.6μm 波长范围低暗电流 InGaAs/InP PIN 光电二极管。阐明了造成通常 InGaAs/InP 光电二极管暗电流的原因是通过 InGaAsp-n 结不稳定表面的漏电流。制造了一种新式结构的光电二极管,并对其光电特性进行了研究。在这种结构中,p-n 结的边缘露在 InP 表面,结果得到了暗电流低于1nA 的稳定的 InGaAs/JnP 光电二极管,此值约为锗光电二极管的1/1000。     

低压调整二极管击穿特性分析与优化设计

介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术.该技术论证了Si平面结型5.1V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此结构相匹配的工艺制程,进而实现5.1V击穿电压特性为硬击穿.此硬击穿优化的关键是对结构设计、氧化工艺的深度研究.     

GaAs激光器进入广泛实用的阶段

一般用来构成外腔二极管激光器装置的实验设备包括平动台、常平架和与此相似的其它大设备。林·肯实验室的H. Heckscher和J. A. Rossi制造了一种结实的、闪光灯大小的外腔注入式激光器外氘能产生可调窄线宽的输出。这种Littrow结构中使用一面衍射光栅作为终端反射器，每一个可互换二极管(共有4个)的两面都涂有减反射膜。     

掺入杂质提高GaAs二极管激光器产品质量

施主扩散杂质作为制造砷化镓二极管激光器的一种辅助手段很有前途。伊利诺斯大学和加州施乐研究中心研制了这种工艺。该工艺允许对制造激光器的晶片材料进行横向修改，以增加带隙、折射率和电导率的变化。研制者已得到有关这种工艺的两项专利，这种制造激光二极管的方法在商业上颇有潜力。     

带缓冲层的新型InGaAs异质结构APD

<正> 日本KDD研究和发展实验室提出了一种新型异质结构雪崩光电二极管,并且已用液相外延和锌扩散方法成功地制造了这种器件。这种器件是由InP衬底上连续生长三层的外延片所构成,即In_(0.53)Ga_(0.47)As光吸收层、InGaAsP缓冲层和InP雪崩倍增层。器件在0.9V_B下暗电流密度达到1×10~(-4)A/cm~2,当用1.15μm的光照时,二极管的最大倍增增益为880,外量     

具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计

通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管. 通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V; 同时通过调整InP倍增层的掺杂浓度和厚度,沿器件中轴的电场分布也得到了控制. 在有源区的边缘采用层叠pn结结构有效地抑制了过早边缘击穿现象. 仿真模拟显示四层层叠结构是边缘击穿抑制效果和制造工艺复杂度的一个好的折衷方案,该结构中峰值电场强度为5.2E5kV/cm,空穴离化积分最大值为1.201. 本文提供了一种设计高性能的InGaAs/InP光子计数雪崩光电二极管的有效方法.     

少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性

提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构.利用普通的p+nn+二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的MLD快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域.