He-Ne激光照射对SP2/0骨髓瘤小鼠TNF及TNFR水平的影响

采用２４ｍＷＨｅ－Ｎｅ激光照射器照射荷瘤小鼠瘤区,观察激光照射对瘤鼠瘤组织内肿瘤坏死因子（ＴＮＦ）及肿瘤坏死因子受体（ＴＮＦＲ）的影响,结果表明激光照射组小鼠瘤体内ＴＮＦ活性明显增强,ＴＮＦＲ表达量增多,瘤细胞增殖率降低,与非激光组相比,有高度显著性差异（Ｐ＜０．０１）。表明Ｈｅ－Ｎｅ激光具有增强带瘤机体ＴＮＦ活性并促进ＴＮＦＲ表达的作用     

He—Ne激光对SP2／0骨髓瘤细胞的抑制作用研究

目的：探讨He-Ne激光对SP2／O骨髓瘤细胞的抑制作用。方法：本研究采用24mW He-Ne激光照射器照射SP2／O骨髓瘤细胞及带瘤小鼠瘤区,照射时间为20min,照射次数为5次,照射前后分别观测瘤块直径、瘤块重量及瘤细胞数量。结果：激光照射组小鼠瘤块直径,瘤块重量,瘤细胞数量及成瘤率均明显低于非激光照射组,组间比较P＜0．01,差异非常显著。结论：He-Ne激光照射具有抑制SP2／O细胞增殖的作用。     

YBa_2Cu_3O_x中22~(1/2)α_0×22~(1/2)α_0相的模型

高T_c超导氧化物中氧的配比和排列是决定材料超导性能的关键因素之一。在YBa_2Cu_3O_x中HREM和ED研究发现了2a_0,3a_0等由氧有序引起的超结构。所有YBa_2Cu_3O_x试样,不论其初始氧含量如何,500℃左右在真空中加热,均可看到如图1所示的电子衍射图。这就是2(2~(1/2))a_0×2~(1/2)a_0相,对他的本质尚有争议。为了进一步研究这个相的本质,我们构筑了     

Ag掺杂对La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜及激光感生电压效应的影响

采用固相法烧结制备了Ag掺杂的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO∶Agx,x为摩尔分数,x=0.00,0.05,0.10)多晶靶材,并利用此靶材采用脉冲激光沉积法(PLD)在0°和15°LaAlO3(100)单晶衬底(单面抛光)上于790℃和45 Pa流动氧压下制备了LCMO∶Agx外延薄膜,并于760℃和104Pa静态氧压下进行了30 min原位退火处理;X射线衍射(XRD)和ω-θ摇摆曲线分析表明所制备薄膜均沿[00l]方向生长,并且结晶质量较好,原子力显微镜(AFM)分析表明平均面光洁度较小,并且随Ag掺杂量的增加而变小;另外在倾斜衬底上生长的LCMO∶Agx薄膜上观察到激光感生电压(LIV)效应,并且随Ag掺杂浓度的增加,LCMO∶Agx薄膜的LIV信号的Up值先增大后减小,x=0.05时最大,x=0.10时最小,LIV信号响应时间τ则正好相反。     

Ag/Si(001)界面的LEED,AES和UPS研究(英文)

Si(001) surface is a more important surface for pratical application, but the study of metal-semiconductor interfaces on this surface is much less than on Si (111) surface. In this paper, the initial formation of the Ag/Si (001) interface is investigated by LEED, AES and UPS using He lamp. Results on room temperature adsorption of Ag on Si(001)(2×1) surface show a LEED pattern unchanged from the clean surface until gradual blurring. Being relative to the pure metal Ag, a shift and the shape of the 4d peak of Ag apprpted on Si (001) indicate that Ag/Si(001) is consistent with 2D island formation. With iacreasing coverage, the 4d peak shifts toward E while the second peak develops and thus intermixing Ag and Si atoms are formed.     

Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜电阻开关特性的研究

采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效应表现出良好的非挥发多值存储特性,有望应用于新型存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制。     

Sm~(3+)掺杂Co_(0．6)Zn_(0．4)Ni_(0．8)Fe_(1．2)O_4红外辐射陶瓷材料的研究

用常规固相合成法成功地制备出Sm3 掺杂Co0.6Zn0.4Ni0.8Fe1.2O4红外辐射陶瓷材料,并通过XRD、FT-IR和IRE-2型红外发射率测量仪测试了材料的微观结构,分析了材料的结构特征与红外辐射性能的关系,发现Sm3 的掺杂导致Sm3 以一定的配位形式进入Co0.6Zn0.4Ni0.8Fe1.2O4体系中,并形成了有限置换型固溶体结构.数据分析可知,Sm3 掺杂浓度对材料的红外辐射性能存在一定的影响,样品Sm0.1在全波段的积分发射率为0.74,而在>8μm波段的平均发射率最高值可达0.94.     

EDAX—9100/60能谱仪故障的排除(2)

这次介绍“菜单紊乱故障”排除情况。故障现象:按CTRL和HEREIS能引导程序,但键盘的功能键和LED显示均不正常。发光二极管(LED)不应显示的部位全显示出＄字符。另外功能键虽然有活性,但显示的字符不对。不能正确引导下一程序的操作,因为显示的字符不对。故障分析:我们把功能键显示的各组(层次)的字符称为菜单。现在菜单发生紊乱现象,有的功能键的字符中有个别字母是对的,有的全部错乱了。但按下各个功能键均有活性,就是显示的字符不对。仔细分析菜单紊乱的现象,又发现有规律性。如送入日期、时间和SW9100后,出现如下菜单,我们用比较的方法示出:     

锂离子电池正极材料LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2的合成及性能研究

采用辐照凝胶法制备了锂离子电池正极用LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2粉体材料。采用XRD、SEM和电化学充放电测试对制备材料的结构和性能进行了表征。结果表明:900℃制得的样品具有较好的层状结构,结晶性适中,电化学性能优异:其首次放电容量高达184mA·h/g(2.80～4.50V,C/10),30次循环后的容量保持率为87.4%,表现出较好的充放电容量和循环性能,较之850,950℃煅烧样品具有最小的交流阻抗和直流阻抗。     

钙钛矿型铌锌酸铅陶瓷材料合成及其性能

用Ｘ射线衍射和差热分析研究了铌锌酸铅Ｐｂ〔（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３〕Ｏ３陶瓷材料普通合成法和两种铌铁矿先驱体合成法的合成机理。研究表明，该材料的合成过程中，首先生成焦绿石相然后在较高温度生成钙钛矿相，先驱体法可以明显抑制焦绿石相的生成并使其反应温度向高温推迟，从而可以明显提高钙钛矿的产率。而简单先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＮ＋ＭＮ）比复合先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＭＮ）具有更好的合成效果。采用简单先驱体法通过合适的合成工艺可以制得钙钛矿含量大于９５％的Ｐｂ〔（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３〕Ｏ３陶瓷材料，其介电温谱具有明显的弥散性，为无序铁电陶瓷材料。研究发现，差热分析作为判断焦绿石和钙钛矿反应温度的重要依据，可以用于铌锌酸铅系陶瓷材料钙钛矿的合成研究。     

Capacitance-voltage analysis of InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)

The electronic properties of InAs quantum dots (QDs) grown on InAlAs/InP(0 0 1) were studied by using capacitance-voltage (C-V) analysis and photoluminescence (PL) measurements. The level positions of electrons and holes could be studied separately by using n- and p-type InAlAs matrices, respectively. The holes are found to be more confined than electrons in these kinds of dots.     

新型无铅压电陶瓷NBT-NBSN的研究

采用传统陶瓷制备方法,制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-x(Na1/2Bi1/2)(Sb1/2Nb1/2)O3(x=0~1.4%,摩尔分数)。研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3(NBT)陶瓷B位复合离子(Sb1/2Nb1/2)4 取代对介电和压电性能的影响。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33、厚度机电耦合系数kt和介电常数rε随着x值的增加先增加后降低,在x=0.8%时,陶瓷的d33=97 pC/N,kt=0.50,为所研究组成中的最大值,介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。     

0-3型压电复合材料圆柱形水听器

使用0-3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料研制出一种圆柱形水听器,对水听器的结构、材料以及灵敏度进行了理论分析,测量了水听器样品灵敏度随频率的变化曲线。研究结果表明,利用0-3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料可制作出灵敏度高达-202.3 dB ref.1V/μPa的水听器,静态电容量较大,制作工艺简单,实际测量值和理论计算值很相近。     

钽钪酸铅-钛酸铅制备工艺研究

采用XRD、SEM等分析技术,研究了制备工艺与(1x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3xPbTiO3(简称PSTT)结晶性能的关系。如选择适当的组分,在适当的温度下采用传统的电子陶瓷混合氧化物法可以获得全钙钛矿相结构的PSTT陶瓷;PSTT陶瓷晶粒细小均匀。     

Epitaxial growth of Dy2O3 thin films on epitaxial Dy-germanide films on Ge(0 0 1) substrates

Ultra-thin films of Dy are grown on Ge(0 0 1) substrates by molecular beam deposition near room temperature and immediately annealed for solid phase epitaxy at higher temperatures, leading to the formation of DyGe_x films. Thin films of Dy₂O₃ are grown on the DyGe_x film on Ge(0 0 1) substrates by molecular beam epitaxy. Streaky reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns reveal that epitaxial DyGe_x films grow on Ge(0 0 1) substrates with flat surfaces. X-ray diffraction (XRD) spectrum suggests the growth of an orthorhombic phase of DyGe_x films with (0 0 1) orientations. After the growth of Dy₂O₃ films, there is a change in RHEED patterns to spotty features, revealing the growth of 3D crystalline islands. XRD spectrum shows the presence of a cubic phase with (1 0 0) and (1 1 1) orientations. Atomic force microscopy image shows that the surface morphology of Dy₂O₃ films is smooth with a root mean square roughness of 10 Å.     

Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(1 1 1) substrates by MOCVD

AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) hetero-structures were grown on the 2-in Si (1 1 1) substrate using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Low-temperature (LT) AlN layers were inserted to relieve the tension stress during the growth of GaN epilayers. The grown AlGaN/GaN HEMT samples exhibited a maximum crack-free area of 8 mm×5 mm, XRD GaN (0 0 0 2) full-width at half-maximum (FWHM) of 661 arcsec and surface roughness of 0.377 nm. The device with a gate length of 1.4 μm and a gate width of 60 μm demonstrated maximum drain current density of 304 mA/mm, transconductance of 124 mS/mm and reverse gate leakage current of 0.76 μA/mm at the gate voltage of −10 V.     

弛豫型铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3研究进展

钽钪酸铅陶瓷具有优良的介电、压电和铁电性能,但烧成温度高、居里点较低。为降低钽钪酸铅陶瓷的烧结温度并提高其居里点,人们合成了钽钪酸铅-钛酸铅(简称PSTT)材料体系。该文综述了弛豫型铁电陶瓷PSTT体系在相图与结构、制备和性能等方面的研究进展,探索了一种合成PSTT陶瓷新工艺,介绍了PSTT材料体系的重要应用领域。     

非线性光学晶体--MnHg(SCN)4(CH3OCH2CH2OH)的合成及表征

在水和乙二醇－甲醚体积比为1∶的混合溶液中制备了金属有机配合物非线性光学晶体材料；乙二醇－甲醚合硫氰酸汞锰（MMTG）晶体。该晶体具有较强的粉末倍频（SHG）效应，用半定量法测定其SHG强度与Urea晶体相当。该晶体具有较强的红外活性，用红外光谱表征了原子间的振动形式和配位情况。用X射线粉末衍射得到了其粉末衍射数据，对衍射数据进行了指标化，并得出MMTG属于正交晶系，其点阵参数a=1.6219800nm,b1.3502840nm,c=0.7295630nm,V=1.59784nm^2。利用指标化结果和X－射线衍射法（XRD）研究了单晶体生长面的取向。用SEM表征了其形貌。最后用X－射线四周衍射法所得的该晶体的结构数据与粉末衍射数据对比，结果符合较好。并最终确定了MMTG的空间群为p21/c。