共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
使用粒度约为3μm的导电陶瓷TiB_2颗粒作为铜基复合材料的增强相,在酸性硫酸铜溶液中用电铸方法制备TiB_2/Cu电火花加工用工具电极。用扫描电镜和金相显微镜观察其组织结构,用维氏硬度计测量硬度,用中性盐雾试验测量其耐腐蚀性,用电火花加工脆硬材料衡量其抗电蚀性。结果表明:电铸Cu与TiB_2/Cu晶粒平均直径分别为30,10μm,硬度分别为984,1235 MPa,腐蚀失重分别为47.8,40.3 mg;TiB_2颗粒的加入可显著细化晶粒,提高硬度、耐腐蚀性和抗电蚀性。 相似文献
2.
3.
4.
5.
用电铸法制备了Ni-CeO2纳米复合材料,考察了镀液中CeO2纳米颗粒浓度、阴极电流密度、镀液温度对纳米复合材料中CeO2含量及纳米复合材料显微硬度的影响,对纳米复合材料的表面形貌进行了分析。结果表明,制备Ni-CeO2纳米复合材料的最佳工艺条件为纳米颗粒添加量为40g/L,阴极电流密度为4A/dm^2,镀液温度为55℃,pH值为3.8;在最佳工艺条件下可得到CeO2质量分数为8.5%的Ni-CeO2纳米复合材料,其表面光滑平整、组织均匀致密,且显微硬度HV达到598,较纯镍有显著提高。 相似文献
6.
7.
提出通过掺杂SiC颗粒来减小Ni微电铸层内应力的新方法,基于UV-LIGA工艺制作了纯镍电铸层和Ni-SiC复合电铸层,采用X射线衍射法测量微电铸层的内应力,分析SiC颗粒对微电铸层内应力的影响效果。利用L_9(3~4)正交试验考查了铸液中SiC浓度、电流密度、搅拌转速及电铸温度等工艺参数对复合电铸层内应力的影响。结果表明:掺杂SiC颗粒能有效减小微电铸层内应力,电流密度和铸液中SiC浓度对内应力的影响大于搅拌转速和电铸温度。复合电铸层内应力实验的最优工艺参数为:SiC浓度20 g/L,电流密度1 A/dm~2,磁力搅拌转速600 r/min,电铸温度50℃。 相似文献
8.
SiCp/Mg复合材料的界面结构 总被引:5,自引:0,他引:5
采用真空压力浸渍法制备了碳化硅颗粒增强铸造镁合金复合材料,碳化硅颗粒的平均尺寸为4μm,体积分数为45%。通过透射电镜,能量色散谱仪研究了这种复合材料的SiCp/Mg界面微结构。实验结果表明:碳化硅颗粒与镁基体的界面结合紧密,界面区域存在合金元素铝的偏聚,并形成块状和细针状γ相,这种γ相提高了界面结合强度。 相似文献
9.
以硝酸铜和预处理碳纳米管(CNTs)为原料,采用喷雾干燥-煅烧-还原工艺获得超细CNTs/Cu复合粉体。将复合粉体分别利用模压成形(MP)和冷等静压成形(CIP)两种工艺分别制备出CNTs/Cu复合材料。比较两种工艺下得到的复合材料的致密度、硬度、导电率和导热性能。结果表明:喷雾干燥法制备的复合粉体纯度高,CNTs分散均匀。冷等静压成形优于模压工艺,冷等静压工艺制备的复合材料中CNTs含量为0.5%(质量分数)时,硬度和热导率分别达到105.24 HV和407.84W/(m·K)。 相似文献
10.
在一定真空度下,对用不同方法处理的碳化硅与ZL101基体铝合金的润湿角进行了测定,并用扫描电镜、电子探针分析了处理的碳化硅表面形状和成分,用X射线衍射分析了碳化硅颗粒与铝基体的界面组成。结果表明,原始碳化硅在700~900℃范围内与ZL101不润湿,而经过不同方法处理的碳化硅在该温度区能被ZL101润湿。润湿性的改善是由于在碳化硅颗粒和铝基体间发生了界面反应,生成了中间相。 相似文献
11.
亚微米SiCp含量对SiCp/Cu基复合材料性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以亚微米级(130nm)碳化硅颗粒(SiCp)和微米级(10μm)Cu粉为原料,采用冷压烧结和热挤压方法制备出SiCp/Cu基复合材料,研究其SiCp含量对SiCp/Cu基复合材料电学、力学和摩擦学性能的影响。结果表明:当SiCp体积含量从0.5%增高到5.0%时,电导率从96.2%IACS下降到87.4%IACS,维氏硬度从64.8MPa增高到87.8MPa,抗拉强度从213.3MPa增大到217.3MPa,伸长率从41.5%下降到8.6%;SiCp/Cu基复合材料具有优良的摩擦学性能,0.5%SiCp/Cu基复合材料和5.0%SiCp/Cu基复合材料的磨损质量损失在载荷为300~1200N时分别仅是工业供应态T3铜的1/4.07~1/1.13和1/14.25~1/2.10,亚表层疲劳裂纹引发的疲劳磨损是SiCp/Cu基复合材料的磨损机理之一,磨损表面和亚表面没有明显的来自对磨钢的Fe元素。 相似文献
12.
以微米级(14/μm)SiCp和微米级(10μm)铜粉为原料,采用冷压烧结方法成功制备出了SiCp/Cu基复合材料,并进行了热挤压加工,研究了组织、导电性能、硬度、拉伸性能和耐磨性能。结果表明:SiCp分布均匀;在SiCp含量为1%vol~10%vol时,SiCp/Cu基复合材料的导电率为95.9%~82.2%IACS.硬度为84.5~89.2HV0.2,抗拉强度为243.3~166.6 MPa,伸长率为50.6%~23.0%;5vo1%SiCp/Cu基复合材料具有良好的耐磨性能,其磨损失重分别是QSn 6.5-0.4的1/18.3和T3纯Cu的1/24.7。 相似文献
13.
SiCp含量和尺寸对Al基复合材料摩擦学特性的影响 总被引:6,自引:2,他引:6
通过分析SiCp/Al基复合材料中第二相SiCp的含量、分布和尺寸对其性能的影响,深入地研究了微米、亚微米SiCp/Al复合材料的摩擦磨损特性,尤其是SiCp/Al复合材料磨损亚表层特性的影响.研究结果表明:复合材料的磨损是粘着磨损、微切削和剥层的共同作用,SiCp对材料粘着磨损有一定的抑制作用,且随着SiCp粒度和含量的增大,SiCp/Al基复合材料的耐磨性也随之增加;由于SiCp承担了部分载荷和表层存在着机械混合层,因此复合材料具有比其基体金属更高的耐磨性. 相似文献
14.
15.
真空变压力浸渗法制备高体积分数SiCp/Al复合材料 总被引:5,自引:1,他引:5
采用真空变压力浸渗法制备高体积分数SiCp/Al复合材料。结果表明,真空变压力浸渗法具有良好的渗流和凝固条件,避免了气体和夹杂物的裹入等问题;在压力为0.6 MPa、保压时间为15 min和温度为1 073 K的条件下,成功渗透了振实堆积的单一尺寸SiCp多孔体的最小粒径为17μm;而32μm的SiCp多孔体浸渗后的复合材料中SiCp体积分数达到了60%。在0.4~0.6 MPa和1 073 K的条件下浸渗15 min,可渗透的最小SiCp粒径达到了10μm,其体积分数为56%。经OM、SEM、XRD分析表明,铝液渗透均匀,内部组织致密,无明显的孔洞及夹杂等铸造缺陷,界面无脆性Al4C3相生成。 相似文献
16.
Sessile drop technique was used to investigate the influence of Ti on the wetting behaviour of copper alloy on SiC substrate. A low contact angle of 15° for Cu alloy on SiC substrate is obtained at the temperature of 1 100℃. The interfacial energy is lowered by the segregation of Ti and the formation of reaction product TiC, resulting in the significant enhancement of wettability. Ti is found to almost completely segregate to Cu/SiC interface. This agrees well with a coverage of 99.8%Ti at the Cu/SiC interface predicted fi'om a simple model based on Gibbs adsorption isotherm. SiCp/Cu composites are produced by pressureless infiltration of copper alloy into Ti-activated SiC preform. The volume fraction of SiC reaches 57%. The densiflcation achieves 97.5%. The bending strength varies fi'om 150 MPa to 250 MPa and increases with decreasing particle size. 相似文献
17.
18.
热处理对SiCp/Al复合材料强度和塑性的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
采用粉末冶金法制备了d300 mm的15%SiCp/Al(体积分数)复合材料坯锭,研究了挤压态和T4态复合材料的力学性能和断裂特点,揭示了基体强度和颗粒开裂对复合材料强度与塑性的影响规律。结果表明:复合材料T4态拉伸强度保持在560 MPa的水平下,延伸率仍高达7%以上;与挤压态相比,T4态复合材料拉伸强度和屈服强度分别提高了68.5%和105%,但塑性保持在同一水平。断口观察表明:挤压态复合材料以基体断裂为主,而T4态复合材料除了基体断裂外,还存在SiC颗粒开裂现象;基体强度严重影响复合材料的断裂形式,颗粒开裂有利于提高复合材料的塑性。 相似文献
19.