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综述了CaAs/Si异质外延材料的性能及应用前景,分析了进一步提高材料质量所面临的问题,重点介绍了降低外延层缺陷方面的研究进展. 相似文献
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一、前言复杂的模拟电路、数字电路和光电器件的单片集成,使人们越来越注意开发混合半导体材料工艺,这方面最杰出的例子是在硅单晶衬底上生长 GaAs 外延层。GaAs/Si 工艺研究已成为固态电子学和异质结电子学中重要的研究领域。 相似文献
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硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低,因 相似文献
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应用LPE法成功地制出了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs多层结构材料,讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为,测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质,井观察了材料表面形貌。 相似文献
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应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。 相似文献
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研究了 Ga-AsCl_3-H_2开管外延系统中 GaAs 的生长速率问题。采用对掺杂量进行调制,同时结合多层结构浓度剖面分布测量,证明了生长速率不随时间变化。由于这一技术的通用性,因而可用于其它外延材料生长速率的研究。 相似文献
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用LPE法生长了表面光亮、性质均匀的p-Ga1-xAlxAs/p-GaAs/p-Ga1-xAlxAs/n-GaAs(衬底)多层异质材料;研究了材料的电学性质、掺杂剂分配,探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。 相似文献