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介绍了自主开发的多个完整实用的GaAs IC CAD软件,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波IC CAD、光电集成电路CAD、GaAs VHSIC CAD、微波高速MCM CAD等,并简要介绍了针对GaAs工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。 相似文献
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本文讨论了GaAs电路和SiECL电路的输入输出接口问题,对GaAs电路中BFL、DCFL、SDFL等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究,用电路模拟程序计算并给出了BFL输入输出接口电路的转移特性曲线。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMESFET直接耦合逻辑FET单元电路.该单元电路比已有的各种GaAs数字集成电路单元电路有明显优点,是GaAs数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路. 相似文献
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本文首先分析GaAs MESFET在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于GaAs MESFET功率MMIC CAD中能进一步提高电路的设计精度。 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):32-32
C波段16W内匹配GaAs功率MESFET傅炜(南京电子器件研究所,210016)1993年12月2日收到AC-Band16WInternallyMatchedPowerGaAsMESFET¥FuWei(NanjingElectronicDevice... 相似文献
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直接耦合场效应逻辑(DCFL)具有简单的结构、良好的速度/功耗性能,是GaAsFETLSI电路中一种重要的逻辑形式。传统E/D型DCFL电路具有较低的成品率和较差的温度特性,本文研究了改进的E/E型DCFL电路。对E/D、E/E型DCFL电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较,E/E逻辑具有良好的高温性能。经优化设计,最后制作出单门延迟约100ps、单门功耗约1mW的E/D和E/E型DCFL电路,且E/E型电路较E/D型电路具有更高的成品率。 相似文献
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介绍了GaAsMESFET应用在商业软件中的四种非线性CAD模型、PSPICE程序中的STATZ模型、EEsof微波电路模拟程序中的Curtice对称和不对称模型以及QUASI程序中改进的STATZ模型。在给出多种模型DC方程和源漏电容公式的同时,对三种电路模拟程序的应用范围进行了分析。 相似文献
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介绍了X波段1.5W GaAs MMIC的设计,制作和性能测试,包括MESFET大信号模型的建立,电路CAD优化,DOE灵敏度分析及T型栅工艺研究等。微波测试结果为:在频率9.4 ̄10.2GHz下,输出功率大于32dBm,增益大于10dB。 相似文献
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本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
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介绍了GaAs MMIC RF开关的设计方法,在这种方法中,把MESFET当作一个两端口网络处理,直接提取开与关两种状态下网络的S参数,应用S参数进行开关电路的CAD。这种设计方法更准确,更简单,容易实现。文中还给出了GaAs MMIC RF开关的研制结果。 相似文献
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直接耦合场效应逻辑(DCFL)具有简单的结构、良好的速度/功耗性能,是GaAs FETLSI电路中一种重要的逻辑形式。传统E/D型DCFL电路具有较低的成品率和较差的温度特性,本文研究了改进的E/E型DCFL电路。对E/D、E/E型DCFL电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较,E/E逻辑具有良好的高温性能。经优化设计,最后制作出单门延迟的100ps、单门功耗的1mW的E/D和E/E型D 相似文献