合成高技术陶瓷粉料的新方法

随着高技术陶瓷的迅猛发展，对原料也提出更高的要求。本文介绍了3种伦学合成超细粉料的方法：溶胶－－凝胶法、水热合成法和非水性液相反应合成法。     

羟基磷灰石陶瓷粉料的合成

本文探讨了羟基磷灰石陶瓷粉料的制备工艺与粉料细度、Ca/P比值及粉料高温稳定性的影响关系。采用化学沉淀法合成羟基磷灰石陶瓷细粉。经动物实验及x—射线衍射、红外光谱分析、扫描电镜等测试手段的研究,证实该粉料纯度高、活性大、高温稳定性好,具有满足于临床应用的生物性能。     

功能陶瓷超微粒粉料的合成

近年来超微粒子化技术的发展十分迅速,它们在功能陶瓷的应用研究,特别是在各种固体传感器的研究中起着日益重要的作用。本文综合和评论了与化学传感器有关的某些功能陶瓷微粒和超微粒的合成方法。     

受主掺杂BaTiO_3陶瓷热敏电阻的研究

本文通过对试样ρ-T特性的测试,研究了CuO和Cu_2O掺杂对BaTiO_3陶瓷半导化及PTC效应的影响。在本实验条件下,确定了PTC热敏电阻的最佳组成和最佳烧成制度,并通过扫描电子显微镜(SEM)对典型试样显微结构的观察和分析,提出了优质PTC材料应具有的理想化显微结构模型。     

湿化学法合成陶瓷粉料的原理和方法

通过液相合成陶瓷粉料可实现粉料的超细、粒度均匀、化学成分的精确控制以及分布均匀。本文综述了湿化学法制备陶瓷粉料的工艺原理和常用的方法，包括沉淀－煅烧法、水热法、胶体化学方法、喷雾热分解法和乳化液法等。     

施主掺杂BaTiO_3陶瓷半导化特性研究

本文采用四电极技术测量了空气中未掺杂和La掺杂(La含量:0.1—1.0at％)BaTiO_3陶瓷在900—1400℃溫区的平衡电导率,据此分析了这些材料的缺陷结构。结果表明,高掺杂材料内部存在着的与施主杂质相联系的大量二元和三元紧密复合缺陷强烈地影响着材料的电性能。用复合缺陷模型解释了电导率、晶粒尺寸随施主含量变化等重要实验现象。高温和室温电导率随施主含量的异常变化完全是由于因形成复合缺陷导致有效施主浓度的下降而引起的。随着施主浓度的增加,优先在晶粒表面形成的复合缺陷浓度变得如此之大,以致参与体扩散机制的大量钡缺位被束缚,因此晶粒表面能下降,晶粒生长受到抑制,这就是晶粒尺寸与施主含量关系的内在根由。本文还对Heywang模型中的表面态本质提出了新的见解。指出了获得耐压达250V/mm优质PTC热敏电阻器的关键所在。     

双受主掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷性能的研究

本文系统地研究了Ｆｅ~（２＋）、Ｍｎ~（４＋）复合受主掺杂和烧结工艺对ＢａＴｉＯ_３基ＰＴＣ陶瓷性能的影响, 通过不同复合受主掺杂量和不同烧结工艺,测试并整理了较大量的ＰＴＣ陶瓷材料的室温电阻及 其升阻比数据,旨在研究多受主掺杂和烧结工艺对瓷料性能的影响规律及寻找一种相应的最佳配 方和最佳烧结工艺,提高ＰＴＣ陶瓷的特性。     

掺杂BaTiO_3陶瓷介电吸收电流的释放

研究了掺杂BaTiO_3陶瓷的介电吸收电流和介电释放电流。样品的吸收电流依赖千样品历史,这种现象与样品的老化有关;样品的释放电流则不依赖于样品历史。铁电陶瓷的介电释放电流不遵从I=At~(-n)的规律,提出介电释放电流的半经验公式,认为受束缚的空间电荷激活模型是铁电陶瓷中的介电释放电流占主导地位的机理。掺杂BaTiO_8陶瓷的这种极化弛豫效应是三种弛豫过程的迭加。     

微波水热法合成Mn掺杂BaTiO_3纳米粉体

以Ti(OC_4H_9)_4 、Ba(NO_3)_2 和C_4H_6MnO_4·4H_2O为原料,采用微波水热法合成了Mn掺杂的BaTiO_3纳米粉体.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对产物进行了表征.并研究了影响Mn掺杂BaTiO_3晶体生长和形貌的主要影响因素.实验结果表明:掺杂量为1.0%,反应时间为30 min,烘箱干燥温度为82 ℃,能制备出单一的粒径均匀的掺Mn的BaTiO_3纳米粉体,且粉体的粒径尺寸约为100 nm.     

Gd_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同量Gd2O3(分别为0 001、0 002、0 003、0 005、0 007mol mol)的BaTiO3陶瓷,并对其电性能进行了研究。结果表明:Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显下降,当添加量为0 002mol mol时,电阻率最小,为1 27×105Ω·m;晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明Gd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的PTC效应是一种晶界效应;Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电常数和介电损耗在低频时明显增大,在高频时又明显降低。     

添加剂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

本文研究了Ｎｂ_２Ｏ_５、 Ｙ（ＮＯ_３）_３、 ＴｉＯ_２、及 Ａｌ_２Ｏ_３、 ＳｉＯ_２对 ＢａＴｉＯ_３半导体陶瓷性能的影响。结果表明室温电阻率的波动随不同施主掺杂物量的改变而不同。Ｙ（ＮＯ_３）_３在较宽范围内变化时,试样的室温电阻率能保持较好的稳定性。同时对ＴｉＯ_２及Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２都能提高ＰＴＣ效应的机理进行了解释。     

溶液反应法合成氧化物类功能陶瓷粉料

无机功能(陶瓷)粉料的合成方法,有固相反应法和溶液反应法(即干法和湿法)两种。前者是将原料(大多数情况下是金属氧化物,也可以是碳酸盐或草酸盐),按材料组成进行配料,球磨混合,压块(或不压块),在高温下固相反应合成。后者是将原料金属盐类转为溶液,按材料组成将原料液配合在一起,采用共沉淀或共结晶的方法从溶液中析出固溶体形式的组成物。如果采用氢氧化物共沉淀方法,则可直接获得含水或     

提高BaTiO_3半导体陶瓷的PTCR效应的研究

本文通过掺杂(施主)Sb_2O_3的钛酸钡热敏电阻,在调整添加剂及工艺制度的基础上,测定了Sb_2O_3含量对室温电阻率的影响。摸索了烧成和原料组成对PTCR效应的影响,并通过SEM对典型试样的显微结构的观察和分析,提出了优质PTC材料应具有的理想化结构。     

关于BaTiO_3基半导体陶瓷的烧成工艺敏感性问题

一、引言 BaTiO_3基半导体陶瓷的研制实践表明,这类陶瓷材料的组成和烧成条件对其电阻率及电阻温度系数等性能指标影响非常敏感。在BaTiO_3基半导体陶瓷的生产中常常出现的产品性能指标分散性大、再现性差的问题,往往都与这类材料的组成敏感性和工艺敏感性密切相关。关于组成敏感性的问题我们已通过掺杂对BaTiO_3陶瓷半导化的影响机理问题的讨论作了阐明,这里拟介绍有关烧成条件对BaTiO_3半导体陶瓷电阻率     

Nb_2O_5对BaTiO_3陶瓷性能的影响

本文在100 nm BaTiO3粉体中加入0、0.2%、0.5%、1%、2%、5%Nb2O5,通过常规烧结来烧结得到致密的BaTiO3陶瓷,并对不同Nb2O5掺杂量的钛酸钡陶瓷的微观结构、密度和力学性能等方面的影响进行研究。结果表明:随着Nb2O5的加入量从0%增加到5%时,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸从558 nm减小到126 nm,而它的硬度和抗弯强度却从4.6 GPa和20 MPa升高到7.3 GPa和36 MPa。     

Y_2O_3掺杂BaTiO_3-ZnO陶瓷的压电性能研究

采用传统的固相反应法,制备了掺入Y_2O_3的BaTiO_3-ZnO陶瓷,通过对所制备陶瓷样品结构、常温介电、压电、铁电性能的分析发现:与未掺入Y_2O_3的BaTiO_3-ZnO陶瓷相比,Y_2O_3的掺入减小了BaTiO_3-ZnO陶瓷的径向收缩率、密度和晶胞体积,同时使材料的晶系结构由立方相转变为四方相结构,Y~(3+)进入BaTiO_3-ZnO陶瓷晶格中并与之形成了固溶体;Y_2O_3的掺入可以提高样品的矫顽场(Ec),但对材料压电系数变化不大,介电常数总体在减小,当未掺入Y_2O_3时,样品的介电常数最大(ε′=2577),样品的介电损耗最小(tanδ=0.0083)。     

粉体粒度对BaTiO_3陶瓷结构与电性能的影响

以采用共沉淀法制备的钛酸钡(BaTiO3)粉体为原料制备陶瓷。并利用XRD、DSC、SEM等分析手段对陶瓷材料的物相、相转变、显微结构进行表征,和利用电容测量仪、粒度分析仪等对陶瓷材料的电性能及粉体的粒度进行测试。研究了粒度对BaTiO3陶瓷微观结构和介电性能的影响。结果表明:随着预烧温度的提高,粉体的粒度增大,其陶瓷烧成温度也相应提高,并获得了优良的介温性能,粉体粒径为360nm的BaTiO3粉体经1290℃烧结后居里峰介电常数达到8119。     

Al2O3陶瓷粉料的喷雾干燥工艺要点

本文阐述了喷雾造粒过程中的相关制备工艺 ,并通过实验总结出一套合理的工艺控制参数