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为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试.提出了一种基于CSMC2P2M0.6μmCMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC2P2M的0.6μmCMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC2P2M0.6μmCMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1mm×1mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片。流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。 相似文献
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设计了一个基于SOC系统的触摸屏逐次逼近型结构的10 bit 2Msps模数转换器(ADC)。高精度比较器和Bootstrap开关应用于设计电路中,提高了芯片速度和降低了功耗。芯片采用SMIC0.18μm 1P6M CMOS工艺流片,版图面积为0.25mm2,2MHz工作时平均功耗为3.1mW。输入频率320kHz时,信噪比(SNR)为56dB,ENOB为9.05bit,无杂散动态范围(SFDR)为66.56dB,微分非线性(DNL)为0.8LSB,积分非线性(INL)为1.4LSB。 相似文献
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设计了一款12 bit高稳定性控制类数模转换器(DAC),该DAC集成了带有稳定启动电路的新型低失调带隙基准源(BGR),改善了基准电路的稳定性以及对温度和工艺的敏感性;DAC采用了改进的两级电阻串结构,通过开关电阻匹配和特殊版图布局,在既不增加电路功耗又不扩大版图面积的前提下,提高了DAC的精度并降低了工艺浓度梯度对整体性能的影响.基于CSMC 0.5 μm 5 V 1P4M工艺对所设计的DAC芯片进行了流片验证.测试结果表明:常温下DAC的微分非线性(DNL)小于0.45 LSB,积分非线性(INL)小于1.5 LSB,并且在-55~125℃内DNL小于1 LSB,INL小于2.5 LSB;5V电源电压供电时功耗仅为3.5 mW,实现了高精度、高稳定性的设计目标. 相似文献
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设计了基于1T1R结构的16 kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图。芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(ESD)。版图上对纳米存储单元(1R)与CMOS工艺的融合作了优化处理,给出了提高存储单元操作电流热效率的具体方法。1R位于顶层金属(TM)和二层金属(TM-1)之间,包含存储材料以及上下电极,需要在传统CMOS工艺基础上添加掩膜版。读出放大器采用全对称的差分拓扑结构,大大提升了抗干扰能力、灵敏精度以及读出速度。针对模块布局、电源分配、二级效应等问题,给出了版图解决方案。采用中芯国际130 nm CMOS工艺流片,测试结果显示芯片成品率(bit yield)可达99.7%。 相似文献
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采用CSMC0.6μm CMOS工艺设计实现了速率为622Mbps的4∶1复接器和激光二极管驱动器电路。4∶1复接器采用树型结构,由3个2∶1复接器组成。激光二极管驱动器电路由两级差分放大器和一级电流开关构成,级间采用源级跟随器隔离。电路芯片尺寸为1.5mm×0.7mm。电路采用单一正5V电压供电,功耗约为900mW。测试结果表明,电路的最高工作速率超过1.25Gbps速率,输出最大电流超过85mA。 相似文献
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采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。 相似文献
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基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源.在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的“饱和电流与过驱动电压成平方关系”产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿.具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点.仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860 μW,最低工作电压为1.24 V,在-50℃~125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3 dB. 相似文献
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介绍了一种用于12 bit,20 MS/s流水线模数转换器前端的高性能采样/保持电路。该电路采用全差分结构、底极板采样来消除电荷注入和时钟馈通误差。采用栅压自举开关,并通过对电路中的开关进行组合优化,极大地提高了电路的线性性能。同时,运算放大器采用折叠式增益增强结构,以获得较高的增益和带宽。采用CSMC公司的0.5μm CMOS工艺库,对电路进行了仿真和流片。结果表明,在5 V电源电压下,采样频率为20 MHz,采样精度可达到0.012%,在输入信号为奈奎斯特频率时,无杂散动态范围(SFDR)为76 dB。 相似文献
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Based on the difference close-loop feedback technique and the difference pre-amp, a high efficiency PWM CMOS class-D audio power amplifier is proposed. A rail-to-rail PWM comparator with window function has been embedded in the class-D audio power amplifier. Design results based on the CSMC 0.5 μm CMOS process show that the max efficiency is 90%, the PSRR is -75 dB, the power supply voltage range is 2.5-5.5 V, the THD+N in 1 kHz input frequency is less than 0.20%, the quiescent current in no load is 2.8 mA, and the shutdown current is 0.5 μA. The active area of the class-D audio power amplifier is about 1.47 × 1.52 mm2. With the good performance, the class-D audio power amplifier can be applied to several audio power systems. 相似文献