模拟下古气藏工况下抗硫油管钢的CO_2/H_2S腐蚀行为

为了更好地理解抗硫油管钢在含硫气田中的腐蚀行为和机理,利用高温高压反应釜装置,结合SEM和XRD分析方法,对N80S和P110S抗硫油钢管在模拟下古气藏环境中CO_2,H_2S共存时的腐蚀行为进行了研究,计算了不同CO_2和H_2S分压比时的腐蚀速率,分析了腐蚀产物特征和成分,探讨了其腐蚀机理。结果表明:2种抗硫油管钢随H_2S含量的增大,腐蚀速率先增大后减小;H_2S微量时抗硫油管钢表面形成了Fe CO3和Fe S等腐蚀物,未见明显的腐蚀坑,随H_2S含量的增大,表面的腐蚀产物为铁的硫化物且存在明显的局部腐蚀。     

H_2 H_2O还原法制备超细金属磁记录粉

采用Ｈ２＋Ｈ２Ｏ还原法，通过控制Ｈ２Ｏ／Ｈ２比可改善粉体晶粒链状结构的晶间界面结构，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＶＳＭ等方法测试粉体的晶体结构、粒子形貌和磁性能．结果为金属磁粉的矫顽力提高；粒子形状均匀，表面平滑，毛刺少；４６０℃时Ｈ２＋Ｈ２Ｏ还原金属磁粉的矫顽力为１５２０Ｏｅ，比传统氢还原工艺矫顽力１４４０Ｏｅ提高５．６％．采用流化床反应器，具有温度均匀，气固接触充分，可防止颗粒烧结等优点，工业应用前景广阔．     

高纯PH3和B2H6中微量H2、O2、N2的分析

前言 半导体工艺过程及大规模集成电路生产中所使用的高纯PH3和B2H6，由于其中含有O2、N2等杂质成份，直接影响了电子产品的质量，所以，必须严格地加以检测和控制。目前，一些发达国家对特气产品中杂质的监控十分重视，且都相应地研制出专门仪器进行检测。如法国TBT公司所研制的TBT色谱仪，对磷烷、硅烷、砷烷及乙硼烷中永久性气体杂质和总烃杂质都能进行检测。     

H2O/CO2 co-electrolysis in solid oxide electrolysis cells

A solid oxide electrolysis cell (SOEC) is an environmental-friendly device which can convert electric energy into chemical energy with high efficiency. In this paper,the progress on structure and operational principle of an SOEC for co-electrolyzing H2O and CO2 to generate syngas was reviewed. The recent development of high temperature H2O/CO2 co-electrolysis from solid oxide single electrolysis cell was introduced. Also investigated was H2O/CO2 co-electrolysis research using hydrogen electrode-supported nickel (Ni)-yttria-stabilized zirconia (YSZ)/YSZ/Sr-doped LaMnO3 (LSM)-YSZ cells in our group. With 50 % H2O,15.6 % H2 and 34.4 % CO2 inlet gas to Ni-YSZ electrode,polarization curves (I-U curves) and electrochemical impedance spectra (EIS) were measured at 800 ℃ and 900 ℃. Long-term durability of electrolysis was carried out with the same inlet gas at 900 ℃ and 0.2 A/cm2. In addition,the improvement of structure and development of novel materials for increasing the electrolysis efficiency of SOECs were put forward as well.     

用H2O2气体对包装容器进行杀菌

用液体H_2O_2杀菌的方法在薄膜包装材料上面被广泛应用,但对成形容器因为杀菌后残留H_2O_2至今难以实施。2流体喷管喷雾法也已部分地实用化,但若想使喷雾变小则必须使喷嘴直径缩小,因而导致气孔堵塞及喷雾不稳定等。并且此法易产生大粒液滴从     

结构振劝的H2／H∞混合最优控制

讨论了柔性结构振动的混合Ｈ２／Ｈ∞最优控制问题,结构振动控制器的鲁棒稳定性转化为Ｈ∞最优控制问题,以及振动控制的最优二次性能转化为Ｈ２最优控制问题,并提出了利用遗传算法求解了Ｈ２／Ｈ∞的方法,通过结构振动主动控制的计算机仿真,表明用遗传优化算法解Ｈ２／Ｈ∞最优控制是有效的。仿真结果还表明,Ｈ２和Ｈ∞性能指标是相互矛盾的。本方法能有效地处理Ｈ２和Ｈ∞性能指标的折衷问题,以得到闭环系统的鲁棒稳定性和良     

定形相变材料(壁纸)在高于相变温度下的调温性能分析

以室内墙面壁纸为支撑材料,CaCl2·6H2O为相变材料,通过渗透处理制备了定形相变材料,并在高于相变温度条件下对定形相变材料和普通材料进行测试,结果显示,在这种情况下定形相变材料仍然具有一定的调温性能.同时通过数学模型和模拟分析,从理论上证实了这种现象的存在.     

反应液加入H2O2制备本征SnO2高阻薄膜

在反应液中加入H2O2,用超声喷雾热分解技术制备了SnO2高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试,透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入H2O2制备的SnO2薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择优取向;电阻率有明显提高,为12～13 Ω·cm;透光率与一般的透明导电膜并没有很大差别.     

H2+H2O还原法制备超细金属磁记录粉

采用H2＋H2O还原法,通过控制H2O／H2比可改善粉体晶粒链状结构的晶间界面结构,采用XRD、TEM、VSM等方法测试粉体的晶体结构、粒子形貌和磁性能,结果为金属磁偻的矫顽力提高;粒子形状均匀,表面平滑,毛刺少;460℃时H2＋H2O还原金属磁粉的矫顽力为1520Oe,比传统氢还原工艺矫顽力1440Oe提高5.6%。采用流化床反应器,具有温度均匀,气固接触充分,可防止颗粒烧结等优点,工业应用前景广阔。     

Recovery of Titanium from the Rich Titanium Slag by H2SO4 Method

The blast furnace slag bearing TiO2 in Panzhihua, China, is an important resource to be utilized. In the present paper, the effects of the ratio of slag to H2SO4, the reaction temperature, the particle size of the slag, and the concentration of H2SO4 on the reaction rate and the acidolysis ratio of Ti were studied. The results indicated that the maximum acidolysis ratio reached 98%, which can serve as an experimental basis for the production of titania from the slag.     

纳米WO3的制备及性能研究

通过Sol-gel法制备纳米WO3材料.通过X射线衍射谱图和红外光谱图对WO3溶胶和粉体进行表征.实验表明选用过量H2O2可得到晶型较完整的WO3材料.     

污水处理厂沼气中毒事件评析

当前，污水处理厂沼气中毒事件时有发生，对人们群众造成了严重的人身伤害。通过几起典型中毒事故报道，分析了事故发生酌原因，提出了相应的防范措施。     

退火温度对H70-Y2力学性能影响研究分析

本文通过试验对比分析研究H70-Y2在不同的退火温度后力学性能的变化规律,探寻出最佳的退火温度以满足实际生产需。     

SD2H在砖混住宅筏基设计中的应用

本文通过实例介绍了用ＳＤ２Ｈ计算砖混住宅的重量和重心的快速方法,该方法可为建筑物的筏基设计提供可靠的参数。     

抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs

在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有：氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用H型栅结构,消除边缘寄生晶体管。结果表明,在经受1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化。     

H2O+ O2气氛下电子束蒸镀制备MgO介质保护膜特性研究

采用电子束蒸镀法在H2O+ O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体结构,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜对等离子屏放电特性的影响。结果表明:MgO薄膜呈柱状结构,随H2O流量增加MgO晶粒尺寸变大、晶界减少;XRD分析结果显示H2O+ O2气氛下,MgO薄膜除(111)晶面择优取向外,还出现了(220)晶面取向;H2O气氛的通入降低了等离子屏的维持电压、改善了放电裕度,同时缩短了寻址放电延迟时间,有利于等离子屏节能降耗和实现快速寻址。     

含氟丙烯酰胺共聚物的合成及性能

为制备性能较好的疏水缔合聚合物,以1H,1H,2H,2H-十七氟癸烷丙烯酸酯(HFA)为疏水单体,以丙烯酰胺(AM)、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸(AMPS)为水溶性单体,采用胶束聚合法合成了含氟丙烯酰胺共聚物(FPAM)。使用红外、荧光、扫描电镜等方法对FPAM结构进行表征,研究了FPAM的耐温、抗盐及抗剪切性能。结果表明,聚合产物结构与疏水单体加量有关,在聚合体系中加入含氟疏水单体后,聚合产物的相对分子质量降低;FPAM中HFA单体结构单元含量先随HFA加量的增加而增大,由于含氟疏水单体的空间位阻效应,当HFA质量分数大于0.4%之后变化趋势变缓。FPAM聚合物中含有HFA强疏水性单体结构单元,在水溶液中会发生疏水缔合作用,到达一定浓度后会形成超分子聚集体,FPAM的临界缔合浓度为300~400mg/L,与相对分子质量较高的丙烯酰胺-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸共聚物相比,含氟疏水缔合聚合物FPAM具有更强的增黏能力和更好的耐温、抗盐及抗剪切性能,可望用于油气开采领域。     

Pd掺杂SnO_2纳米膜的制备及H_2敏感性能研究

以分析纯SnCl2.2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的阻温特性和对H2敏感性能。结果表明,Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密,表面椭球形粒子颗粒尺寸约为20nm;Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构,但Pd2+进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn4+,导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小;Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小,表现出n型半导体阻温特性;随着Pd掺杂比例的增大,元件的电阻增大,其对H2的灵敏度先增大后减小,当掺杂比例为1%时对H2灵敏度最高。     

(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体的合成及光致发光研究

以Gd2O3、Pr6O11和H2SO4为原料,通过H2还原法合成不同浓度Pr3 离子掺杂的(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体.利用DTA-TG-DTG、FT-IR 、XRD、SEM、光致发光(PL)光谱等测试手段对合惩的粉体进行了表征.研究表明,将Gd2O3和Pr6O11与稀H2SO4在100℃加热搅拌,制备出2Gd2O3·(Gd1-x,Prx)2(SO4)3·12H2O前躯体.前驱体在750℃煅烧2h可获得(Gd1-x,Prx)2O2SO4粉体,该粉体在H2气氛下750℃还原1h可以转化为具有疏松和多孔蜂窝状结构的单相(Gd1-x,Prx)2O2S闪烁陶瓷粉体.(Gd1-x,Prx)2O2S粉体在307nm的紫外光激发下呈现绿光发射,主发射峰位于511nm,归属于Pr3 离子的3P0-3H4跃迁.发光强度随Pr3 离子浓度的变化而变化,当Pr3 离子的摩尔分数为1.000%时,粉体具有最高的发光强度.