低RDS(ON)功率MOSFET实现更佳的汽车性能

随着人们对驾驶室功能的需求不断增加,以及大型汽车对发动机的功率连同行驶里数的需求不断上升,新型低阻抗功率M OSFET遂应运而生,可实现汽车从传统的发电系统和液压系统转移到电子系统。这些新型低阻抗功率M OSFET有助于在增强汽车的舒适性和安全性的同时提高行驶里数。除了驱动汽车在路上行驶,对于发动机还有更高的要求。发动机是汽车所有系统的“动力”来源。消费者对汽车的娱乐性、舒适性以及安全性的要求愈来愈高。此外,一般汽车每加仑汽油的能量只有小于15%用于车轮上,大部分能量都变为热能而浪费掉,而根据目前的法令,载客汽车的…     

Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．（威世科技）宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP,扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω,可提高移动电子设备的效率。     

飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS（ON）

飞兆半导体公司（FARICHILD）为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。     

飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS（ON）

飞兆半导体公司为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来-款单-P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS=4．5V时提供64mOhm之RDS（ON）值，较同类解决方案低15％，且占位面积仅为1mm×1．5mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。     

飞兆半导体推出具有业界最低RDS（ON）的20V MicroFET MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、     

9款汽车级功率MOSFET：功率MOSFET

意法半导体推出9款全新汽车级功率MOSFET，是STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合，适合汽车应用，还可提高其他应用的电源和驱动器的能效。     

针对汽车应用的功率MOSFET

这6款单通道功率MOSFET通过AECQ101认证，主要用于汽车模块。这些器件采用5mm×6mmSO8FL封装及3．3mm×3．3mmWDFN－8封装，占位面积比业界标准DPAK封装小50％或以上，     

面向汽车应用的功率MOSFET

意法半导体推出9款汽车级功率MOSFET,进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合,该功率器件能够将电气系统驱动器和控制器的正常功耗降至最低,从而提升电气系统的能效;同时还可减少电路产生的热量,实现更小、更轻的装置设备。     

飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50％的RDS（ON）

飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的RDS（ON）和出色的品质因数（figure of merits，FOM），有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm×6mm MLP Power56封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。     

精确测量功率MOSFET的RDS（on）——使用晶圆测试实验室中的常见设备，就可获得精确的测量值

电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使用的公式不同。在这砦情况下，必须考虑探针间距和样本厚度。仅仅运用Kelvin法本身无法保证精度。     

新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用

快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。     

功率MOSFET的新进展

一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5％升至49.5％,本世纪末将占优势已成定局。     

汽车电子功率MOSFET

过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域.选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象,且其封装简单,主要采用T0220和T0247封装.     

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。