GaAs单刀双掷开关

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ推出了低功耗、小型ＳＯＴ塑封的ＧａＡｓ单刀双掷开关,它的工作频率覆盖了直流至３ＧＨｚ的范围。其中,ＳＷ-４３７型ＭＭＩＣ反射式开关采用超小型ＳＯＴ-３６３封装;ＳＷ-４４２型终端开关采用ＳＯＴ-２６封装。它们的共同特点是插入损耗低、隔离效果好,特别适合于便携式双波段电话使用。也可用于ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＧＳＭ以及宽带ＣＤＭＡ通信系统。GaAs单刀双掷开关     

门极p层扩散参数对GTO特性影响分析

通过一维计算机数值模型分析了ＧＴＯ门极ｐ型层扩散参数对其单元特性分散性影响，表明高均匀ｐ基区扩散是实现大容量ＧＴＯ的一个重要保证。     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力，电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的，ＩＧＢＴ是在功率ＭＯＳＦＥＴ工艺基础上发展起来的产物，它是兼有ＭＯＳＦＥＴ的高输入阻抗，高于关速度和ＧＴＲ大电流密度特性优点的混合器件，在大，中功率应用场合已经逐步取代传统的ＧＴＲ，ＧＴＯ器件，它和ＭＯＳＦＥＴ，ＭＣＴ一起，成为现代电力电子技术中最具有活力的功率开关器件，本     

四电路互补CMOS模拟开关

多用途ＤＧ２１３模拟开关有两个ＮＣ和两个ＮＯ开关。该模拟开关有多种接线方法，包括４个单刀单掷（ＳＰＳＴ），两个单刀双掷（ＳＰＤＴ），一个“Ｔ”开关，一个ＤＰＤＴ等等。ＤＧ２１３模拟开关用Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ的专利技术高压硅栅ＣＭＯＳ工艺制造，具有较低的...     

降温速度及气氛对PTC元件特性之影响

通过工艺试验，研究了ＢａＴｉＯ３陶瓷ＰＴＣ材料在烧成过程中的冷却速度及烧成气氛对其ＰＴＣ特性之影响。试验结果表明：采用适当的缓冷速度及氧气氛烧成可大大提高材料的ＰＴＣ特性，αＴ、Ｒ（２００）／Ｒ（ｍｉｎ）明显增大，室温电阻达４５Ω左右。所制元件与日本样品性能相近，完全能满足开关型元件的要求。     

降温速率及气氛对PTC元件特性之影响

通过工艺试验，研究了ＢａＴｉＯ３陶瓷ＰＴＣ材料在烽成过程中的冷却速度及烧成气氛对其ＰＴＣ特性之影响。试验结果表明：采用适当的缓冷速度及氧气氛烧成可大大提高材料的ＰＴＣ特性，αＴ、Ｒ２００／Ｒｍｉｎ明显增大，室温电阻达４５Ω左右。所制元件与日本样品性能相近，完全能满足开关型元件的要求。     

FET器件寄生元件的剥离技术

介绍了一种晶片条件下ＦＥＴ器件（包括ＭＯＳＦＥＴ，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ）寄生元件的剥离技术，并利用此技术获取了器件的本征［Ｙ］参数。     

设计应用直探：从Z—元件到BNRT

１．引言图１两种典型的负阻特性（ａ）电流可控型（Ｓ型）（ｂ）电压可控型（Ｎ型）据《电子产品世界》（１９９５年６月、１１月）报道，于１９９０年公开了早在五年前由俄国传感器专家ＶＺＯＴＯＶ教授发明并生产的一种据称是“世界上独一无二的传感器：Ｚ元件……...     

GTO关断特性的SPICE模拟

本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了模拟，包括关断电流拖尾现象在内的整个关断过程，模拟结果与器件的测试结果吻合较好．     

能减少元件的50%的VIPer系列智能开关电源IC

ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ集先进的电流型ＰＷＭ控制电路和功率开关于一体，功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率ＭＯＳＦＥＴ，可编程开关频率达２００ｋＨｚ，这种精巧独特的ＩＣ可使ＳＭＰＳ元件减少的５０％，本文介绍了ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ的功能，特点及其应用电路。     

能减少元件约50%的VIPer系列智能开关电源IC

ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ集先进的电流型ＰＷＭ控制电路和功率开关于一体，功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率ＭＯＳＦＥＴ，可编程开关频率达２００ｋＨｚ，这种精巧独特的ＩＣ可使ＳＭＰＳ元件减少约５０％。本文介绍了ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ的功能、特点及其应用电路。     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

LT系列开关稳压器的效率与能耗特性

本文以美国ＬＩＮＥＡＲ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ公司生产的开关稳压器芯片为例，较为详细地分析了开关稳压器的效率和功耗问题。从节能的考虑出发，讨论了开关稳压器的设计方法，对于目前广泛使用的电池供电的电子产品，具有一定的实用价值。     

MOTOROLA一氧化碳传感器原理及设计

本文主要介绍ＭＯＴＯＲＯＬＡ一氧化碳传感器ＭＧＳ１１００的结构原理、工作模式和特性，并结合设计实例，探讨有关技术问题。     

“柯赛”多媒体电脑电视二合一显示器(Ⅱ)

３多路开关与模拟ＴＶ方式逆程脉冲电路、联控电路图１和图３中整机电路功能框图中的多路开关Ａ电路如图４所示。图４多路开关Ａ电路图多路开关Ａ（７）是三路二选一模拟开关芯片Ｎ１．芯片Ｎ１的１，３和１３脚引出线为电视ＲＧＢ信号ＴＶＲ，ＴＶＧ和ＴＶＢ的输入端，２...     

用TOPSWITCH器件设计可编程电源

自美国电源集成公司（ＰＯＷＥＲＩＮＴＥＲＧＲＡＴＩＯＮ）推出ＴＯＰＳＷＩＴＣＨ系列集成开关稳压源控制芯片后,以其简单高效可靠的特性在国内各种应用系统中迅速得到了推广,一般最广泛的应用是利用ＴＯＰ系列芯片设计电压输出固定的一路或多路交流到直流稳压器。...     

TEMIC分公司Siliconix产小信号场效应管

ＴＥＭＩＣ分公司Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ产小信号场效应管Ｎ沟道放大管ＴＯ－２２６ＡＡ（ＴＯ－９２），ＴＯ－２３６（ＳＯＴ－２３）元件型号夹断电压（Ｖ）最小值ＩＤＳＳ（ｍＡ）最小值最大值ｇｆｓ（ｍｓ）最小值最大值ＶＧＳ（ｏｆ）（Ｖ）最小值最大值栅极漏流（ｐＡ...     

N沟道耗尽型DMOS场效应管

由西安春秋视讯技术公司经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管主要有输入阻抗高、输入电容低、开关速度快、导通电阻低、输入输出漏电流和防止二次击穿等特性。该系列器件可广泛用于常开开关、转换、恒流源、固态继电器、线性放大器、电源电路及通信等装置和系统。西安春秋视讯公司所经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管具有Ｔ０-９２、Ｔ０-２２０和Ｔ０-２４３ＡＡ三种封装形式。表中是该系列器件的主要参数及对应型号。西安春秋视讯公司电话:０２９-８３１３９７２N沟道耗尽型DMOS场效应管     

用6英寸圆片制成的光闸流晶体管和GTO

用６英寸圆片制成的光闸流晶体管和ＧＴＯ日本三菱电机公司在世界上首创用６英寸圆片制成ＦＴ４０００ＦＵ－１６０型光闸流晶体管和ＦＧ６０００ＡＵ－１２０Ｄ型ＧＴＯ闸流晶体管。前者主要技术指标：ｄＶ／ｄｔ＝２３００Ｖ／μｓ，ｄｉ／ｄｔ＝２００Ａ／μｓ，８ｋＶ...     

掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。