安靠公司向SUSS MicroTec采购多项设备

<正>进一步巩固了SUSS MicroTec 300mm光刻设备在先进封装市场的领先地位SUSS MicroTec公司长年致力于提供半导体行业及其相关市场的工艺和测试设备,已成为业界领军者。该公司日前宣布,已从安靠公司获得多种300mm光刻设备的后续订单。安靠公司拥有世界     

SUSS推出新一代手动光刻机 适用于工业研究及半自动生产

<正>SUSS MicroTec——全球领先的三维集成、MEMS、先进封装、纳米压印设备供应商,于2008年10月1日推出第三代MA/BA8,这款手动双面对准光刻机包含专用于厚胶曝光的亚微米对准及曝光光学系统,具有高度的工艺灵活性。还可轻易升级为多种新兴技术,如紫外纳米压印、微透镜压印、紫外键合和增强型键合对准。     

纳米压印模板需要高质量的检测技术

纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1&#215;的模板压进一个柔性层，从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说：“它引人注意之处是具有半导体行业现在非常感兴趣的分辨率，即远低于100nm的线条，而在这个范围内，如果无法用纳米压印光刻来实现，光学光刻将变得很昂贵。”     

国际新闻

AMD剥离芯片制造业务 获60亿美元投资;美光4亿美元现金收购华亚科35．6％股权;CADENCE推出面向半导体设计的SaaS解决方案;SUSS光刻机实现大面积纳米压印光刻;日法签约共同研发卫星用半导体部件     

纳米压印光刻模版制作技术

在下一代光刻技术中,光刻的成本越来越高,这使得工业界开始寻找新的技术。纳米压印作为非光学的下一代光刻技术,具有分辨率高、成本低、产率高等诸多优点,因而可能应用于将来的半导体制造中。同时,纳米压印也可以用于微机电系统(MEMS)和其他纳米结构的图形复制。纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外固化压印和微接触法压印。介绍了在这3种纳米压印光刻技术中,压印模版制作的制作工艺和模版表面的防粘连处理,并且讨论3种压印方法适用的不同领域。     

纳米压印技术进展及应用

半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展.在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位.其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术.介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等.     

SUSS MicroTec公司进一步巩固其光刻设备在技术和市场上的领先地位

SUSS MicroTec AG的全资子公司HamaTech APE GmbH ＆ Co．KG宣布,已接到几十份MaskTrack Pro设备订单。MaskTrack Pro于2009年投产,是用于下一代光刻领域的完整掩模流程平台。     

紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究

研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000～4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显著特点,将成为下一代光刻技术(NGL)的主要候选者之一。     

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纳米压印掩膜复制缩减光刻拥有成本随着纳米压印光刻很好地解决了分辨率的问题,关注的焦点转移到了拥有成本(CoO)上。本文重点研究了掩膜成本,包括一种称为"掩膜复制"的方     

纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。     

从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展

从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。     

下一代光刻技术的设备

下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。     

公司与新品介绍

<正>SUSS MicroTec推出300mm涂胶/显影机,进一步用于三维集成2009年韩国的Semicon展,SUSS MicroTec推出了第二代ACS300。这个模块化的系统可用于直径达300mm晶片的涂胶、烘烤和显影。ACS300 Gen2拥有无可比拟的配置灵活性,所以购置成本相     

SUSS MicroTec进一步在晶圆级摄像头封装领域拓展业务

<正>SUSS MicroTec公司长年致力于提供半导体行业及其相关市场的工艺和测试设备,已成为业界领军者。该公司日前宣布,西钛微电子所引进的成套SUSS     

纳米压印光刻中模版与基片的平行调整方法

概述了纳米压印光刻的原理，以及纳米压印光刻工艺中模版与基片的平行度对压印质量的影响，分析了国内外几种纳米压印光刻工作台的结构与特点，并对其优缺点进行了评价。     

SUSS MicroTec连续10年荣登十佳物料传输设备供应商排行榜榜首

领先的半导体工艺和测试方案供应商SUSS MicroTec，在2008年度VLSI调研公司（VLSI Research）十佳客户满意度调查中，再次进入最佳供应商行列。SUSS MicroTec被评为物料传输设备供应商第一位、小型晶圆工艺设备供应商第五位、芯片制造设备焦点供应商第八位。这次调查的受访者代表了全世界95％的半导体市场。     

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。     

纳米压印抗粘性技术研究进展

纳米压印是一种理想的光刻技术,它具有生产率和分辨率高的特点。脱模过程中,粘连限制了图形的精确转移,因此,抗粘连成为纳米压印技术需要解决的关键问题。氟化自组装单分子层是一种被广泛应用的抗粘连涂层,介绍和分析了其在耐热性和降解方面的最新研究进展。介绍了类金刚石碳膜、在光刻胶上喷涂脱模剂和含氟表面活化剂在纳米压印抗粘连研究上的进展,分析了这些方法所存在的问题及纳米压印抗粘连的发展趋势。     

纳米压印光刻技术

为了避免纳米压印光刻技术与光刻技术混淆，纳米压印光刻技术严谨的专业术语定义是：不使用光线或者辐射使光刻胶感光成形，而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学机理构造纳米级别的图形。这种纳米成像技术真正地实现了纳米级别的图形印制。     

纳米压印技术的工艺和图形精度研究

纳米压印技术通过压印实现了纳米结构的图形转移,具有分辨率高、效率高、成本低的优点。通过对纳米压印过程中影响图形精度的一些因素进行分析,提出了相应的解决方法。结合研制的NIL-01型压印机进行工艺实验,给出纳米压印工艺实验的结果,并对结果进行了分析。试验表明：考虑到影响压印图形精度的各种因素,采用镀有Cr的SiO2模版和NIL-01型压印机,用热压印技术可以压印出具有100nm特征尺寸的PMMA图形。