1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO2／Si界面特性的影响

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤ ＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显著。ΔＮｏｔ和ΔＮｓｔ在１１０℃附近有极小值，大小为１０＾１０ｃｍ＾－２量级。Ｔｓ〉１２０℃，ΔＮｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，ΔＮｏｔ呈负     

InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面。     

国产操作系统COSIX和国产系统软件平台COSA

介绍了国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２和ＣＯＳＩＸＶ．２０国产系统软件平台ＣＯＳＡＶ１．０。ＣＯＳＡＶ１．０由国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２，国产网络系统ＣＯＮＥＴＶ１．０，国产数据库管理系统ＣＯＢＡＳＥＶ１．０以及国产编程软件Ｃ、Ｃ＋＋、ＦＧｏｒｔｒａｎ９０等构成。ＣＯＳＩＸＶ１．２遵循国际法标准ＰＯＳＩＸ．１、工业标准ＸＰＧ３，与主流ＵＮＩＸ系统ＳＶＲ４二进制兼容。ＣＯＳＩＸＶ２．０是基于微内核     

Cs／InP（100）界面相互作用性质的研究

我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性．ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散．当Ｃｓ的覆盖度大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩散，且Ｃｓ与Ｐ发生弱的化学反应．饱和吸附的Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面在不同温度退火时，一部分Ｃｓ脱附，一部分仍留在ＩｎＰ体内．     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

聚硅烷的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ ｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯ膜，ＰＳｉＯ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压力正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。     

聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明,聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ,ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜,ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间,其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正,大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．     

注氮硅中光致发光现象及其机制的研究

通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．     

无杂质空穴扩散法研制可调InGaAs/InP激光器

用无杂质空穴扩散（ Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ） 法研制了延伸光腔分立电极 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ 半导体激光器。激光器材料的光发光谱说明由 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 法可以造成量子阱材料带隙蓝移（３０ ～４０）ｎ ｍ 。材料带隙蓝移量与 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 处理中的退火温度和退火时间有关,表面 Ｓｉ Ｏ２ 厚度亦有一定影响。延伸光腔波导损失较低,由此方法制作的分立电极激光器的阈值电流随延伸光腔部分所加的调制电流而变化,变化的阈值电流可从４０ ｍ Ａ 降至３０ ｍ Ａ。     

Si／InP材料的应力转化特性分析

InP材料被广泛的应用于光电子领域,但其材料脆、工艺不成熟、成本高,而Si基外延InP材料能良好的改善该技术瓶颈。论文中对不同介质、不同厚度的介质键合制备Si／InP材料进行了分析。其中以SiO2键合制备的Si／InP材料应力转化率最高,且SiO2制备工艺简单、亲水,材料键合强度大,机械特性好,是键合制备Si／InP材料的首选。而且,SiO2键合介质越薄,其应力转化率越高,材料对力学信号就越敏感,制备的Si／InP材料的机械性能越好。     

SiO_2上InP薄膜的连续Ar~+激光再结晶

在SiO_2绝缘层上用高频溅射法淀积一层InP薄膜。经过连续Ar~+激光再结晶以后,晶粒尺寸明显增大。利用离子背散射分析了激光再结晶前后InP化学计量比的变化,结果表明:采用SiO_2保护膜后较好地抑制了InP组分的分解。对A~+激光辐照引起的InP再结晶的机制进行了分析。     

InGaAs（P）／InP应变量子阱和超晶格的光电性质

利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱，超晶格和ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料，利用７７Ｋ光荧光（ＰＬ）测量这一应变量了阱和量子阱的光学性质，利用双晶Ｘ光测量应变超晶格的性质。     

Layer Combination Effect on Band Gap Shift of InGaAsP／InP MQWs by Impurity-free Vacancy Disordering

InGaAsP/InP multiple quantum wells with quantum well intermixing have been prepared by impurity-free vacancy disordering. The luminescent characteristics were investigated using photoluminescence and photoreflectance, from which the band gap blue shift was observed, Si3N4, SiO2 and SOG were used for the dielectric layer to enhance intermixing from the outdiffusion of group Ⅲ atoms. All samples were annealed by rapid thermal annealing. The results indicate that the band gap blue shift varies with the dielectric layers and the annealing temperature, The SiO2 capping with an InGaAs cladding layer was successfully used to induce larger band tuning effect in the InGaAsP/InP MQWs than the Si3N4 capping with an InGaAs cladding layer, On the other hand, samples with the Si3 N4- InP cap layer combination also show larger energy shifts than that with SiO2-InP cap layer combination.     

平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究

采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,扩散区边缘的钝化是平面型InGaAs探测器的制备过程中非常重要的一环,而且Si3N4薄膜的钝化效果优于SiO2薄膜。室温下和-0.1V偏压下,采用Si3N4扩散掩膜的器件的暗电流密度约为20nA/cm2。     

温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.     

STUDY OF THE ANODIZATION OF Al FILM ON InP SUBSTRATE AND ITS PROPERTIES

The anodization of Al film on InP substrate and properties of anodic Al_2O_33/InPhave been investigated by AES,DLTS,I-V,C-V and ellipsometer.The results show that theanodic oxide Al_2O_3 has a permittivity of 11～12 and a resistivity of 1.3×10~(13) ohm-cm.Interfacestate density at Al_2O_3/InP is about 10~(11) cm~(-2)·eV~(-1).DLTS reveals that there is a continuouslydistributed interface electron traps at Al_2O_3/InP interface.Anodic Al_2O_3 exhibits good stabilityand electrical properties and could be used for passivation,diffusion mask and gate insulator,etc.     

Planar InP/InGaAs-APD with a guardring formed by Cd diffusion through SiO2

A graded junction, with a breakdown voltage twice as high as that for an abrupt junction, was formed in n-InP by Cd diffusion through SiO2 film. Planar-type InP/InGaAs-APDs with this graded junction for a guardring showed a uniform multiplication gain over the whole sensitive area with no local breakdown. Cd diffusion through SiO2 was revealed to be very useful for formation of the guardring.     

LPE制作平面型InGaAs/InP APD

叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 LPE 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。