新型紫外光源研制成功

以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来,在日本获得了突     

日本在ZnO基板上生成无极性GaN晶体

日本东京大学、神奈川科学技术学院和三菱化学公司的研究小组将ZnO基板的无极性面作为生长面，生成了无极性GaN晶体。如果在晶体质量较高的无极性QIN晶体上制成发光层为InGaN的蓝色LED，就有可能制成外部量子效率超过50％的高效LED。并有望制成迄今为止非常难制作的以InGaN为活性层的绿色、红色和红外LED。[第一段]     

日本NIMS试制白色LED

日本物质材料研究机构（NIMS）纳米陶瓷中心成功试制出适用于液晶显示器背光源的白色LED。目前使用的部分背光源用LED是蓝色LED和黄色光合成的白色，因此只能发不自然的蓝白色光。NIMS利用以前开发的材料技术（红、绿荧光体）与蓝色LED组合，试制成功由红、绿、蓝三原色构成的白色LED。由于三原色以外的成分较少，与滤色器组合可获得纯度较高的三原色，并可提高液晶显示器颜色的再现范围。     

索尼和住友电工试制成功100mW绿色半导体激光器

据报道,索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530nm,连续振荡时可实现100mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表过振荡波长为531nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8％以上。此次的绿色半导体激光器是在GaN（氮化镓）基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用inGaN,GaN基板由住友电工制造。     

半导体照明产业化关键技术的国内外专利现状分析及应对策略

以氮化镓(GaN)基高亮度、功率型发光二极管(LED)为核心的半导体照明光源技术是目前国内外光电子产业界的研发热点。这种特种封装、能耗约1～5w的新型全固态LED照明光源是继白炽灯和荧光灯之后的第三代照明技术。与传统技术相比，它具有体积小、寿命长、能耗低、绿色环保、使用安全、     

电子材料

2006中国（深圳）国际半导体照明论坛暨展览圆满结束；欧司朗展示102英寸LED背照灯；寿命1万小时的白色OLED发光元件试制成功；京都大学等开发半极性面绿色LED。     

日本开发氮化铟蓝色LED

日本千叶大学古川教授等人开发出活性层为纳米结构的薄氮化铟、亮度比以前产品均高的蓝色发光二极管（LED），目前，市售的蓝色LED的发光活性层使用的是很难混合的氮化镓和氮化铟的混合晶。千叶大学的研究人员通过开发新的结构结晶，开发出稳定且损失小的氮化铟。一直以来，氮化铟的实际应用存在困难。这次开发使“绿色半导体激光器”的实现成为可能。     

美国Cree开发出发光效率达1311m/W的白色LED

美国Cree宣布开发出了发光效率达1311m／W的白色发光二极管（LED）。在至今发表的白色LED中，该发光效率为最高水平。 此次的产品在LED业界将成为新的标杆。这一发光效率值已得到美国国立标准技术研究所证实。该白色LED使用Cree公司的GaN（氮化镓）类LED芯片“EZBright”试制而成。1311m／W的发光效率是施加20mA电流时获得的数值。色温度为6027K。     

硅衬底GaN基LED研究进展

由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si基器件成为一个研究热点.然而,GaN与Si之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制LED及其它电子器件结构生长的一个关键问题.近年来,随着工艺的发展,GaN晶体质量得到大幅度的提高.同时不少研究小组成功地在Si衬底上制造出LED.介绍了GaN薄膜开裂问题及近期硅衬底GaN基LED的研究进展.     

日本藤仓公司开发高质量AlN单晶

Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件，作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。[第一段]     

日本开发无荧光体多色LED

日本京都大学和日亚化学公司，利用晶体生长形成的GaN微结构，开发出无荧光体多色LED，在全球率先实现了LED包括白色在内的多种颜色发光。     

白光LED用红色荧光粉的研究进展

白光LED具有低压、低功耗、高可靠性和长寿命等一系列优点,是一种符合节能环保的绿色照明光源.现阶段的白光LED显色指数低、色温较高,限制了白光LED在室内照明等领域的发展,而红色荧光粉能对白光LED的显色指数的提高及色温的改善影响极其显著.主要介绍白光LED用红色荧光粉几大主要体系的发光性质及最新发展现状.     

2007上半年度化合物半导体供需情况

GaAs系化合物半导体材料在光器件和高频器件方面需求变化不大;GaP系材料在可视LED方面需求有所减少;InP系材料在光通讯用发受光元件方面需求旺盛。据日本新功能化合物半导体恳谈会统计,日本2007年上半年度（4～9月）化合物半导体材料销售额为260亿日元,比2006年同期减少1％。下半年度由于手机方面需求调整,预计全年将有所减少。     

白光LED用稀土红色荧光粉的研究进展

白光LED具有低压、低功耗、高可靠性和长寿命等一系列优点,是一种符合环保和节能的绿色照明光源。现阶段制造高显色指数、低色温,大功率白光LED是白光LED发展的总体趋势。而红色荧光粉性能对白光LED的显色指数及色温的影响极其显著。本方法着重介绍和评述了白光LED用红色荧光粉硫化物、氮化物、钼酸盐和钨酸盐等几大主要体系的发光性质及最新研究成果和发展现状,并对白光LED用荧光粉的发展进行了展望。     

白光LED用稀土Eu掺杂氯硅酸盐荧光粉的研究进展

白光LED以其独特优势被称为第4代光源,具有广阔的应用前景.通过对能够被近紫外光芯片激发的红色、绿色、黄色、蓝色含氯硅酸盐荧光粉以及含氯的单一硅酸盐基质白色荧光粉研究现状的概述,指出了含氯硅酸盐荧光粉存在的问题并对其发展趋势做了展望.     

白光LED用氮化物及氮氧化物红色荧光粉的研究现状

白光LED是一种符合环保和节能的绿色照明光源,而红色荧光粉的性能对白光LED的显色指数及色温的影响极其显著.氮/氮氧化物体系红色荧光粉是一种非常优质的LED用荧光粉.介绍了氮/氮氧化物红色荧光粉的研究现状、晶体结构、主要的制备方法,针对目前还存在的一些问题,指出了今后的研究方向.     

LED新型显示技术发展研究

近年来,绿色能源议题带动节能减碳风潮,我国半导体LED作为节能、环保的主要技术,已被纳入国家中长期科技发展规划并得到国家的大力支持,LED技术应用产值正在逐年递增,新型显示概念也提上产业发展舞台。目前比较典型的LED显示技术产业是集成大屏幕数字拼接显示墙及LED大功率照明产品等所涉及的高新技术产业。本文根据我国LED产业现状、与国际相关产业的差距及如何提升对我国LED产业的竞争力进行了深入的研究。     

超声波摄像元件薄膜试制成功

东京大学研究院工学系研究科副教授染谷隆夫及该校国际产学共同研究中心教授樱井贵康的研究小组在IEDM2008上宣布，试制出了以格子状排列制成超声波收发元件的柔性摄像元件薄膜。     

蓝光激发红色荧光粉的研究进展及其在白光LED中的应用

蓝光LED芯片激发黄色荧光粉是目前白光LED的主要实现方式,引入红色荧光粉对调整白光LED的显色指数及色温有重要意义。重点介绍和评述了可被蓝光激发且具有宽发射带的硫化物、氮化物、铝酸盐等几种体系红色荧光粉的发光性质、最新研究成果及在白光LED中的应用。对比发现,氮化物荧光粉可被从近紫外到可见绿光有效激发,随基质组成的不同,可发出峰值波长为600～650nm的红色荧光,且由于其优良的化学稳定性、热稳定性成为最有前途的一类红色荧光粉。采用两种以上的荧光粉代替单一黄色荧光粉,有利于调整白光LED的色温,提高显色指数。     

三井矿业研发出新型高效硫化物荧光粉

日本三井矿业冶炼公司（MitsuiKinzoku）研发了一种白光LED用硫化物荧光粉材料。公司称,已经发明了红色和绿色荧光粉,可以结合蓝光LED产生白光,这与传统采用蓝光LED激发氧化物荧光粉产生白光的方法并不相同。