Cu掺杂对氧化锡纳米晶结构、形貌及其光学性能的影响

以无机盐SnCl2 为原料 ,通过形成配合物前躯体制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶 .XRD表明两纳米晶体系均为金红石相SnO2 .通过对两纳米晶体系的TEM HRTEM微结构分析 ,发现掺杂体系的粒径有明显降低 ,而且颗粒边界也较未掺杂体系清晰 .通过对两纳米晶体系的紫外图谱的研究 ,发现Cu掺杂后SnO2 纳米晶的吸收带边发生红移 .且铜离子掺杂后导致体系的UV图谱中出现两激子峰     

纳米晶材料的制备、结构性能及其进展

纳米晶材料（ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｍａｔｅｒｉａｌｓ）是近来发展起来的一种新型材料，其单个晶粒尺寸为纳米级，构成了一种与晶态和非晶态均不相同的新型结构，由此产生了许多独特的性能．本文综述了纳米晶材料的研究动态、介绍了纳米晶材料的制备、结构表征和性能研究的进展及纳米晶材料的发展动向。     

Eu掺杂TiO2纳米晶的制备及其发光性能

TiO2:Eu3+是一种新型优质的纳米红光发光材料,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2:Eu3+纳米晶,研究了TiO2:Eu3+纳米晶的发光特性及退火温度对其发射光谱的影响.利用XRD,PL,PLE对样品进行了表征.结果表明TiO2:Eu3+纳米晶在600 ℃退火时呈现单一的锐钛矿结构,晶粒尺寸约为13.2 nm,900 ℃退火时呈现单一的金红石结构,晶粒尺寸约为44.1 nm;用468 nm激发光源激发时样品显示出强红光发射,对应于Eu3+粒子的5D0 →7F2超灵敏跃迁;荧光强度随着退火温度的升高先增强后减弱,最佳退火温度为700 ℃,最佳保温时间为8 h.     

Zn掺杂对SnO_2纳米线的气敏性能的影响

为了提高SnO2纳米线基气敏传感器在实际应用中存在着灵敏度低、选择性差等问题,采用物理热蒸发法制备纯SnO2纳米线和不同质量百分比（7%,8%,9%,10%）的Zn掺杂SnO2纳米线,将制得的气敏基料制备成旁热式气敏元件,应用静态配气法对浓度均为500ppm的无水乙醇蒸汽、CO及CH4分别进行气敏性能测试.实验结果显示,Zn掺杂SnO2纳米线相比纯SnO2纳米线的气敏性能有了明显提高（乙醇提高2.46倍,CO提高13.88倍,CH4提高1.43倍）,并得出无水乙醇气敏性能在工作温度为280℃最高,CO,CH4在300℃最好.当Zn的掺杂比例为质量百分含量为9%时,各种比例材料所制成的气敏元件气敏性能最高.     

Co掺杂ZnO纳米结构材料的水热制备及性能研究

以乙酸锌为原料、乙酸钴为掺杂剂,采用水热法制备得到了Co掺杂氧化锌纳米结构材料,并通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见漫反射光谱(DRS)等测试手段对所得产物的性能进行了研究。XRD的分析结果表明Co的掺杂并未改变氧化锌本体的晶型结构;SEM照片显示了Co的不同掺杂量对样品形貌有较大影响;DRS结果说明Co的引入有助于提高可见光区的吸收强度,并可使得其带隙宽度E_g在3.25～2.85 eV之间进行调节。     

纳米氧化锡粉体的制备及性能表征

以SnCl4.5H2O为主要原料,以十六烷基铵为分散剂,NH3.H2O作为沉淀剂,利用液相沉积法成功制备出了SnO2纳米颗粒。通过透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）以及热重分析（TG）,研究了纳米氧化锡粉体的形貌、尺寸分布和结构特征。SnO2颗粒平均粒径在30nm左右,呈不规则多面体,有些近似于球形,粒径分布窄,分散性良好。通过表征发现,SnO2纳米粉体的尺寸受几种反应因素的影响。     

纳米晶材料的制备,结构性能及其进展

纳米晶材料是近年来发展起来的一种新型材料，其单个晶粒尺寸为纳米级，构成了一种与晶态和非晶态均不相同的新型结构，由此产生了许多独特的性能。本文综述了纳米晶材料的研究动态、介绍了纳米晶材料的制备、结构表征和性能研究的进展及纳米晶材料的发展动物。     

Eu掺杂TiO_2纳米晶光致发光影响因素

为了寻找Ti O2∶Eu3+纳米晶的最佳制备工艺条件,采用溶胶-凝胶法制备了Ti O2∶Eu3+纳米晶,研究了Eu3+掺杂浓度、退火温度、Al3+的掺入等工艺参数对Ti O2∶Eu3+纳米晶发射光谱的影响.利用PL、PLE对样品进行了表征.结果表明用468 nm激发光源激发Ti O2∶Eu3+纳米晶时,样品显示出强红光发射,对应于Eu3+粒子的5D0→7F2超灵敏跃迁;且荧光强度随着Eu3+掺杂浓度和退火温度的升高先增强后减弱;700℃退火的样品红光发射强度达到最强,Eu3+的最佳掺杂浓度为0.8%mol;Al3+的掺入可以提高Eu3+的红光发射强度,采用钛酸正四丁脂∶异丙醇∶冰乙酸∶水=1∶4∶4∶2制备出的Ti O2:Eu3+纳米晶的红光发射光谱最强.     

一价Cu掺杂ZnS纳米晶光学性质影响因素分析

利用亚硫酸钠作为还原剂对二价Cu离子的还原制备了一价Cu离子掺杂的ZnS纳米晶。透射电子显微镜观察结果表明所制备的样品的尺寸约为2.7nm,而X射线衍射的结果证明其为立方闪锌矿结构。利用紫外可见吸收光谱和荧光光谱对样品的光学性质进行表征,发现随着Cu离子掺杂浓度的增加,ZnS∶Cu纳米晶的吸收边及紫外光激发下的荧光发射峰均发生了红移现象,且Cu离子浓度越高红移越显著。还原剂量调整的对照试验表明,还原剂过量将导致ZnS∶Cu纳米晶发光峰位的进一步红移。     

单晶中植入纳米晶微结构及光电性能研究

单晶α-Al_2O_3、MgO、YSZ和TiO_2在室温下分别注入Ni~ 和Zn~ 离子,然后在氧化气氛中退火,以形成金属及其氧化物纳米晶．形成的纳米复合结构分别采用X射线光电子能谱(XPS)表征各元素化学价态;用X射线衍射分析(XRD)检测纳米结构的结晶形态;用透射电子显微分析(TEM)观察纳米晶的微观结构及分布情况;吸收光谱和荧光光谱分别用来表征纳米复合结构的宏观光学性能;超导量子干涉磁强计(SQUID)测量磁性纳米晶的矫顽力及截止温度．研究表明:在几种单晶材料中分别形成的金属Ni和Zn具有表面等离子共振吸收效应,ZnO纳米晶具有较强的绿光发射,铁磁性金属Ni纳米晶具有比常规块材大的矫顽力。这些性能在光学滤波片、蓝/绿发光器件和磁存储器方面板具应用前景．     

染料修饰掺杂纳米晶TiO2薄膜的光电转换性能

用溶胶－凝胶法制备了掺杂锌离子的纳米晶TiO2薄膜，并用4，4′－二羧酸联吡啶钌对其敏化。实验结果表明，通过羧酸基与纳米晶TiO2薄膜电极发生强相互作用，实现了染料激发态向纳米晶TiO2薄膜电极导带高效注入电子，从而使宽禁带半导体的光电转换效率得到提高。     

Al掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

研究了Al掺杂对采用直流磁控溅射方法制备的ZnO薄膜结构及光学性能的影响。X射线衍射结果揭示薄膜具有良好的C轴择优取向生长特性,同时,衬底温度对它们的透射谱和荧光谱有着明显影响,所有薄膜都有大于86%的可见光透过率和陡峭的本征吸收边,但ZAO薄膜的光学透过率略低。Al掺杂导致了更宽的光学带隙,光致发光光谱显示ZnO具有较强的近带本征吸收峰和深能级发射峰,但Al掺杂使得深能级发射峰降低。随着衬底温度的升高,近带边吸收峰蓝移,与光学带隙Eg变化趋势一致。     

铅掺杂对草酸结构和形貌的影响

研究了铅的不同掺杂工艺和掺杂量对草酸钴结构和形貌的结构，建立工艺１可让纳米级铝化合物基本分布在草酸钴晶粒外面，而应用工艺２则让铝进入草酸钴晶格中，用费氏粒度仪测量样品的粒度；Ｘ射线衍射仪测晶型结构；扫描电镜观察形貌，结果表明，使用工艺１不会改变草酸钴的结构而应用工艺２只需掺入少量铝即可侃草酸钴由α－晶型为为β－晶型，随着草酸钴中铝掺杂量的增加，掺杂草酸钴的粒度增大，而草酸钴外形轮廓不发生明显改变。     

稀土掺杂的纳米晶材料化学制备方法的研究

系统概括了稀土掺杂的纳米晶材料的几种化学制备方法及其特点,并且重点论述了化学共沉淀法制备纳米晶体的基本原理,得到理想的纳米晶材料的技术难点及解决方案,制备过程中的团聚现象以及如何避免团聚现象的发生等.     

掺杂对β—C_2S结构和性能的影响

本文通过用XRD测定晶格畸变与晶粒大小,XPS测定电子结合能,FT—IR和Laser Raman法测定结构基团振动谱及微热量热法测定早期水化速率探讨了掺杂β—C_2S的微观结构与性能之间的关系。指出掺杂β—C_2S的晶格和SiO_4~(4-)团发生畸变、无序度增加、晶粒细化、电子结合能化学位移是其活性提高、水化加速的根本原因。     

沉淀法制备Er2O3纳米晶与表征

在乙醇溶液中,用反向沉淀法制备了Ｅｒ２Ｏ３纳米晶。ＸＲＤ分析表明,不同温度热处理的Ｅｒ２Ｏ３均为立方晶系,空间群为Ｔ５－１２１３。ＴＥＭ分析表明,所合成的Ｅｒ２Ｏ３粒子呈球形。实验发现Ｅｒ２Ｏ３晶粒度随焙烧温度的升高而增大,而平均晶格畸变率随焙烧温度的升高,晶粒度的增大而减小,衍射强度随焙烧温度的升高而增大。在酸中溶解性试验和红外光谱分析表明,纳米Ｅｒ２Ｏ３比原料Ｅｒ２Ｏ３具有更高的表面活性,Ｅｒ     

表面活性剂对氧化锌微纳米晶形貌及光致发光性能的影响

以硝酸锌、氢氧化钠为原料,采用水热法制备出氧化锌微纳米晶,并研究了表面活性剂对氧化锌微纳米晶形貌的影响,探讨了不同形貌氧化锌微纳米晶的生长机理。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及光致发光谱(PL)等测试手段对产物的结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,借助表面活性剂CTAB、SDBS、PVPK90可分别制得片状、棒状和花状纤锌矿型氧化锌微纳米晶,3种形貌的氧化锌微纳米晶均具有光致发光特性,尤其片状ZnO微纳米晶的光致发光峰最强。     

CuInS2纳米晶的制备及三阶非线性光学性质的研究

以无水醋酸铜(Cu(AC)2)为铜源,氯化铟(InCl3)为铟源,正十二硫醇(DDT)为硫源,1-十八稀(ODE)为溶剂在240℃条件下反应3h,合成了金字塔形的CuInS2纳米晶。用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),能量分散光谱(EDS),Z-Scan技术对粉体的结构、形貌、相组成、三阶非线性光学特性进行表征。结果表明:通过一锅法可以合成单分散颗粒尺寸为5-7nm的金字塔形CuInS2纳米晶;分散在正己烷中的CuInS2纳米晶的三阶光学非线性折射率γ,三阶光学非线性吸收系数β以及三阶光学非线性极化率χ(3)分别为3.444×10-17m2/W,4.526×10-7m/W和1.390×10-8esu。     

纳米晶铁的制备及其性能

论述了高能机械球磨法制备纳米晶铁的原理及工艺，并讨论了纳米晶铁的磁性，ＸＲＤ及Ｍｏｓｓｂａｒｕｅｒ谱结果。     

掺镍多孔纳米SnO_2材料的制备及其气敏性能

以SnCl4.5H2O为原料,聚乙二醇（PEG-1000）作为分散剂,利用沉淀法制备出SnO2纳米粉体,采用扫描电镜（SEM）和X-射线衍射（XRD）对其形貌和微观结构进行表征.并以其作为基底材料以离子的形式掺杂摩尔比为1%的Ni2＋作为气敏材料,制作掺杂和未掺杂两种旁热式气敏元件,测试其对乙醇、甲醇和丙酮的气敏特性.发现在较低的工作温度下两种元件对三种气体都有较高的敏感性,同时Ni离子的掺杂对三种气体的灵敏度有不同的影响,对乙醇表现出很好的选择性.