10bit 100MS/s混合型模数转换器

为了提高模数转换器的性能,将全并行模数转换器和逐次逼近型模数转换器相结合,设计了一种混合型模数转换器．为了进一步降低混合型模数转换器的功耗,提出了一种高位电容跳过与复用的开关策略．理论分析表明,相对于合并电容开关策略,提出的开关策略使电容阵列所需的电容总数减少了一半,电平切换功耗降低了81.22％．最后,基于中芯国际0.18μm工艺,对混合型模数转换器进行仿真．当采样频率为100MS／s、输入频率为48.14453125MHz的正弦波信号时,输出信号的无杂散波动态范围为75.879dB,有效位数为9.902bit,功耗为2.41mW,品质因数为25.19fJ／conversion-step．仿真结果表明,这种混合型模数转换器利用提出的开关策略能在功耗、速率和面积上实现很好的折中．     

高精度电荷域ADC共模电荷误差前台校准电路

提出了一种数模混合型高精度共模电荷误差校准电路,可对电荷域流水线模数转换器中由增强型电荷传输电路电荷传输关断电压随工艺、电压和温度波动、输入共模电荷变化、各流水线子级中电容非线性而引起的各类共模电荷误差进行精确补偿．所提出的高精度共模电荷误差校准电路被运用于一款14bit210MS/s电荷域模数转换器中,并在1P6M 0.18μm CMOS工艺下实现．测试结果显示,该14bit模数转换器电路在210MS/s条件下对于30.1MHz单音正弦输入信号得到的无杂散动态范围为85.4dBc,信噪比为71.5dBFS,而模数转换器内核功耗仅为205mW,面积为3.15mm²．     

一种高性能BiCMOS差分参考电压源

采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂．基于ASMC 0.35μm 3.3V BiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,在低频和100MHz时,参考差分电压对电源噪声抑制比为78.1dB和66.7dB,对地线噪声抑制比为72.4dB和63.8dB,输出差分参考电压的平均温度系数为11×10^-6/℃,有效芯片面积为2.2mm²,功耗小于15mW,可应用于14位100MHz流水线模/数转换中．     

用于8位80 MS/s 模数转换器的增益数模单元电路

A high speed and medium accuracy multiplying digital-to-analog converter (MDAC) circuit optimization design is presented for meeting the requirements of the 8bit, 80MS/s pipelined analog-to-digital (A/D) converter. An optimized transmission gate is adopted to improve the linearity of the MDAC circuit. In view of the high gain two-stage operational amplifier, design method in wideband operational amplifier design optimization is proposed and the settling time and power consumption of operational amplifier can be effectively decreased In addition, an improved high speed dynamic comparator is used in this design Fabricated in a 1.8V 0.18μm CMOS process, this A/D converter with the proposed MDAC circuit achieves a signal to noise and distortion ratio (SNDR) of 54.6dB and an effective number of bits (ENOB) of 7.83bit with a 35MHz input signal at the 80MHz sample rate.     

一种双采样1.2V 7位125MS/s流水线ADC的设计

为了满足片上系统对模数转换器的低功耗和高性能的要求,设计并实现了一种1.2V7位125MS/s双采样流水线模数转换器.该模数转换器采用了一种新的运算放大器共享技术以及相应的时序关系,从而消除了采样时序失配问题,并减小了整个模数转换器的功耗和面积.该模数转换器采用0.13μm CMOS工艺实现,测试结果表明,该模数转换器的最大信噪失真比为43.38dB,有效位数为6.8位.在电源电压为1.2V、采样速率为125MS/s时,该模数转换器的功耗仅为10.8mW.     

一种二阶曲率补偿的高精度带隙基准电压源

提出了一种输出电压可调的带隙基准电路．通过对双极晶体管基极-发射极电压的二阶温度补偿,大大改善了带隙基准的温度特性,并增加嵌套密勒补偿,进一步提高了系统的稳定性．基于0.6μm CMOS工艺,利用Hspice进行了仿真验证,结果表明,在-40～120℃温度范围内,0.8V基准电压的温度系数为6.1×10^-6／℃,低频时电源抑制比为-82dB,正常工作时静态工作电流小于6.5μA．     

一种用于14位1.28MS/sΣΔADC的数字抽取滤波器设计

设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输出信号经过数字抽取滤波器后,信噪失真比(SNDR)达到了93.9 dB,满足设计要求.所提出的数字抽取滤波器-6dB带宽为640kHz,抽取后的采样频率为1.28MHz,功耗为33mW,所占面积约为0.4mm×1.7mm.     

基于建立-向下偏转过程11-bit 1-MS/s逐次逼近型模数转换器的设计

采用0.35μm CMOS工艺设计了一款基于建立-向下(set-and-down)偏转过程11-bit1-MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),分析了电容网络的偏转过程。采用本文电容偏转过程的11-bit SAR ADC平均电容偏转能耗比传统的SAR ADC降低了81.25%,且单位电容的总数与传统SAR ADC相比也降低了50%。采用0.35μm 2P3M CMOS工艺对SARADC电路进行了版图绘制,版图尺寸约为705μm×412μm。后仿真结果表明,信号与噪声和失真比达到了66.6dB,有效精度达到了10.7bit。     

一款低电压高精度CMOS运算放大器设计

设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。     

宽输入快速启动的高精度电压基准电路设计

采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路．利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL_BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1V左右,从而提高电压基准精度．运用MOS器件的自偏特性,迅速给电压基准提供一个偏置,完成了整个电路的快速启动．该电路与基准电路结合后,当输入电压在6.3～14V的范围内时,其基准电压摆动小于2mV;启动时间为20μs左右．与同类电路相比,该电压基准输出摆动缩小了60％,启动时间缩短了40％．     

A band-gap voltage reference for interface circuit of microsensor

A high performance CMOS band-gap voltage reference circuit that can be used in interface integrated circuit of microsensor and compatible with 0. 6 μm ( double poly) mix process is proposed in this paper. The circuit can be employed in the range of 1. 8 - 8 V and carry out the first-order PTAT ( proportional to absolute temperature) temperature compensation. Through using a two-stage op-amp with a NMOS input pair as a negative feedback op-amp,the PSRR ( power supply rejection ratio) of the entire circuit is increased,and the temperature coefficient of reference voltage is decreased. Results from HSPICE simulation show that the PSRR is - 72. 76 dB in the condition of low-frequency,the temperature coefficient is 2. 4 × 10 -6 in the temperature range from - 10 ℃ to 90 ℃ and the power dissipation is only 14 μW when the supply voltage is 1. 8 V.     

PWM/PSM双模式高压异步整流BUCK电路

为了在全负载范围内取得高转换效率,提出一种根据占空比来自动实现模式跳转的脉冲宽度调制（PWM）/跨脉冲调制（PSM）双模式的低功耗、高压直流电压转换电路.它的输入电压为3～24 V,输出电压为2.5～(VIN-0.5)V.当负载电流较大时,芯片采用开关频率为1 MHz的PWM工作模式;当负载电流减小时,采用开关频率降低的PSM模式,从而保证了在全负载电流变化范围内的高转换效率.PWM到PSM模式的跳转采用简单逻辑及最小占空比电路实现,达到了模式的自动转换.电路采用CSMC公司的0.5 μm 40 V高压混合信号模型设计并完成流片加工.测试结果表明,在5 V的输出下,当输入电压到达最大值24 V时,芯片保持了55%以上的转换效率.芯片在2种模式间可以实现平稳过渡,具有良好的负载电流调整特性.     

高压变频器及其在火电厂的应用前景

简要分析了高压变频器的基本原理及组成,介绍了高压变频器的类型和特点,阐述了高压变频器在火电厂的应用前景,为火电厂的节能改造提供参考。     

"高精度A/D+DSP+MCU"的双处理器方案在变压器参数测试仪中的应用

针对电力系统中广大变压器用户的需求,将“高精度A/D DSP MCU”的双处理器方案应用于变压器参数测试仪中,提高了仪器数据处理的速度,从而保证了仪器对便携式、智能化和高精度的要求;并对类似结构的仪器设计提供了一种有效的可借鉴的方案.     

54/5位直流数字电压表的设计

介绍了高精度、高分辨率数字电压表的一种设计方法,可作数字万用表或精密测量仪器的表头,供设计者参考。     

New type bandgap reference for UHF RFID tag

A novel low-voltage, low-power current mode bandgap reference circuit for the passive UHF RFID tag is presented. The I_CTAT current is generated by V_BE of the BJT transistor. The I_CTAT current is generated by the MOSFET biased in the sub-threshold region, based on the theory that the I-V curve of the sub-threshold MOSFET shows an exponential relationship. The circuit is designed and implemented by TSMC 0.18μm CMOS technology. The biggest variation of V_ref of the reference is smaller than 1.75％. Test results show that the power of the circuit is 0.65μW, and that the minimum operating voltage is 0.829V. The active area of the circuit is about 0.04mm². As a result, the read sensitivity of the tag with the proposed bandgap reference circuit is -16dBm.