半导体激光器驱动电路的计算机仿真分析

直接调制的大电流窄脉宽驱动电源是半导体激光器获得高峰值功率输出的重要保证.为了研究半导体激光器驱动电路,提高系统的精度和抗干扰能力,采用计算机仿真的方法分析了半导体激光器脉冲电源基本电路和雪崩晶体管脉冲电源电路.通过仿真结果表明,脉冲电源中元件的寄生电感及串联电阻对激光器工作电流脉冲的波形影响很大.当奇生电感小时,放电电流波形的上升时间就短.可为设计半导体激光器驱动电路时,提供选取R、C、L的依据,并保证工作在欠阻尼的情况下,要获得最大的放电电流,储能电容器上的充电电压要高,使电路的串联电阻尽量要小.     

航天服浪涌抑制电路设计和应用研究

为解决航天服电源带载切换瞬间浪涌抑制功能失效问题,提出一种改进的浪涌电流抑制方法,增加MOS管栅极电压快速泄放通道,设计相对独立的充电电路和放电电路,通过分析计算确定各阻容元件的参数值;仿真计算结果表明,MOS管栅极电压泄放时间由48.55ms减小为554.5μs,充满电时间由90ms变为42ms,放电时间加快,而充电时间相对稳定;经实验测试,电源初始加电及电源切换加电瞬间,浪涌电流峰值均不大于3A,两种工况下浪涌电流都能得以抑制;改进后的浪涌抑制电路有效地解决了带载切换过程中浪涌电流过大的问题,能够很好地应用于航天服的供电系统中。     

低功耗高性能的全MOS电压基准源设计

设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区。基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标。     

0.5umCMOS新型电流反馈放大器的分析与设计

设计了一种CMOS电流反馈运算放大器,通过在输出端采用电阻反馈,增强带负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点,通过高输出阻抗镜像电流镜增大了电路的增益,并用共源共栅电流源为电路提供偏置电流以减小电源电压的变化对偏置电流影响.使用BSM3 0.5um CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽,电路参数为:84.2dB增益,447MHz的单位增益带宽,62度的相位裕度,138dB共模抑制比以及在Ⅳ电源电压仅产生0.7mw的功耗.     

带有过温保护功能的1W白光LED驱动电路设计

基于CSMC 5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种具有过温保护功能的1W温度传感LED恒流驱动电路.该电路由恒流驱动模块和温度传感模块组成,在电源电压为5V时能提供350mA恒定驱动电流,并能在设定温度下关断功率MOS管,实现过温保护功能.恒流驱动模块采用比例电流采样方式,在电源电压正负变化10%范围内,驱动电流变化小于4.3%,温度传感模块利用PTAT(与绝对温度成正比)电压与基准电压比较,产生关断信号,关断温度在50℃-125℃范围内可由外接电阻设定.该芯片实现了温度传感模块和白光LED恒流驱动模块的单片集成,在LED照明技术中有一定的应用价值.     

功率MOS管R_(DS(on))负温度系数对负载开关设计的影响

介绍了功率MOS管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的V_(CS)的转折电压,负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点。分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域,产生的开关损耗导致局部热不平衡从而形成局部热点的原因。实验结果表明,减小输出电容、提高功率MOS管的散热能力,可以提高系统的可靠性。     

透射电子显微镜透镜稳流电源的研究

本文以物镜磁透镜稳流电源为例,介绍了透射电子显微镜透镜稳流电源的结构和工作原理.透镜稳流电源由前置高精度稳压电源模块、数模转换器、低漂移电压比较放大器、高精度恒温基准电压源、电流输出前置驱动、电流输出功率模块、基准电阻、输出电流检测模块等组成.通过检测基准电阻两端的电压并将其反馈到电压比较放大器形成对输出电流的闭环控制.达到对电流稳定度的要求.透镜稳流电源受计算机的控制,能接收稳流电流参数,并将电源的工作状态发送给计算机.实验结果表明该透镜稳流电源完全达到了设计指标,可以满足透射电子显微镜各级磁透镜的要求.     

基于NCP1014的4W LED驱动电源设计

采用NCP1014作为主控制器,设计一款输出电压10V,输出电流320mA隔离式、节能高效的4W LED驱动电源,并分析所设计电路的基本工作原理,给出外围电路及变压器参数的详细设计过程.所设计的驱动电源通过赛宝实验室相关的电气测试,并达到量产,具备进入小功率LED照明市场的能力,且对开发低成本、高性能的小功率LED驱动电源具有一定的参考价值.     

MOS-双极达林顿高频功率开关的设计

对于高频功率开关,除要求其具有开关速度快,有足够的带负载能力外,还要求其有较小的驱动功率.MOS-双极达林顿功率开关正是为此则设计的.它兼有MOS管、双极管两种开关的优点:输入特性类似MOS管,而输出特性类似双极管.本文介绍了MOS-双极达林顿高频功率开关的特性.同时,还考虑到开关中的元件选择、对驱动电路的要求和电路结构等问题.     

基于MOS电阻阵的红外热图像生成控制系统

针对目前国内自主研制的MOS电阻阵设计了红外图像生成控制系统;通过OPENGL图像函数库,将理论计算的目标热辐射分布图转换为256级灰度图;设计PCI接口通信卡将图像数据进行光电转换,经光纤远距离传输到MOS电阻阵驱动控制电路,板载DSP读取数据并控制CPLD芯片产生逻辑控制信号,控制高速串行DA产生图像驱动信号,实现了MOS电阻阵列红外热图像输出;某型红外成像导引头采集的图像表明该系统生成的红外图像满足导引头试验的要求.     

基于MC34063的开关电源设计

旨在研究以MC34063单片集成电路为控制器的开关电源的设计及应用。它提供了对DC—DC设计过程中参数选择的理论依据,有助于正确而快速地选择元器件的参数,同时提供了设计实例,且运用Chroma6000ATS对设计的面包板进行性能测试。对提高开关电源的设计效率有着重要的积极作用。     

A silicon transconductance light emitting device (TRANSLED)

A novel multi-terminal silicon light emitting device (TRANSLED) is described where both the light intensity and spatial light pattern of the device are controlled by an insulated MOS gate voltage. This presents a major advantage over two terminals Si-LEDs, which require direct modulation of the relatively high avalanche current. It is found that, depending on the bias conditions, the light intensity is either a linear or a quadratic function of the applied gate voltage. The nonlinear relationship facilitates new applications such as the mixing of electrical input signals and modulating the optical output signal, which cannot readily be achieved with two terminal Si-LEDs, since they exhibit a linear relationship between diode avalanche current and light intensity. Furthermore, the control gate voltage can also modulate the emission pattern of the light emitting regions, for example, changing the TRANSLED from an optical line source to two point sources.     

Growth and characterization of 0.8-μm gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates

AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures were grown on 2 inch sapphire substrates by MOCVD, and 0.8-μm gate length devices were fabricated and measured. It is shown by resistance mapping that the HEMT structures have an average sheet resistance of approximately 380 Θ/sq with a uniformity of more than 96%. The 1-mm gate width devices using the materials yielded a pulsed drain current of 784 mA/mm atV _gs=0.5 V andV _ds=7 V with an extrinsic transconductance of 200 mS/mm. A 20-GHz unity current gain cutoff frequency (f _T) and a 28-GHz maximum oscillation frequency (f _max) were obtained. The device with a 0.6-mm gate width yielded a total output power of 2.0 W/mm (power density of 3.33 W/mm) with 41% power added efficiency (PAE) at 4 GHz.     

一种高线性度AB类CMOS功率放大器的设计与实现

率放大器作为发射机中最核心的模块之一,如何同时提高其效率和线性度一直是人们研究的热点。文章主要分析了AB类功率放大器中的主要非线性源—栅源电容对电路性能的影响,并且使用了一个PMOS管并联的技术来补偿这种影响,最后利用这种技术,采用JAZZ0.25um RF CMOS工艺实现了一个可应用于2.45GHz WLAN的高效率高线性度的AB类功率放大器,三阶交调(IM3)项为-12dBm,输出功率为26dBm,功率附加效率(PAE)为44%。     

三漏CMOS磁敏开关的设计

介绍了一种新型的磁敏开关.它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上.该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T.由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易.     

A CMOS low noise amplifier based on common source technique for ISM band application

In this paper a 2.45 GHz narrowband low noise amplifier (LNA) for wireless communication system is enunciated. The proposed CMOS Low Noise amplifier has been verified through cadence spectre RF simulation in standard UMC 90 nm CMOS process. The proposed LNA is designed by cascoding of two transistors; that is the common source transistor drives a common gate transistor. To achieve better power gain along with low noise figure, cascoding of two transistor and source degeneration technique is used and for low power consumption, the MOS transistors are biased in subthreshold region. At 2.45 GHz frequency, it exhibits power gain 31.53 dB. The S11, S22 and S12 of the circuit is ?9.14, ?9.22 and ?38.03 dB respectively. The 1 dB compression point of the circuit is ?16.89 dBm and IIP3 is ?5.70 dBm. The noise figure is 2.34 dB, input/output match of ?9.14 dB/?9.22 dB and power consumption 8.5 mW at 1.2 V.     

GM计数管高压电路的设计研究

介绍了计数管的工作原理,对GM计数管的特性进行了系统分析,针对GM计数管工作电压和工作电流的实际情况,利用MC34063电源芯片,结合电荷泵电路的工作原理,设计符合GM计数管工作要求的高压电源。