V-P-Fe系CTR的导电模型

从微观方面分析V-P-Fe系CTR组份中VO2与相变的关系、Fe2O3与杂质缺陷、P2O5与晶粒体的形成,并论述3种材料所形成固溶体的导电特性,即晶粒体的电特性和粒界的电特性．另一方面,通过透射电镜晶相图和扫描电镜形貌图的分析,同样可得出CTR半导瓷是由晶粒体（VO2,Fe3O4,P2O5）和粒界（晶粒间界）构成,其导电模型是：晶粒体一粒界模型．利用该模型对V-P-Fe系CTR样品的实测阻温特性曲线进行分析,晶粒体阻值具有临界特征,且在高温态呈金属性,在低温态成为半导体,而粒界的导电则采取“电势垒模式”。     

微波等离子体制备氮杂二氧化钨钒薄膜

根据二氧化钒在68℃附近发生相变的这一特性,选用V2O5和W2O3为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,合成了氮杂二氧化钨钒(V0.98W0.02O2-xNy)薄膜.通过XRD表征了样品的组成,用自制的仪器测量了合成样品的相变温度,结果表明:样品为氮杂二氧化钨钒(V0.98W0.02O2-xNy),通过氮掺杂能有效降低二氧化钨钒薄膜的相变温度,相变温度最低可以降至35℃.     

Fe_3O_4/SiO_2复合粒子的制备及对Cd~(2+)的吸附性能研究

采用共沉淀法制备出粒径为10nm左右、具有超顺磁性的Fe3O4纳米粒子,在Fe3O4纳米粒子外包覆SiO2合成了磁性Fe3O4/SiO2复合粒子,研究了该复合粒子对水溶液中Cd2+离子的吸附性能.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱(FTIR)、振动样品磁强计(VSM)和原子吸收分光光度计(AAS)对样品进行表征,考察了SiO2不同包覆量对吸附剂吸附性能的影响.结果表明:随着SiO2包覆量的增大,SiO2壳层厚度增大,内核中包埋的Fe3O4粒子数量增多,Fe3O4/SiO2复合粒子尺寸随着增大,由50nm左右增大到300 nm左右;Fe3O4纳米粒子表现出了良好的磁性能,比饱和磁化强度达73.6A·m2·kg-1,Fe3O4/SiO2复合粒子的比饱和磁化强度随SiO2包覆量的增大而逐渐减小;Fe3O4/SiO2复合粒子的吸附率随着SiO2包覆量的增多而逐渐增大,最大吸附率为91.0%.     

La2O3掺杂对(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3陶瓷性能与微结构的影响

采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiOa(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响.结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒生长具有一定的抑制作用,线收缩率和相对密度增大.室温介电常数随着La2O3掺杂量的增加而增大.与不添加La2O3的陶瓷样品相比,添加少量La2O3可以使体系的弛豫特征更为明显.当掺杂量为0.1 wt%时,该体系陶瓷具有较好的综合性能:d3a=160 pC/N,kp=0.322.当掺杂量达到0.5 wt%以后,陶瓷的压电性能严重降低.     

La2O3、Cr2O3共掺杂的CCTO陶瓷介电性能研究

采用氧化物混合工艺制备了La2O3和Cr2O3共掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料。通过XRD、介电温度特性等测试手段,研究了掺杂不同浓度的La2O3和Cr2O3对CCTO体系陶瓷介电性能的影响,并对掺杂机理进行了分析.研究结果表明:分别掺杂La2O3和Cr2O3的CCTO陶瓷的介电损耗为～0.2,比纯的CCTO陶瓷样品低,而介电常数仍保持在～104;掺杂0.03at%La2O3和0.08at%Cr2O3的CCTO陶瓷材料的介电常数为4.4×104,介电损耗可降至0.15.因此,通过共掺杂的方法可以在有效降低CCTO陶瓷介质损耗的同时,仍维持高的介电常数.     

微波等离子体制备氮杂二氧化钨钒薄膜

根据二氧化钒在68℃附近发生相变的这一特性,选用V2O3和W2O3为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,合成了氮杂二氧化钨钒（V0.98W0.02O2-xNy）薄膜．通过XRD表征了样品的组成,用自制的仪器测量了合成样品的相变温度,结果表明：样品为氮杂二氧化钨钒（V0.98W0.02O2-xNy）,通过氮掺杂能有效降低二氧化钨钒薄膜的相变温度,相变温度最低可以降至35℃．     

硅掺杂对PTC陶瓷相组成、微结构及性能的影响

采用固相法制备了不同硅掺杂量的BaTiO3基PTC陶瓷,研究了硅掺杂量和Ba2TiSi2O8第二相对PTC陶瓷电性能以及微观结构的影响,并分别以XRD和SEM对样品的相组成和显微结构进行了研究.结果表明,少量硅的加入降低了室温电阻率;硅的加入有利于传质和限制晶界移动;当硅掺杂量不大于0.5 mol％时,样品的电阻-温度系数和升阻比都随着硅掺杂量的增加而增大;硅不单是烧结助剂,而且它可以改变晶界相组成.当硅浓度超过0.5 mol％时,样品出现Ba2TiSi2O8第二相.随着硅的浓度进一步加大,Ba2TiSi2O8第二相增多,电阻率逐渐增大,电阻一温度系数减小,但升阻比却增大.Ba2TiSi2O8第二相的出现,导致样品的PTC效应出现缓变的现象.     

溶胶—凝胶法制备Fe掺杂In2O3薄膜的室温铁磁性

采用溶胶-凝胶法以(普通)玻璃为基底制备了摩尔分数为10?掺杂In2O3的透明薄膜.分别用XRD、FE-SEM、UV-Vis和VSM对样品结构、形貌、透过率和磁性进行表征.XRD结果表明样品衍射峰为立方In2O3结构,无其它相.SEM图谱清晰说明薄膜致密,晶粒约为14 nm且分布均匀,无团聚现象.UV-Vis光谱测得样品在可见光内透射率高于80%,且Fe掺杂引起光学吸收谱红移.VSM结果表明样品具有室温铁磁性.     

Cr_2O_3及Nb_2O_5掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与介电性能

采用固相法制备了Cr2O3、Nb2O5掺杂的钛酸钙铜基高介电陶瓷,研究了Cr2O3、Nb2O5掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷晶体结构、显微结构及介电性能的影响.结果表明:当掺杂量x在所研究区域质量分数0~0.8%之间时,样品均形成纯钙钛矿固溶体;两种掺杂对钛酸钙铜陶瓷的晶体生长均有抑制作用,Cr2O3掺杂的样品在1100℃致密成瓷,Nb2O5掺杂的样品在1080℃致密成瓷;当Cr2O3掺杂量为质量分数0.4%、Nb2O5掺杂量为质量分数0.4%时,与纯CCTO相比,两种掺杂对陶瓷的介电性能均有明显的改善作用,室温、1kHz下陶瓷的介电损耗分别为0.04、0.17,Cr2O3掺杂钛酸钙铜陶瓷性能要优于Nb2O5掺杂的钛酸钙铜陶瓷.     

半金属Fe3O4薄膜的磁控溅射制备及磁电学性能研究

利用交流磁控溅射法,在H2中采用Fe3O4靶材,成功制备了(111)取向的Fe3O4薄膜.对薄膜样品进行XRD测试,研究不同衬底温度对成相的影响.对薄膜表面的XPS测试结果表明所制备薄膜为单相Fe3O4沉积过程中随H2量增大,薄膜表面粗糙度有显著增加.对薄膜进行磁学性能的测试,饱和磁化强度高达5 000Oe,反映了反相晶粒边界(APBs)的存在.Tv以下较低的晶格对称度导致了矫顽场的增大.薄膜的电阻随温度变化曲线(R-T)显示115K附近出现Verwey相变,对R-T曲线的拟和结果显示,Fe3O4薄膜在40～300K温度区间为电子的变程跳跃VRH(Variable range hopping)导电机制.     

尖晶石型锰酸锂的复合掺杂改性

以固相烧结法制备的尖晶石型锰酸锂为基础,对其结构中掺杂复合非金属元素B和F,合成了B、F掺杂的尖晶石。通过X射线衍射、扫描电镜、电化学分析方法对试样的晶体结构、表面形貌及电化学性能进行表征。结果表明,采用B、F包覆的锰酸锂与纯锰酸锂的X射线衍射结果相似,波峰尖锐且峰值高;随着B的掺入,尖晶石作为正极材料充放电的循环性能得到了提高,但是其初始容量较低,仅为102.3mA·h/g。随着加入复合非金属元素B和F,样品的初始容量提高到了110.9mA·h/g,50次循环后的容量保持率为83.14%。实验结果表明,复合掺杂有效提高了锰酸锂的电化学性能。     

电化学沉积法制备稀土掺杂氧化钇荧光薄膜的发光性能

通过改变氧化钇薄膜中掺杂稀土元素的种类,来控制发光薄膜的荧光发射波长.利用电化学沉积法制备稀土掺杂氧化钇荧光薄膜.电化学沉积法制备的薄膜结晶效果好,掺杂离子分布较均匀,且不需要高温高压或者真空条件,成本很低.所制备的Y2O3:Ln荧光发光薄膜经XRD分析具有立方晶体结构;不同稀土掺杂的氧化钇呈现出不同的表面形貌;掺杂的Ln离子均匀地分布在薄膜中,经测试所有的Y2O3:Ln荧光发光薄膜都显示出较强的发射强度,且发光波长随着掺杂离子的不同而不同:Y2O3:Er3+发绿光,Y2O3:Ce3+发黄绿光,Y2 O3:Sm3+发蓝光,Y2O3:Pr3+发橙光.因此,电化学沉积法可用于制备具有不同发光波长的氧化钇荧光薄膜.     

掺杂对Al_2O_3/TiAl复合材料性能的影响

本研究采用Ti-Al-TiO2-La2O3体系,通过热压烧结工艺原位合成了Al2O3/TiAl复合材料.借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析研究了材料的物相组成和微观组织结构,同时分别将掺杂La2O3和掺杂Fe2O3对合成Al2O3/TiAl复合材料微观结构和力学性能的影响进行了对比.结果表明:掺杂La2O3合成的Al2O3/TiAl复合材料基体尺寸相对掺杂Fe2O3合成产物较小,分散更加均匀,致密度更高.当La2O3掺杂量为3.93wt%时,Al2O3/TiAl复合材料的抗弯强度和断裂韧性达到最大值,分别为701.95MPa和7.79MPa·m1/2.由于稀土氧化物具有对基体和增强颗粒的净化,细化晶粒等作用,因此提高了TiAl基体与Al2O3增强颗粒结合强度,所以掺杂La2O3合成材料的力学性能相比掺杂Fe2O3合成的产物较高.     

稀土掺杂对LAS系统微晶玻璃粘度的影响

实验以Li2O-Al2O3-SiO2（LAS）系统微晶玻璃为研究对象，根据LAS系统玻璃三元相图设计玻璃组成，并在基础组分不变的前提下，选择了La2O3等5种稀土氧化物采取外加法进行掺杂，应用高温粘度仪测试分析了玻璃液的高温粘度。通过调整稀土氧化物的种类和用量，制备出了熔制温度相对较低、具有较好的透明性、较高的强度和热膨胀系数接近于零的微晶玻璃。结果表明：La2O3、Y2O3、CeO2、Er2O3及Gd2O3都具有降低玻璃液粘度的作用，其中以La2O3的作用最大。     

钼掺杂五氧化二钒纳米带的制备及表征

分别以金属Mo粉为钼源、V2O5为钒源和以MoO3为钼源、NH4VO3为钒源,通过低温水热法合成了不同形貌的钼掺杂V2O5纳米结构。用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱(EDS)对产物进行表征。结果表明,反应产物均为正交V2O5纳米带,且纳米带的尺寸均匀,宽度100~400 nm,厚度10~40 nm,长度可达到几十微米。研究还发现它们的掺杂量是不同的,分别为3%和2.1%。     

La_2O_3-Mo阴极La_2O_3纳米粒子形成的研究

采用 ＸＲＤ、ＳＥＭ等方法对 Ｌａ２Ｏ３－Ｍｏ阴极中 Ｌａ２Ｏ３纳米粒子的形成进行了研究．在掺杂 Ｌａ（ＮＯ３）３的ＭｏＯ２粉还原阶段,发生Ｌａ２Ｏ３与ＭｏＯ２的固溶及Ｌａ２Ｏ３的脱溶,从而形成纳米Ｌａ２Ｏ３粉末．Ｍｏ晶粒表面上的纳米Ｌａ２Ｏ３微粒分布形式不同,导致了坯体材料中微米级和纳米级两种Ｌａ２Ｏ３微粒的存在形式．另外,粉末态的Ｌａ２Ｏ３纳米粒子在高温烧结过程中熔化,Ｌａ－Ｏ键断裂形成的Ｌａ３＋、Ｏ２－离子通过固溶、脱溶过程亦可形成坯体中的Ｌａ２Ｏ３纳米微粒．     

Preparation and properties of 4.25Cu-0.75Ni/NiFe_2O_4 cermet

1INTRODUCTION NiFe2O4cermets,whichareexpectedtobe usedastheinertanodesforaluminumelectrolysis, havelowcorrosionandoxidation,goodelectricalconductivityandhighthermalshockresistance[15]. Nickelferritespinelformsacorrosion resistant networkthatcontainstheelectricallyconductivecopper basedmetallicphase.Especially,Gregget al[6]foundacermetofNiFe2O4 18%NiO 17%Cu (massfraction),whichshowedfavorablecorrosion andconductivitypropertiesasinertanodesinsmalllaboratorycells.However,itwasalsoshowedth…     

反应物配比对液相合成Al2O3-SiO2-CaF2系玻璃粉体特性的影响

选用AlCl3、Na2SiO3、CaCl2和NaF作为初始反应物,采用液相沉淀法合成了Al2O3-SiO2-CaF2系玻璃粉体;通过XRD、EDAX和TEM等,分析了反应物配比对液相合成Al2O3-SiO2-CaF2系玻璃粉体特性的影响.结果表明,反应物配比对粉体的形貌、尺寸、结晶状态及所含的化学元素均无影响,而对元素的相对含量有明显的影响.各粉体均含有不同比例的O、F、Al、Si、Ca元素,且均为非晶态的近球形纳米颗粒,粒子直径大约在30~70 nm范围.     

玻璃表面铁酸锌和掺杂铁酸锌薄膜的光催化效率和红外光谱特性

采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上分别制备了TiO2 薄膜、掺杂 2 %ZnFe2 O4 的TiO2 薄膜和ZnFe2 O4 薄膜 ,利用紫外吸收光谱、红外吸收光谱等测试手段对薄膜的性质进行了研究 ,得到了薄膜的激发波长、光催化效率和红外吸收曲线。结果表明ZnFe2 O4 薄膜及掺杂ZnFe2 O4 的TiO2 薄膜具有较高的光催化降解性能 ,薄膜在近红外波段有较强的吸收