一种两级降压收集极行波管发射机高压电源的设计方法

为提高真空管发射机的工作效率,减小发射机的体积和质量,行波管发射机常采用多级降压收集极形式,可将行波管发射机的效率从18%(约)提高到45%(约)。详细介绍了一种高效、小型化两级收集极行波管发射机高压电源的设计原理和关键技术,并通过仿真验证了设计的可行性。     

DAM 10kW中波发射机的通道设计结构分析

使用DAM 10k W中波发射机,可以更加简单地更换频率。一般情况下,DAM 10k W中波发射机的分辨率往往不超过1Hz,相位产生的声音小且易控制,本文介绍了DAM 10k W中波发射机优点,分析了DAM 10k W中波发射机通道设计的基本原理,以供参考。     

锁相环路的宽带调频技术

根据工程需要探讨了发射机调频源锁相环路的宽带调频的实现方式，并对调频锁相环路关键电路的实现做了有意义的分析和讨论，最后提出了利用电荷泵电路来改进环路的宽带调频特性，对于PCM发射机的设计具有一定的参考价值。     

基于波导合成高效高集成度Ku波段发射机

提出了一种基于BB180波导HT合成与双BB180波导转BJ180ET合成相结合的Ku波段高效波导合成方案。波导合成实现了高效率,BB180波导形式实现合成结构轻小型化。首先利用HFSS软件分析两种波导合成器三维模型,给出了仿真结果。在工程设计中采用GaN功率芯片构成放大器小模块单元,输出峰值功率25W。170W功放采用8个模块单元合成。发射机采用4个170W发射功放波导合成,在Ku波段输出功率600W(占空比19%),总合成效率在80%,附加效率达到18%。在结构设计上,170W功放、电源模块、波导合成器采用叠层结构组装,大大减小了发射机空间,实现了发射机高集成度。合理的结构及热设计保证了发...     

航天测控网C频段800W固态发射机的研制

我国新一代C频段扩频统一测控系统采用全新的C频段800 W固态发射机.采用1∶1热备份及1+1合成两种工作模式设计方案设计了一种新的C频段800W固态发射机,提高了设备的实用性及可靠性.采用电路级、模块级及整机级三级合成方案,合成效率达到80%以上,最大连续波输出功率大于800W,增益大于75dB.     

电视发射机系统设计考虑

电视发射机整机系统方案设计决定电视发射机的整体性能。北京吉兆电子有限公司电视发射机的系统设计基于模块化、数字化、智能化和网络化。一模块化模块化设计是一种冗余备份设计,是充分发挥全固态发射机的优势,消除单致命故障点,实现零停播率的前提;同时它也大大提高设备的可维护性,缩短维修时间,减少现场维修难度。发射机的激励器一主一备,互为备份,自动切换,在主备激励器中均含有自动切换电路,不设独立的自动切换单元。激励器的输出功率为1～3W,直接驱动多路高增益功放模块。米波发射机采用600W功放模块,分米波发射机采用450W功放模块…     

热设计在车载固态发射机中的应用

以某车载固态发射机为例进行了热设计,通过计算和仿真分析得到了固态发射机内主要模块表面温度分布,证明合理的热设计能够为高密度高功率的固态发射机结构总体方案设计和优化提供理论支撑,并节省研制成本,提高工作效率。     

基于GaN的S波段固态发射机的设计

介绍了一种基于GaN功率管应用于相控阵雷达的S波段全液冷全固态发射机,利用GaN的高输出功率、高效率特性,对本发射机系统的设计思想、结构组成及工作原理作了详细分析,对采用的模块化设计技术、电磁兼容技术及液冷热设计都给出了重点介绍。实现了在20%占空比、总输出功率不小于32kW和工作效率不低于30%指标要求。     

100 W发射机功率自动控制设计

为了灵活、可靠地实现100 W发射机功率自动控制,设计了一种基于微控制器的自动功率控制系统,该系统使用微控制器芯片C8051F020实时控制数字衰减芯片AT65-0107的衰减值来改变输入信号的大小,并通过检测反馈手段来确定衰减值,从而实现了发射机功率的自动控制;通过该系统在100 W发射机产品中的实际应用,证明了该系统能有效、迅速地自动控制发射机的功率,使发射机的功率控制在所需功率的±0.5 dB范围内,满足实际产品中的发射机功率控制要求,该自动功率控制设计也可以应用到其他发射机或电台中.     

M2W发射机使用过程中的问题及对策

M2W发射机是模块式中波广播发射机,该发射机没有独立的调制单元,它是基于PSM大功率调制技术设计而成的一款幅度和相位同时调制的发射机,在运行过程中如果出现故障就会导致设备损坏和播出的中断,本文分析了M2W发射机在日常运作中出现的问题及故障原理,并针对故障产生的原因进行了技术改造方案论述.     

毫米波50W 连续波固态发射机的设计与实践

随着微波固态功率器件和单片集成电路的发展,雷达、制导和通信等向更高频段扩展,大功率毫米波 固态功放已成为国内外业内人士的主攻方向。文中介绍了一种毫米波50W 连续波固态发射机,设计了一种紧凑高 效率的新型微带贴片与波导双模空间耦合功率合成电路,合成效率大于89%。文章详细描述了发射机中功放模块 的电路设计、功放芯片的贴装、键合等关键技术。以往电路设计中往往忽略了由于金丝键合引入感抗而导致电路性 能指标下降,因此对金丝键合给电路所带来的影响及其解决途径作了分析。文章还介绍了该发射机的控制检测、保 护等电路与冷却结构设计。发射机的性能完全满足指标要求,并已成功用于整机之中。以其中的功率模块为基础, 可以构成更大输出功率的毫米波固态发射机。     

ISO 14443单芯片读卡机发射电路的设计

介绍一种新的CMOS功率放大电路,该电路既有开关型放大器的高效率的特点,同时又具备线性功率放大电路能输出可变包络的特点,而且可以根据实际需要对输出功率进行调节。电路在0.6μm工艺线上流片。经测试验证电路能在-20°C～80°C的温度范围内工作,工作电压范围为2.5V～5.5V,输出功率可在很大范围内进行调节,在5V条件下,最大输出功率可达6.25W。     

用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计

硅LDMOS晶体管以其大输出功率和高效率等优点作为微波功率放大器广泛应用于雷达发射机中.在大信号S参数无法获得而厂家提供的1710 MHz～2110 MHz范围内的源阻抗和负载阻抗参数又不能用时,利用一公司的ADS软件,采用负载牵引法得到了输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配,成功设计出P-1大于30W、功率增益在1580MHz～1650 MHz频率范围内、增益保持在30dB以上和PAE大于30%的2级LDMOS微波功率放大器.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.     

A Class‐D Amplifier for a Digital Hearing Aid with 0.015% Total Harmonic Distortion Plus Noise

A class‐D audio amplifier for a digital hearing aid is described. The class‐D amplifier operates with a pulsecode modulated (PCM) digital input and consists of an interpolation filter, a digital sigma‐delta modulator (SDM), and an analog SDM, along with an H‐bridge power switch. The noise of the power switch is suppressed by feeding it back to the input of the analog SDM. The interpolation filter removes the unwanted image tones of the PCM input, improving the linearity and power efficiency. The class‐D amplifier is implemented in a 0.13‐μm CMOS process. The maximum output power delivered to the receiver (speaker) is 1.19 mW. The measured total harmonic distortion plus noise is 0.015%, and the dynamic range is 86.0 dB. The class‐D amplifier consumes 304 μW from a 1.2‐V power supply.     

Ku波段80 W固态功率合成放大器的设计

利用波导电桥和微带双探针设计了一种Ku波段80 W固态功率放大器。波导电桥用于提高合成通道间的隔离度,波导-微带双探针则可提高模块集成度,从而实现了高密度集成下的大功率输出。该功率放大器在13.5～14.5 GHz频率范围内可实现80 W脉冲功率输出,且合成效率高于81%,附加效率高于25%。     

基于GaN HEMT的13～17 GHz收发多功能芯片

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统.该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特点.芯片接收通道的LNA采用四级放大、单电源供电、电流复用结构,发射通道的功率放大器采用三级放大、末级四胞功率合成结构,选通SPDT开关采用两个并联器件完成.采用微波在片测试系统完成该芯片测试,测试结果表明,在13～ 17 GHz频段内,发射通道功率增益大于17.5 dB,输出功率大于12W,功率附加效率大于27％.接收通道小信号增益大于24 dB,噪声系数小于2.7 dB,1 dB压缩点输出功率大于9 dBm,输入/输出电压驻波比小于1.8∶1,芯片尺寸为3.70 mm×3.55 mm.     

280 W output power single-ended amplifier using single-die GaN-FET for W-CDMA cellular base stations

A single-ended amplifier using a single-die GaN-FET was successfully developed for W-CDMA cellular base-station systems. The developed amplifier delivers a peak saturated output power of 280 W with a linear gain of 12.6 dB at a drain voltage of 48 V under 2.15 GHz 3GPP W-CDMA signal input. It is believed that the 280 W output power is the record output power in single-ended amplifiers at 2 GHz band. A high drain efficiency of 29% is also obtained at 8 dB power back off from the saturated output power.     

基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计

文章阐述了用精确的GaN Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的GaN器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压GaN大信号模型.采用模型设计的GaN放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55mm栅宽GaN管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10%占空比偏置下在1.2~1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3%,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.     

A 1.8-GHz CMOS Power Amplifier Using a Dual-Primary Transformer With Improved Efficiency in the Low Power Region

A 1.8-GHz CMOS power amplifier for a polar transmitter is implemented with a 0.18- RF CMOS process. The matching components, including the input and output transformers, were integrated. A dual-primary transformer is proposed in order to increase the efficiency in the low power region of the amplifier. The loss induced by the matching network for the low-output power region is minimized using the dual-primary transformer. The amplifier achieved a power-added efficiency of 40.7% at a maximum output power of 31.6 dBm. The dynamic range was 34 dB for a supply voltage that ranged from 0.5 to 3.3 V. The low power efficiency was 32% at the output power of 16 dBm.     

基于GaN 的3. 4~ 3. 6 GHz 高增益Doherty 功率放大器

基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty 功率放大器。 该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty 功率放大器的增益,采用反向Doherty 功率放大器架构,将λ/4 波 长传输线放置在辅助功放后端,相位补偿线放置在主功放前端,并使主功放输出匹配网络采用双阻抗匹配技术实现 阻抗变换,如此可扩宽功率放大器的工作带宽。连续波测试结果显示:3. 4~3. 6 GHz 工作频段内,饱和输出功率在 44. 5 dBm 以上,功率饱和工作点PAE 在43. 9%以上;在平均输出功率(37 dBm,5 W)工作点,回退量大于7. 5 dB,功 率附加效率PAE 为36. 8%以上,功率增益在31 dB 以上。