ASML展示一体化光刻解决方案助摩尔定律延续

ASML集团公司（ASML Holding NV）在美国旧金山举行的SEMICON West展会上发布多项全新光刻设备,让芯片制造商能够继续缩小半导体器件尺寸。FlexRay（可编程照明技术）和BaseLiner（反馈式调控机制）为ASML一体化光刻技术（holistic lithography）的一部分，具有高稳定性，能够优化和稳定制造工艺。     

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会圆满落幕

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会10月25日成功举行。应用材料，Entegris（英特格）、特许半导体、苏州华飞微电子材料公司，中芯国际，ASML等公司的演讲人从不同角度给与会者带来了光刻领域最新的发展趋势和实际生产运用过程中的解决方案。与以往两届不同的是，今年的光刻技术研讨会首次有国内的供应商代表在研讨会现场作演讲。     

ASML全球光刻设备制造的领航者

有专家声称，集成电路产业发展的命脉掌握在半导体设备制造商手中，他们制造的尖端设备为集成电路产业的高速发展提供了广阔的成长空间。作为全球半导体设备商排名第三，全球光刻设备制造商排名第一的ASML，用20年的时间创造了一个神话，现成为世界上最大的光刻机制造商!众所周知，光刻设备是所有半导体设备之中的尖端技术，ASML无愧于集成电路产业发展的领航者。荷兰不仅有ASML这个全球半导体工业的骄傲，更有扬名于世的荷兰“风车”、国花郁金香、菲利浦电子等，为了进一步了解荷兰著名的半导体企业ASML，《半导体行业》杂志社记者特别采访了ASML中国区技术行销经理程天风先生，让ASML的风采展示于业界。     

ASML公司光学光刻技术最新进展

荷兰ASML公司作为全球三大光刻机集成生产商之一，通过不断的技术创新，在全球光刻机市场上居于领先地位。在简单介绍光刻机基本工作原理和主要技术指标的基础上，详细分析了ASML公司在光学光刻技术方面的最新技术进展。     

ASML选择Cymer公司EUV光源

伴随着大量的新闻发布，Cmer公司在SEMICON West2007期间宣布其在极紫外线（EUV）光刻光源上的成功。光刻设备供应商ASML已经选择Cymer公司的极紫外线光源用于量产设备，并签署了一份长达多年的多项目协议，计划在2008年底首次供货。     

不断攀登前沿科技顶峰的ASML --访ASML中国区技术行销经理程天风先生

ASML公司致力于为客户提供最佳的光刻设备与技术以支持复杂的集成电路制造。ASML目前在全球欧美和亚洲的50个地区设有分支机构,拥有5000位员工。对于国内代工业水平的不断发展与提升,ASML作出了巨大的贡献。SEMICONChina2006展会召开前夕,记者特意走访了ASML公司,以下是对ASML中国区技术行销经理程天风先生的访谈内容。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

ASML推出新款光刻系统成就两次图形曝光技术

据Semiconductor Reporter报道，ASML Holding NV日前在日本推出了新的193nM光刻系统Twinscan[第一段]     

ASML推出创新光刻平台TWINSCAN NXT套刻精度及生产能力显著提高

<正>光刻巨头ASML Holding NV(ASML)公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT,套刻精度(overlay)及生产能力(productivity)显著提高,将有力推动半导体制程蓝图的前进。另外,ASML Research Review称,TWINSCAN NXT平台也适用于双图形曝光(double patterning)技术。TWINSCAN NXT平台具有创新的晶圆载物台设计,     

光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术（光学光刻，电子束光刻，ｘ射线光刻和离子束光刻）的发展动态     

IMEC将在2010年上半年预投产EUV光刻机

欧洲研发机构IMEC首席运营官Luc Van den Hove表示，IMEC将在2010年上半年制预投产EUV（极紫外）光刻设备。按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中的合理性尚存疑问，然而IMEC认为光学光刻无法满足22nm制程。因此，EUV是唯一的选择。2006年8月IMEC从ASML处获得一台原型设备，并在这台原型设备上开发EUV设备。     

以浸没式技术引领光刻设备市场

在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和提升,ASML公司为芯片制造商开创了一个满足更小设计尺寸要求的生产芯片的新局面     

光学光刻现状及设备市场

概述了当前光学光刻技术现状及今后发展目标 ,并结合设备市场介绍了ASML、Canon、Nikon 3大设备制造商概况。     

ASML发布最新沉浸式光刻设备可用于38nm存储器

ASML Holding NV近13在SEMICON West上发布其最新的沉浸式光刻设备Twinscan XT 1950i。尽管该设备与之前的同类产品同样采用1．35孔径（NA）,然而该系统的分辨率从40nm改善至38nm,这能使芯片在面积上收益10％。     

储备力量 蓄势待发——访ASML中国区总经理David Sachse和技术行销经理程天风

随着半导体工艺技术的快速拓展,对芯片的制造设备也提出非常严峻的考验。如何满足大尺寸、纳米级芯片制造工艺的要求,是提升产业发展速度的要素之一。在芯片生产中,光刻是决定集成电路制造水平的关键工艺之一,同时光刻设备也是半导体芯片生产设备中价格最昂贵的设备之一。目前在光刻领域形成ASML、尼康和佳能三足鼎立的局面。而且全球最大的芯片制造设备供应商应用材料也对光刻设备市场虎视眈眈。总部位于荷兰的ASML公司一直致力于光刻技术领域,努力保持和代工业同步发展,并且致力于将最新的技术成果引入中国市场,积极支持中国代工业的…     

下代光刻设备的再次选择

１引言一年半以前,国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实,各种技术均具有７０ｎｍ以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻...     

21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

美科学家推出软干涉光刻技术

美国科学家在纳米制作技术领域获得重大进展，通过将干涉光刻和软光刻技术结合在一起，推出称为软干涉光刻技术（SIL）的新型制造技术，可以用来扩展纳米生产工艺以大批量制造等离子体超材料和器件。与现有的技术相比，软干涉光刻技术具有许多明显的优势。作为一种大规模制作纳米材料的创新和廉价方法，利用它制成的新颖的先进材料，为开发和应用特殊与突发光学特性铺平了道路。     

先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命

作为光刻技术的“替罪羊”，光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正（OPC）和其它分辨率增强技术（RET）的发展——包括双重图形技术的前影--掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。     

32 nm工艺及其设备

2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。