低能离子辐照苏氨酸质量沉积方式的研究

通过研究加入和不加入自由基清除剂条件下，３０ｋｅＶ Ｎ＾＋辐照苏氨酸的剂量与氨基浓度的变化，提出入射的Ｎ＾＋是以氨基的形式沉积在样品分子中，定性和定量解释了低能离子辐射的剂量与氨基残存率的关系。加入自由基清除剂后剂量效应的变化分析结果表明，一部分入射离子是通过自由基反应方程历程沉积在样品分子中。     

低能氮离子束注入固态5‘—dTMP的辐照损伤研究

对３０ｋｅＶ氮离子束辐照５－ｄＴＭＰ核苷酸引起的无机磷和碱基的释放进行了多方面的研究，得到机磷产率和碱基产生量的剂量效应曲线，以及０．１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ碱处理对它们的影响。碱处理不仅增加了无机磷的释放量，而且还使辐照产生的游离碱基受到损伤而裂解。碱处理后立测量得知，受辐照样品的碱溶液中无机磷的含量为其水溶液中的１．７倍，而样品碱溶液中的碱基浓度却只有其水溶液中的０．５倍左右。碱处理４０ｍｉｎ后。     

低能离子束辐照对纤维素微观结构变化的影响

采用红外光谱(IR),X射线衍射分析和扫描电镜(SEM)对低能离子(N+)注入纤维素粉微观结构的变化进行了研究。结果表明,低能离子辐照使纤维素分子内和分子间氢键均发生了断裂;随着辐照剂量的增加,纤维素相对结晶度逐渐减小,当注量增加到1500×1014cm-2时,相对结晶度较对照减少6.84%;纤维素颗粒直径逐渐变小,纤维变得越来越不完整,纤维表面出现较明显分层脱落现象,大多呈现的是细小碎片。     

低能氮离子注入固体乙酸钠的质量沉积效应

对２５ｋｅＶ氮离子束辐照固体乙酸钠引起基分子结构的变化进行了研究，通过红外光谱的测定，发现氮离子辐照乙酸钠样品后的产物中含有新的化学基团，再配合 水合茚三酮反应等化学方法，分析得知辐照后的样品中含有氰基和氨基等产物。     

低能离子辐照的刺激效应模型

注入离子的质量沉积产物对细胞修复等具有刺激作用。在综合考虑低能离子辐照的能量效应和质量沉积效应的基础上,推导出低能离子辐照下生物体的存活率公式及染色体畸变率和细胞突变率公式,对低能离子辐照下多种生物效应（如特殊的“马鞍型”存活率剂量效应等）作出了很好的拟合。     

离子束辐照对玉米诱变效应的初步研究

利用兰州重离子加速器提供的12C6+和36Ar18+离子束对玉米自交系郑58、鲁9801、金象4C-1、CSR24001、308和478进行辐照诱变育种试验,探讨了重离子辐照对玉米的诱变效应。结果显示,重离子辐照后种子出苗率和成苗率根据材料不同表现不一,浸泡后种子对辐照敏感性增加。辐照后M1代叶型变异较大;M2代植株经济性状发生变异较多,产生了许多有益的突变性状;M3代部分突变性状能够稳定遗传。由此可见,重离子束辐照育种有利于品种改良和种质创新,是玉米遗传改良的一种有效手段。     

低能离子束辐照增强表达的水稻基因半定量分析

应用基因芯片技术,发现了低能N+离子束辐照处理下多个表达上调的水稻基因,其中有5个参与植物胁迫反应和调控细胞数量的基因:NBS-LRR1、NBS-LRR2、PGPS/D12、Pherophorin-S前体物、天冬氨酸肽链内切酶。为了研究这5个基因在低能N+离子束辐照水稻苗期的表达特征,采用半定量法检测不同剂量辐照下水稻萌发72 h、96 h、120 h时幼苗中这5个基因的表达水平。RT-PCR结果表明,离子束辐照可显著地改变NBS-LRR1、NBS-LRR2、PGPS/D12、Pherophorin-S前体物及天冬氨酸肽链内切酶的转录水平,为研究离子束诱变的分子机制提供了目标基因。     

低能氮离子注入固态甘氨酸剩余产物的研究

采用２０ｋｅＶ Ｎ＾＋注入固态甘氨酸（Ｇｌｙ）薄膜。对注入样品的α粒子透射能谱以及样品溶于水后溶液的电导率和氨基含量的测量，揭示了低能离子注入的损伤作用具有饱和性。ＸＰＳ测量表明低能Ｎ＾＋注入Ｇｌｙ后形成了多种损伤产物，其中Ｃ、Ｎ元素的结合能变化较大，而Ｏ元素所处的化学环境变化很小。     

低能离子注入过程中真空和注入对小麦过氧化物酶同工酶的影响

本文报道了真空处理和低能离子束注入处理对小麦过氧化物酶同工酶的影响。研究发现,经真空处理后的样品,其酶活随着培养时间的延长呈增加的趋势,与对照样保持一致;而且相同取样时间不同样品之间的酶活性随真空时间的延长呈现略为增加的趋势;各剂量的N^ 注入处理后,种子的发芽率未受影响,而剂量较大时种子的芽长增长速度受到了明显的抑制;低剂量处理能刺激过氧化物酶酶活升高,而较高剂量处理则使酶活降低。     

Pb离子辐照注碳a-SiO2薄膜的光致发光性能

用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变.结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著影响样品的发光特性,且荧光光谱的改变强烈依赖于注入和辐照剂量,预示不同注入和辐照剂量将导致不同的发光结构形成.对注入和辐照造成薄膜...     

向日葵种胚的V离子注入研究

利用扫描电子显微镜和能量色散谱仪研究Ｖ离子注入向日葵种胚后注入元素的深度分布,用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究离子注入前后子叶及胚轴部位细胞的显微结构变化。结果发现Ｖ离子在种皮层的注入深度达到１８μｍ,而在胚部位（如子叶、胚轴和胚根等）则没有测到Ｖ元素,注入前后子叶前后和胚轴细胞的显微结构在ＴＥＭ上没有明显的变化。     

低能电子束循环辐射硫化天然橡胶乳液

应用250keV低能电子束循环辐射硫化二丙烯酸壬酯（1,9-nonanedilo diacrylate，NDDA）敏化的天然橡胶乳液，探讨了影响低能电子束循环辐射硫化天然橡胶乳液的因素。结果表明，提高电子束束流，可缩短辐射硫化时间；40％的天然橡胶乳液更适合低能电子束的辐射硫化；适当提高循环乳液的重量有利于辐射硫化乳液的质量控制。     

几种钢材离子注氮与氮化的磨损性能研究

本文对9Cr18、GCr15及Cr12MoV三种钢材在离子注氮、气体氮化、离子氮化以及淬火等不同工艺处理后,轻负荷下的抗磨损性能进行了研究。发现离子注氮后的试样抗磨损性能最佳,并随着形成氮化物元素的增加,抗磨损性能显著改善。用AES、XPS、TEM及X射线衍射法综合分析了注氮层的成分和结构。     

离子束诱变西瓜体细胞抗镰刀菌酸突变体研究

将通过能量为25keV、注量为6.24×1016/cm2的Ar+ 辐射处理后的三份西瓜种子接种在含有15mg / L镰刀菌酸(Fusaric acid,FA)的MS(Murashige, Skoog)培养基上获得无菌苗,以其子叶为外植体接种在MS+2mg/L 6-苄氨基嘌呤(Benzylaminopruine,BA)+15mg/L FA培养基上进行诱导生芽,将抗性再生芽转接到MS+0.2mg/L萘乙酸(Naphthylacetic acid,NAA)+15mg/L FA培养基上,进行抗FA的再生苗的生根诱导培养。结果表明,离子束辐射处理和FA对感病西瓜种子3-27和YH-5的发芽率及成苗都有显著抑制,两者的复合抑制作用更强;离子束辐射处理过的两个感病西瓜种子抗FA的芽诱导再生率和生根诱导率都高于对应的不经过离子束辐射处理的对照材料,提高幅度在材料之间、芽再生和根再生之间有差异。     

Effect of electric charge accumulation on low energy ion implantation in insulators

Charge accumulation at the surface of insulators during low energy ion implantation is related to two processes: ion impinging on the sample and secondary electron emission. Samples composed of a piece of Si (having the size of the ion beam) fixed on the centre of polyethylene (PE) coupons have been implanted with 2.2 keV H₂ ions to a fluence of 2 × 10¹⁶ H/cm². ERD (Elastic Recoil Detection) depth profiles of the implanted ions are shallower with an increase of the PE coupon size. The relative critical Si/PE size to repel all the incident ions is around 1.1 × 1.1 cm²/2.5 × 2.5 cm². The potential of the secondary electron suppressor has been varied from −500 V to +500 V. It changes the secondary electron distribution around the implanted area and, consequently, affects the accumulation of charges at the sample surface. When the potential is 0 V, a uniform ion implantation with little effect of charge accumulation for all sizes of PE coupons is obtained. A two-dimension model has been performed and gives a good explanation for the mechanism of the electric charge neutralisation.     

高能136Xe离子辐照聚酰亚胺化学改性的电子能损效应

用1．755GeV^136Xe离子在真空室温环境下辐照叠层聚酰亚胺薄膜,通过红外和紫外光谱测量研究了高电子能损离子辐照引起的化学降解及炔基产生效应。红外测量结果表明,典型官能团随辐照注量的增加指数降解,且径迹芯中所有官能团均遭到破坏;对应8．8(最小能损,第一层)和11．5keV／nm(最大能损,第五层)电子能损,^136Xe辐照聚酰亚胺的平均降解半径分别为3．6和4．1nm。而相应能损条件下炔基的生成截面分别为5．6和5．9nm大于官能团的降解截面。紫外结果表明辐照引起的吸光度的改变随辐照注量线性增加,发色团的产生效率随电子能损的增大而增加。