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研究了MgO-Y2O3-Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为A)、Y2O3-Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为B)及La2O3-Y2O3-Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为C)烧结助剂对Si3N4/BN层状复合陶瓷结构与性能的影响.研究表明:在相同的烧结工艺下,试样A、B、C的抗弯强度分别为700、630、610MPa,断裂功分别为2100、1600、3100J/m2.试样A、B以脆性断裂为主,裂纹偏转现象不明显,而试样C的载荷-位移曲线显示了明显的“伪塑性”特征,裂纹的偏转与扩展现象明显.试样A中Si3N4晶粒大小不均且长径比较小,而试样C中长柱状Si3N4晶粒发育完善,有较大的长径比. 相似文献
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比较α-SiC进口粉料和国产粉料的粉料成分、粒度、显微结构,以及以Al2O3-Y2O3烧结助剂液相烧结SiC的力学性能,分析两者之间的差异。结果表明,进口粉在纯度、粒度和显微结构方面均优于国产粉,从而使其在烧结性能、力学性能的方面明显好于国产粉料,通过讨论其中的主要区别,提出了改善国产SiC粉料的性能的一些措施。 相似文献
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放电等离子快速烧结SiC晶须增强Si3N4BN层状复合材料 总被引:1,自引:0,他引:1
采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料.利用SPS技术,在烧结温度为1650℃、保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm3,抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m2.研究表明:特殊的层状结构、SiC晶须的拔出与折断是材料断裂功提高的主要原因.X射线衍射及扫描电子显微镜研究表明:α-Si3N4已经在短短的烧结过程中全部转变成长柱状的β-Si3N4,并且长柱状的β-Si3N4和SiC晶须具有明显的织构. 相似文献
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以SiC超细粉末为原料,Al粉、B粉和碳黑为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备了SiC陶瓷,重点研究了烧结助剂含量(4~13 wt%)对SiC陶瓷物相组成、致密度、断面结构及力学性能的影响.除SiC主晶相外,X射线衍射图还显示了Al8B4C7相的存在;当烧结助剂的含量从4 wt%增至13 wt%时,扫描电镜照片显示陶瓷断面形貌从疏松结构变成致密结构,存在晶粒拔出现象;陶瓷力学性能随着烧结助剂含量的增加先升高后降低.当烧结助剂含量为10 wt%时,SiC陶瓷的力学性能达到最高,抗弯强度为518.1 MPa,断裂韧性为4.98 MPa·m1/2.Al、B和C烧结助剂在1850℃烧结温度下形成的Al8B4C7液相促进晶粒间的重排和传质,并填充晶粒间的气孔,提高了陶瓷致密度. 相似文献
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以NiSO4·6H2O和Na2S2O4·2H2O为原料,采用液相法室温合成了Ni3S4纳米粉.考察了影响粉体质量的各种因素,获得了最佳工艺条件,并对制备的纳米粉采用TEM、XRD和络合分析等方法进行了表征.结果表明:本法制备的Ni3S4纳米粉呈尖晶石型、平均粒径为10nm、粒度分布窄、分散性好、纯度高、转化率高. 相似文献
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报道了一种用于氧化物电子陶瓷微波烧结的保温体材料MgAl2O4-LaCrO3的研究和应用情况.该保温材料解决了许多氧化物电子陶瓷在微波烧结过程中易发生的热应力开裂问题并同时具有使样品均匀烧结成瓷的作用.现已成功地应用该保温体对CoMnNiO系NTC热敏材料;BaTiO3系PTC材料,ZnO掺杂系电压敏材料,LaCrO3基复合材料等氧化物电子陶瓷进行了微波烧结,烧结样品无热应力开裂并成瓷均匀致密.适用的氧化物电子陶瓷微波烧结温度区间最高可至1600℃. 相似文献
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SiC-Al界面Al_4C_3的生成及其控制 总被引:2,自引:0,他引:2
系统研究了在Al中添加Si对控制SiC-Al之间生成Al4C3的化学反应的作用和对SiC-Al系统化学反应动力学的影响,以及温度对化学反应程度的影响,探讨了Al4C3生成的机理。研究表明,添加Si于Al中使SiC和Al之间生成Al4C3的化学反应得到有效的控制并明显影响化学反应的速度;SiC-Al系统化学反应的程度随温度升高而增大;Al4C3的生成通过两个步骤进行,即SiC溶解于熔融金属Al中,然后和Al发生化学反应。研究结果为用熔融金属加工技术合成无Al4C3生成的SiC/Al复合材料提供了可靠的途径。 相似文献
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研究了用无压浸渗法制备的B1C/Al复合材料的制备工艺和组织。通过对碳化硼陶瓷预制体成型压力和保压时间的控制,采用X射线衍射、扫描电子显微镜及能谱仪分别对B1C/Al复合材料的相组成、微观形貌和微区成分进行分析。结果表明:成型压力为100MPa,保压时间选择1.5min,预烧温度在1700℃时,可以制得组织致密、均匀的B1C/Al复合材料。金属铝在高温下浸渗时与碳化硼陶瓷骨架反应生成Al3BC,AlB2,Al2C3等陶瓷相。Al3BC和AlB2为主要反应产物。B4C/Al复合材料中碳化硼是以连续的骨架结构存在,渗入的铝相则以连续基体的形式铺满整个组织。 相似文献
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烧结工艺对Si3N4-SiC材料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用氮化硅作为碳化硅材料的结合相的方法制备氮化硅结合碳化硅耐火材料,通过对氮化硅结合碳化硅的烧结工艺过程的探讨,推导了理论密度、气孔率与生坯密度的关系及影响材料氮化率的关系式,分析了材料性能与烧结工艺参数之间的关系。 相似文献
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Al/SiC是SiC基复合材料, 具有优异的力学性能和热学性能, 在大功率电子器件、5G基站关键冷却组件、电动汽车、高速刹车片、空间探测器操作装置等相关领域具有不可替代的作用。传统制备工艺的局限性使得近净成形的无压浸渗法成为制备Al/SiC复合材料的一种较好的方法。得到高质量的碳化硅(SiC)陶瓷素坯是熔渗技术的先决条件, 选区激光烧结技术是获得高质量陶瓷素坯的一种新方法。该方法具有快速、高效的优点, 无需模具即可成型制备大规模、复杂形状部件。本研究以热塑性酚醛树脂为黏结剂, 利用机械混合与喷雾造粒的方法制备了复合粉体, 采用选区激光烧结技术制备SiC素坯, 制备了黏结剂体积分数低至15%的样品, 并对其力学性能和微观结构进行表征。当树脂含量增大到体积分数25%时, SiC坯体的强度增量为702.1%。对于喷雾造粒粉体制备的样品而言, 喷雾干粉的多孔结构使得SiC生坯的孔隙率较高(71.18%), 导致生坯强度下降。 相似文献
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以稀土氧化物CeO2作为添加剂,原位生成CeB6颗粒作为第二相,增强B4C陶瓷预制体,然后以无压浸渗法制得B4C-CeB6/Al复合材料。本文首先研究了B4C-CeB6预制体的相组成和组织形貌,然后对BC-CeB6/Al复合材料的力争性能、相组成、组织形貌以及断裂机制进行了分析。结果表明:B4C-CeB6/Al复合材料的抗弯强度达到了410.16MPa,断裂韧性也有了显著改善,达到了6.95MPa·m^1/2,比常规热压烧结单一碳化硼陶瓷性能有明显提高,这主要是由于原位生成CeB6颗粒增强了B4C陶瓷的强度:同时黏结金属相起到增韧的作用. 相似文献